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[实用新型]一种中波红外探测器-CN202320178284.8有效
发明人：詹健龙;尚林涛 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中波红外探测器，包括中波红外探测器本体、转接板和衬底，所述中波红外探测器本体底端固定连接有转接板，所述转接板下端面与衬底上端面固定连接，所述衬底放置在底座上，所述底座上设有用于限定衬底位置的限位组件；底座为水平设置的矩形板状结构，底座两端下部均垂直焊接有安装板，底座内设有用于安装散热片的导热腔。中波红外探测器本体通过转接板能够将热量导出到衬底上，衬底将热量导到底座上，通过导热腔内的散热片进行散热，同时风扇朝着导热腔内吹风，从而能够加快底座内散热片的散热效率，通过底座和限位组件的配合，从而便于中波红外探测器本体的安装和拆卸，使中波红外探测器本体能够灵活使用。
一种中波红外探测器

[实用新型]一种偏振探测光栅-CN202320178277.8有效
发明人：詹健龙;尚林涛;陶晟 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种偏振探测光栅，包括衬板和位于衬板上方的台面板，台面板为顶部设有开口的开放式设计，台面板的侧壁为环形设计，台面板内侧结构分为第一探测模块和第二探测模块两部分，第一探测模块包括第一外反光面、第一中反光面和第一内反光面，其中第一外反光面与第一中反光面、第一中反光面与第一内反光面的夹角均相同，第二探测模块包括第二外反光面、第二外中反光面、第二内中反光面和第二内反光面，其中第二外反光面与第二外中反光面、第二外中反光面与第二内中反光面、第二内中反光面与第二内反光面的夹角均相同。该偏振探测光栅，适应了从不同入射角度射入的光，使得该偏振探测光栅的探测范围更大。
一种偏振探测光栅

[实用新型]一种二类超晶格红外探测器-CN202320178280.X有效
发明人：詹健龙;尚林涛;徐竟杰 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二类超晶格红外探测器，包括基座，还包括探测头和安装机构，所述基座一端配套设置有探测头，所述基座表面安装位置设置有安装机构，所述安装机构包括卡槽、安装座、卡块、安装板、安装孔、螺纹孔、螺丝和凹槽，基座表面连接位置开设有卡槽且安装座表面一体成型有与卡槽位置对应的卡块，根据安装环境和规格要求选用待用合适规格安装板的安装座，将安装座的卡块对齐并插入至卡槽内部直至螺纹孔之间对齐，在拧入螺丝即可固定安装座位置，通过安装板内部的安装孔即可与安装体之间进行对接，使用更加灵活，无需增加外部连接件，对整体体积影响小，适用性广泛。
一种二类超晶格红外探测器

[发明专利]一种高温工作InAs-InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构-CN202211685509.5在审
发明人：詹健龙;尚林涛;徐竟杰 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温工作InAs‑InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构，从下往上依次包括有n型掺杂InAs/InAsSb下电极层、非掺n型InAs/InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层B以及非掺n型InAs/InAsSb上电极层。该结构可以明显降低材料内部的产生‑复合(G‑R)和肖克莱‑里德‑霍尔(SRH)暗电流，具有更长的少子寿命。可以使用更简易的MBE快门控制生长方法制备。具有更低的与Ga相关的材料缺陷，可以显著提升探测器的工作温度，改善探测器组件的尺寸、重量、功耗和成本(SWaPC)，改善探测器的使用寿命和性能。
一种高温工作 inas inassb 二类超晶格红外探测器材料结构

[发明专利]一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构-CN202211685526.9在审
发明人：詹健龙;尚林涛;吴一冈 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，包括有从下往上依次设置的衬底、n型重掺InAsSb下电极层、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层以及n型重掺InAsSb上电极层。该结构可以明显降低材料内部的产生‑复合(G‑R)和肖克莱‑里德‑霍尔(SRH)暗电流，显著提升探测器的工作温度，改善探测器组件的尺寸、重量、功耗和成本，改善探测器的使用寿命和性能。
一种带势垒层 inassb 中波红外探测器材料结构

[发明专利]红外探测芯片中的集成式偏振探测光栅结构-CN202211685532.4在审
发明人：詹健龙;尚林涛;陶晟 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了红外探测芯片中的集成式偏振探测光栅结构，红外探测芯片包括有吸收层，吸收层上设有多个像元，每个所述像元上覆盖有一个线性偏振光栅单元，每个线性偏振光栅单元包括有一个主光栅块和若干副光栅块，副光栅块围绕在主光栅块的四周，每个副光栅块上均具有多条均匀平行排列的线性光栅，同一个线性偏振光栅单元中不同副光栅块具有不同角度的线性光栅，主光栅块上设有若干均匀间隔设置的环形光栅，主光栅块上的所有环形光栅同心设置。本发明的红外探测芯片中的集成式偏振探测光栅结构，提高了吸收层的有效吸收面积，提高了红外探测芯片的光学响应率和偏振灵敏度。
红外探测芯片中的集成偏振光栅结构

