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[发明专利]驱动方法、像素电路及显示面板-CN202110623010.0有效
发明人：肖本懿;金辉;王凯 -专利权人：豪威触控与显示科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：该像素电路包括：数据写入单元，数据写入单元的导通与关断受控于扫描信号；存储单元，用于经数据写入单元接收数据电压，并存储数据电压；驱动控制单元，用于在数据写入单元的关断阶段内根据电源电压和被存储的数据电压驱动发光元件，使得发光元件具有驱动电压或驱动电流；以及调光模块，用于提供驱动控制单元到发光元件的电流路径，电流路径的导通与关断受控于脉宽调制信号；其中，在一帧期间内，脉宽调制信号的占空比变化趋势与驱动电压或驱动电流的变化趋势相反
驱动方法像素电路显示面板

[发明专利]有机发光二极管显示器、像素电路及数据电流写入方法-CN200910176678.4有效
发明人：李佳佑;张立勋;蔡子健 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管显示器、像素电路及数据电流写入方法，所述有机发光二极管显示器包括：数据线、电流感测线、电源线以及电性耦接至数据线、电流感测线及电源线的多个像素。其中，在数据电流写入上述像素中的选定像素的过程中，选定像素从电流感测线抽取电流，数据线依据从电流感测线的抽取电流提供特定数据电压至选定像素直至从电流感测线的抽取电流与数据电流相匹配，且上述像素中其余的未选定像素则从电源线抽取电流本发明还提供适用于上述主动式矩阵有机发光二极管显示器的像素电路及数据电流写入方法。
有机发光二极管显示器像素电路数据电流写入方法

[发明专利]一种基于反铁磁的多态存储器单元-CN202211708009.9在审
发明人：郭宗夏;张洪超;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于反铁磁的多态存储器单元，本发明涉及自旋电子器件技术领域，用于解决现有技术中无法实现单器件的多bit存储以及难以实现数据写入的问题。包括：磁隧道结、作为电流写入线的底电极层；磁隧道结用于存储数据，底电极层用于提供自旋轨道矩对数据进行写入；磁隧道结至少包括：固定层、势垒层和自由层；自由层与反铁磁层相邻，且反铁磁层和自由层之间形成交换偏置；在对应的底电极上施加电流，以将自由层和交换偏置的方向翻转至与电流垂直方向；通过在不同角度的电流写入线中施加电流来调控自由层和交换偏置翻转角度，以在整个磁阻范围内获得更多中间态。不仅可以实现数据的无磁场写入，还能实现极其稳定的多bit存储。
一种基于反铁磁存储器单元

[发明专利]像素电路、阵列基板和显示面板-CN202310637099.5在审
发明人：米磊;刘雨生;黄舒宁;李洪瑞 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素电路、阵列基板和显示面板，驱动电流输出模块通过阳极连接线与设定电压写入模块的第一输入端电连接，驱动电流输出模块根据输入的数据电压产生驱动电流，并至少在发光阶段将驱动电流输出至第一输入端；设定电压写入模块的输出端直接连接或通过连接结构连接发光器件的阳极，在设定电压写入阶段，设定电压写入模块切断第一输入端驱动电流输出模块的输出端与阳极的连接，并向第一输入端发光器件的阳极写入设定电压输入端输入的设定电压
像素电路阵列显示面板

[发明专利]存储器的写入算法-CN201711242526.0在审
发明人：池育德;李建毅;吴正洲;邱奕介;史毅骏;威廉·J·加拉格尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本揭露涉及存储器的写入算法。本发明实施例涉及一种用于验证存储器单元(例如非易失性存储器单元)中的写入操作的方法，其包含：执行所述存储器单元的第一读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第一电流；和比较与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流与第一预定阈值电流以确定所述写入操作是否已改变所述存储器单元的状态如果与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流指示所述写入操作已改变所述存储器单元的状态，那么所述方法进一步包含：执行所述存储器单元的第二读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第二电流；且比较与所述存储器单元相关联的所测量的第二电流与第二预定阈值电流以确定所述写入操作是否已将所述存储器单元的状态改变到所要状态或中间状态
存储器单元写入操作测量关联存储器读取操作阈值电流算法写入非易失性存储器单元验证存储器电流指示中间状态

[发明专利]像素电路及其驱动方法-CN202111161975.9在审
发明人：黄亚东;张金刚;张东豪;廖一遂;钱先锐;叶本银;袁盼;黄飞 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：像素电路包括：数据写入模块、存储模块、漏电流控制模块和驱动晶体管；数据写入模块用于在数据写入阶段向驱动晶体管的栅极写入数据电压；存储模块用于存储驱动晶体管的栅极电压；漏电流控制模块连接于复位电压端和存储模块的第一端之间，漏电流控制模块的控制端接入控制信号，漏电流控制模块用于在发光阶段响应控制信号控制存储模块的第一端和复位电压端之间的漏电流的大小，以控制存储模块存储的驱动晶体管的栅极电压的大小；驱动晶体管用于响应自身的栅极电压产生驱动电流
像素电路及其驱动方法

