“吉川将寿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁存储器装置-CN202211596564.7在审
发明人： 吉川将寿 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：实施例提供了一种改善存储器基元保持特性的磁存储器装置。根据一个实施例，一种磁存储器装置包括第一、第二和第三导体层；以及耦接到第一、第二和第三导体层的存储器基元。存储器基元包括第四导体层和磁阻效应元件。第四导体层分别包括耦接到第一、第二和第三导体层的第一、第二和第三部分。第三部分位于第一和第二部分之间。磁阻效应元件耦接在第三导体层和第四导体层之间。第四导体层包括磁性层以及位于磁性层和磁阻效应元件之间的非磁性层。磁性层在存储器基元的待机状态或读取状态期间具有第一饱和磁化强度，并且在存储器基元的写入状态期间具有大于第一饱和磁化强度的第二饱和磁化强度。
磁存储器装置

[发明专利]磁存储器装置-CN202210769578.8在审
发明人： 吉川将寿 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明涉及磁存储器装置。实施例提供了一种能够减小写入操作的负荷的磁存储器装置。一般而言，根据一个实施例，一种磁存储器装置包括三端子型存储器基元。第一端子连接到第一导体层。第二端子连接到第二导体层。第三端子连接到第三导体层。存储器基元包括连接到第一导体层、第二导体层和第三导体层的第四导体。存储器基元的磁阻效应元件耦接在第三导体层与第四导体层之间。第一切换元件耦接到第二导体层和第四导体层。第二切换元件耦接到第一导体层和第三导体层。第四导体层包括第一铁磁层和第一非磁性层。第一非磁性层包括钌、铱、铑或锇中的至少一种。
磁存储器装置

[发明专利]磁存储设备-CN202210847094.0在审
发明人：浅尾吉昭;吉川将寿 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：实施例提供了一种可以减小存储单元的大小的磁存储设备。根据一个实施例，磁存储设备包括第一至第三导体层，以及被连接到第一至第三导体层的三端式存储单元。第一存储单元包括第四导体层、磁阻效应元件、两端式第一开关元件和两端式第二开关元件。第四导体层包括被连接到第一导体层的第一部分、被连接到第二导体层的第二部分以及被连接到第三导体层的第三部分。磁阻效应元件被连接在第三导体层与第四导体层之间。第一开关元件被连接在第二导体层与第四导体层之间。第二开关元件被连接在第一导体层与第三导体层之间。
存储设备

[发明专利]选择器装置及半导体存储装置-CN202110675361.6在审
发明人：张洁琼;吉川将寿;大坊忠臣 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能够提高选择器层的热约束效应而改善特性的选择器装置。实施方式的选择器装置(1)具备第1电极(2)、第2电极(3)和配置于第1电极(2)与第2电极(2)之间的选择器层(4)。第1电极(2)及第2电极(3)中的至少一者具备层叠膜(11)，所述层叠膜(11)具有第1层(9)和第2层(10)，所述第1层(9)包含具有第一德拜温度(T1)的第1材料，所述第2层(10)按照与第1层(9)相接触的方式配置，包含具有比第一德拜温度(T1)低的第二德拜温度(T2)的第2材料。第一德拜温度(T1)相对于第二德拜温度(T2)之比(T1/T2)为5以上。
选择器装置半导体存储

[发明专利]磁存储装置-CN201710621435.1有效
发明人： 吉川将寿;杉浦邦晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够以一个方向的写入电流写入互相不同的两个数据的磁存储装置。一个实施方式的磁存储装置具备存储单元，该存储单元包括：磁阻效应元件；选择器，其电连接于上述磁阻效应元件；第1端，其电连接于位线，以及第2端，其电连接于字线。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性层、第2铁磁性层、第3铁磁性层、第1非磁性层以及第2非磁性层。上述第1非磁性层设置于上述第1铁磁性层与上述第2铁磁性层之间。上述第2非磁性层设置于上述第2铁磁性层与上述第3铁磁性层之间且将上述第2铁磁性层以及上述第3铁磁性层反铁磁性地耦合。上述第1铁磁性层的膜厚比上述第2铁磁性层的膜厚大。
存储装置

[发明专利]可变电阻元件-CN202010884663.X在审
发明人：河合宏树;小松克伊;大坊忠臣;德平弘毅;吉川将寿;伊藤雄一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：实施方式的可变电阻元件具备积层体，所述积层体配置在第1电极与第2电极之间，且包含可变电阻层(5)与含硫族元素层。含硫族元素层包含具有以下组成的材料，所述组成由通式：C1xC2yAz表示，其中，C1为选自由Sc、Y、Zr及Hf所组成的群中的至少一种元素，C2为选自由C、Si、Ge、B、Al、Ga及In所组成的群中的至少一种元素，A为选自由S、Se及Te所组成的群中的至少一种元素，x、y及z为表示满足0＜x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1、x+y+z＝1的原子比的数，且在将元素C1的氧化数设为a，将元素C2的氧化数设为b时，元素C1的原子比x满足x≦(3－(3+b)×y－z)/(3+a)。
可变电阻元件

[发明专利]磁存储装置-CN201910064055.1在审
发明人： 吉川将寿 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开主要涉及磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定的磁化方向的第2磁性层以及设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述第1磁性层包含多晶态的第1子磁性层和非晶态的第2子磁性层。
存储装置

[发明专利]磁存储器和制造磁存储器的方法-CN201480076776.X有效
发明人：园田康幸;中山昌彦;李敏硕;吉川将寿;杉浦邦晃;黄智焕 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。
磁存储器制造方法

[发明专利]磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器-CN201110103692.9有效
发明人： 吉川将寿;北川英二;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
磁电效应元件使用随机存取存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN200910127673.2有效
发明人：北川英二;吉川将寿;永瀬俊彦;大坊忠臣;长岭真;西山胜哉;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|2×a1/2-a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁阻元件以及磁性存储器-CN200810215231.9有效
发明人：永瀬俊彦;吉川将寿;北川英二;西山胜哉;大坊忠臣;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L1₀构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
磁阻元件以及磁性存储器

[发明专利]磁阻元件以及磁存储器-CN200810215232.3无效
发明人：永瀬俊彦;西山胜哉;甲斐正;中山昌彦;长嶺真;天野实;吉川将寿;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
磁阻元件以及磁存储器

[发明专利]磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器-CN200810109276.8无效
发明人： 吉川将寿;北川英二;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
致电效应元件使用随机存取存储器

[发明专利]磁电阻元件和磁性存储器-CN200810008901.X无效
发明人：上田知正;相川尚德;吉川将寿;下村尚治;中山昌彦;池川纯夫;细谷启司;长嶺真 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。
磁电元件磁性存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN200710141632.X有效
发明人：北川英二;永濑俊彦;吉川将寿;西山胜哉;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
磁阻元件磁存储器

1
2
下一页»
尾页
共 23 条