[发明专利]束流比例检测方法及检测设备-CN201910797169.7有效
发明人： 尚林涛;邢伟荣;周朋;刘铭;王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：本发明公开了一种束流比例检测方法及检测设备。束流比例检测方法包括：检测第一束流的生长速率v1，检测第二束流的生长速率v2，计算第一束流与第二束流的有效吸附束流比例N，N＝v1/v2。采用本发明，可以精确的计算出分子束外延生长过程中第一束流与第二束流实际参与键合反应所吸附结合到样品表面上的有效吸附束流比例，从而在实际试验过程中，根据需求快速且准确的确定出合成符合一定化学计量比的化合物半导体材料的束流控制实验参数，进而可以减少实验的重复性和肓目性，提高实验效率和生产效率。
比例检测方法设备

[发明专利]一种中波双色红外探测器-CN202010558628.9有效
发明人： 尚林涛;周朋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种中波双色红外探测器，包括：衬底，第一PIN型结构和第二PIN型结构；其中，所述第一PIN型结构生长在所述衬底上，所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置到衬底上由此构成双色红外探测器，实现了中波双色探测，降低了探测器制冷机的功耗、体积、重量和成本。
一种中波红外探测器

[发明专利]一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法-CN202010715331.9有效
发明人： 尚林涛;邢伟荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法，本发明的红外探测器结构设计简单，容易实现，其中M结构SL势垒结构可有效阻挡两个吸收层中大多数空穴载流子暗电流输运，而近零导带偏差几乎不会影响光生少子电子自由通行。通过势垒可有效降低G‑R、隧穿和表面泄露暗电流，具有超过传统光伏器件的潜力。少子是电子，扩散长度更长，预测QE要比nBn型结构更高，而且p型材料的本征载流子浓度比n型更稳定，不易随温度变化，可以实现高温工作。
一种长波红外波段晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置-CN201511029165.2有效
发明人：周朋;刘铭;折伟林;邢伟荣;尚林涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ_InAlSb测量；对所述θ_InAlSb测量进行修正，得到θ_InAlSb修正；根据θ_InAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的点阵常数a_InAlSb；根据InSb的点阵常数a_InSb、AlSb的点阵常数a_AlSb，以及所述a_InAlSb得到所述InAlSb薄膜中铝组分的含量，本发明的方法和装置能够在不损伤样品的前提下方便快捷的测定InAlSb薄膜中铝组分含量，测试结果也较为精确。
一种 inalsb 薄膜组分含量测定方法装置

[发明专利]一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法-CN201611136266.4在审
发明人：刘铭;周朋;邢伟荣;尚林涛;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法，本发明通过利用所设计的nBin或pB’ip结构，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出InSb高温工作材料，本身工艺的操作性强，而且可以借鉴成熟InSb器件工艺，为后续很快制备出双色器件创造很好的条件。
一种 insb 高温工作红外探测器材料及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器材料及其制备方法-CN201511000953.9在审
发明人：刘铭;程鹏;周朋;尚林涛;邢伟荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法，用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化铟缓冲层以及铟铝锑下接触层；根据设定的参数生长铟铝锑吸收层；生长铟铝锑层的势垒层；生长铟铝锑层的上接触层，该方案通过降低i层浓度进一步降低复合中心，降低暗电流，达到高温工作的要求。
一种红外探测器材料及其制备方法

[发明专利]一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法-CN201410323310.7有效
发明人：邢伟荣;刘铭;尚林涛;周朋;巩锋;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法，其中，该方法包括：在具有缓冲层的GaSb衬底上生长N型下电极层xMLInAs/yMLGaSb；在生长了N型下电极层上继续生长N型梯度掺杂超晶格层xMLInAs/yMLGaSb；在生长N型梯度掺杂超晶格层上继续进行本征层i层生长xMLInAs/yMLGaSb；在本征层上继续进行P型梯度掺杂超晶格层生长xMLInAs/yMLGaSb；在P型梯度掺杂超晶格层上进行P型上电极层生长xMLInAs/yMLGaSb，以得到梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料。通过该方法得到的材料，解决了现有无法满足暗电流和量子效率的要求的问题。
一种梯度掺杂晶格材料及其制备方法

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