[发明专利]像素驱动电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置-CN201910918518.6有效
发明人：岳晗;玄明花;张粲;王灿;丛宁;陈小川 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：像素驱动电路包括电流控制电路和时间控制电路，所述电流控制电路用于控制产生并通过驱动电流输出端输出驱动电流；所述时间控制电路包括第一数据写入电路和驱动时间控制电路；所述第一数据写入电路用于在第一栅线提供的第一栅极驱动信号的控制下，控制将第一数据线提供的第一数据电压写入至所述驱动时间控制电路；所述驱动时间控制电路分别与参考电压端、所述电流控制电路、所述第一数据写入电路和发光元件电连接，用于根据参考电压和所述第一数据电压，控制通过所述驱动电流驱动所述发光元件发光的时间
像素驱动电路方法显示面板显示装置

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置-CN201880083668.3有效
发明人：持田礼司;河野和幸;小野贵史;中山雅义;早田百合子 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：电阻变化型非易失性存储装置具备：具有多个存储单元(10)的存储单元阵列、进行向存储单元(10)的写入的写入电路、以及控制电路。写入电路具有：与单元晶体管(14)连接的源极线驱动电路(20)、以及与存储元件(12)连接的位线驱动电路(40)。控制电路在进行使存储元件(12)成为低电阻状态的写入动作的情况下，进行将第1电流值的电流流到存储元件(12)的控制，在此之后，进行将第2电流值的电流流到存储元件(12)的控制。第2电流值比存储元件(12)向低电阻状态的变化开始后的存储元件(12)的电流的过冲的最大值大。
电阻变化型非易失性存储装置

[发明专利]磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法-CN200710141062.4无效
发明人：北川英二;吉川将寿;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在执行读取时可以防止不经意的写入。用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间比用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间长。
磁性存储元件存储器驱动方法

[发明专利]相变存储器的写入电路-CN200710128067.3无效
发明人：江培嘉;许世玄;林烈萩 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器的写入电路，包括一驱动电流产生电路，用以提供一写入电流；一第一开关装置，耦接该驱动电流产生电路；一第一存储单元，耦接该第一开关装置；以及一第二开关装置，耦接该第一存储单元与一地电平当该驱动电流产生电路输出该写入电流至该第一存储单元时，该第二开关装置在该第一开关装置导通后的一第一预定时间后导通。
相变存储器写入电路

[发明专利]自扫描型发光元件阵列的驱动方法-CN01800367.2有效
发明人：大野诚治 -专利权人：日本板硝子株式会社
申请日： 2001-04-06 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： B41J2/44 文献下载
摘要：减少因外接在芯片上的用于限制写入电流的电阻所造成的功率损耗，提供可以减小光写入头的升温的自扫描型发光元件阵列。与驱动电路内的控制传送部的电路中的H-L电平差相比，通过降低设定控制发光部的电路中的H-L电平差，能够减少外接在芯片上的用于限制写入电流的电阻所造成的功率消耗，抑制光写入头的温度上升。
扫描发光元件阵列驱动方法

[实用新型]显示装置-CN202222717018.6有效
发明人：黄定桓;金玄俊;李启旭;全相鎭;郑浚琦 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：所述显示装置包括：第一像素驱动器，用于生成控制电流；第二像素驱动器，用于生成驱动电流，并且基于控制电流来控制驱动电流在其期间流动的时段；以及发光元件，连接到第二像素驱动器，以接收驱动电流。第一像素驱动器包括：第一晶体管，用于基于第一数据电压来生成控制电流；以及第二晶体管，用于基于来自扫描写入线的扫描写入信号来将第一数据电压提供到第一晶体管的第一电极。第二像素驱动器包括：第三晶体管，用于基于控制电流来生成驱动电流；以及第四晶体管，用于基于来自扫描写入线的扫描写入信号来将第二数据电压提供到第三晶体管的第一电极。显示装置能够通过控制驱动电流来最小化或减小亮度偏差并改善图像的质量。
显示装置

[发明专利]显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备-CN200810174848.0有效
发明人：山下淳一;山本哲郎;内野胜秀 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：抑制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管的Vth特性向降低状态转移而造成的发光电流的下降。在有机EL元件的非发光期间，在电流驱动该有机El元件的驱动晶体管中不流过电流时，在本像素行的阈值校正期间之前的至少1H期间，例如多个H期间，设写入脉冲WS处于有效(高电平)状态，并对写入晶体管的栅极施加正偏置电压，从而使写入晶体管的Vth特性向增强状态侧移位。
显示装置驱动方法以及电子设备

[发明专利]MRAM存储单元和用于使用具有减小的场电流的热辅助写操作向MRAM存储单元写入的方法-CN201310015248.0有效
发明人： I.L.普雷比亚努;R.苏萨 -专利权人：克罗科斯科技公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及用于向MRAM存储单元进行写入的方法，该MRAM存储单元包括磁性隧道结，其由具有存储磁化强度的存储层、具有参考磁化强度的参考层以及被包括在感测和存储层之间的隧道阻挡层形成；以及电流线，其被电连接至所述磁性隧道结；所述方法包括使加热电流在磁性隧道结中通过以便将磁性隧道结加热；使场电流通过以便根据场电流的极性沿着被写入方向对存储磁化强度进行切换。加热电流的量值使得其充当自旋极化电流且能够调整存储磁化强度；以及加热电流的极性从而基本上朝着所述被写入方向调整存储磁化强度。
mram 存储单元用于使用具有减小电流辅助操作写入方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法-CN201510669711.2有效
发明人：陈达;林孟弘;王炳琨;廖绍憬;周诠胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。
电阻存储器装置及其写入方法

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