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[发明专利]固态硬盘对写入块的处理方法及装置、存储介质、设备-CN202111482242.5有效
发明人：刘晓健;秦东润;刘刚;王嵩 -专利权人：北京得瑞领新科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种固态硬盘对写入块的处理方法及装置、存储介质、计算机设备，该方法包括当检测到写入块的生成信号时，向所述写入块内填充字线；判断所述字线是否为辅助字线，若所述字线不是所述辅助字线，则向所述字线中写入新数据，直至所述写入块转换为完成块；若所述字线是所述辅助字线，则停止向所述字线中写入所述新数据，并将所述写入块转换为所述完成块。本申请有助于改善固态硬盘中的数据块在没有写满时，读取数据块最后写入的一层字线的数据时的错误率增高的现象，对于写入块的抑制错误效果好，复杂程度低。
固态硬盘写入处理方法装置存储介质设备

[发明专利]具有减小的芯片尺寸的电阻性存储器器件及其操作方法-CN201810886322.9有效
发明人：表锡洙;郑铉泽;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器器件包括：电压发生器，根据写入使能信号的激活生成写入字线电压；开关电路，响应于写入使能信号输出写入字线电压和读取字线电压中的一个作为输出电压；字线功率路径，连接到开关电路以接收输出电压；以及根据施加到字线功率路径的电压驱动字线的字线驱动器，其中写入命令在写入使能信号激活之后的特定延迟之后开始被接收，并且响应于所接收的写入命令在写入使能信号的激活时段内执行写入操作。
具有减小芯片尺寸电阻存储器器件及其操作方法

[发明专利]半导体存储装置及数据写入方法-CN201910089600.2在审
发明人：小仓达朗;堀井秀人 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种在以步进写入方式对电荷捕获膜写入数据时，能够抑制相邻字线干扰的半导体存储装置及数据写入方法。实施方式的数据写入方法通过对分别连接于多个存储单元的多个字线中的选择字线一面使程序电压的电压值步进一面施加直至数据的写入结束为止，来对连接于选择字线的存储单元进行数据的写入。此时，根据施加至选择字线的程序电压的值，对多个字线中的选择字线以外的特定的字线施加不同的通过电压。
半导体存储装置数据写入方法

[发明专利]具有减少的读取干扰的边界字线搜索和开放的块读取方法-CN201610084491.1有效
发明人： G.沙;D.达塔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-02-14 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：呈现了减少NAND型非易失性存储器的部分写入的块上的读取干扰的量的技术，用于当确定在块中的最后写入的字线时以及也用于读取操作两者，所述读取操作包括写入后的验证读取。然后通常使用将未写入的非选择的字线用较低的读取通过电压(read‑pass voltage)来偏置。块的最后写入的字线的确定可以在粗略‑精细搜索中完成，其中字线被分为多个区以寻找具有最后写入的字线的区，所述具有最后写入的字线的区又被细分以用于更精细的搜索。
具有减少读取干扰边界搜索开放方法

[发明专利]采用非对称宽度读取字线和写入字线的静态随机存取存储器(SRAM)位单元及相关方法-CN202180056712.3在审
发明人： S·沙玛;R·比拉达;S·戈什 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：公开了采用非对称宽度读取字线和写入字线(WWL)以减少存储器写入延时和改进存储器写入访问性能的静态随机存取存储器(SRAM)位单元，以及相关的制造方法。在示例性方面，SRAM位单元基于通过采用减少宽度的读取字线实现的电路单元布局面积节省，而采用增加宽度的写入字线。增加写入字线的宽度可以减少写入字线的电阻，并且从而减小针对SRAM位单元的存储器写入延时。在某些示例性方面，SRAM位单元的金属线节距和金属线之间的最小距离可以被维持，以在减小SRAM位单元的写入字线的电阻的情况下，维持与现有制造过程的制造兼容性。
采用对称宽度读取写入静态随机存取存储器 sram 单元相关方法

[发明专利]存储器器件及存储器电路-CN202110238778.6在审
发明人：江宏礼;林仲德;林世杰;陈自强;宋明远;黄汉森 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：存储器器件包括自旋轨道力矩(spin‑orbit torque，SOT)层、磁性穿遂结(magnetic tunnel junction，MTJ)、读取字线、选择器以及写入字线。读取字线电连接到MTJ。写入字线通过选择器连接到SOT层。当选择器接通时写入字线电连接到SOT层，且当选择器处于断开状态时写入字线与SOT层电隔离。
存储器器件电路

[发明专利]闪存中的倒序页写入-CN200980122793.1有效
发明人：梅纳赫姆·拉瑟 -专利权人：桑迪士克以色列有限公司
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：为了在其字线按字线写顺序连续被写的存储器块中存储通过逻辑页地址排序的多个数据页，各页被写入到字线使得被写入到字线中的任意一条的每页具有比被写到随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址，而不管各页按何顺序被接收用于写或者，各页被写到这些字线，使得对于每对被写的字线，在该对中在写顺序中较早的字线已经被写入了具有比被写入到该对中的另一字线的至少一页更高的逻辑页地址的页。
闪存中的倒序写入

[发明专利]包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置-CN02132294.5有效
发明人：大石司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：写入数字线(WDL)，对各个存储单元块以独立的方式按每个存储单元行进行划分。各写入数字线(WDL)，根据通过与写入数字线(WDL)分级配置并由在行方向相邻的多个子块共用的主字线(MWL)及段译码线(SGDL)传送的信息有选择地激活。由于行方向的数据写入电流只流过与选择存储单元块对应的写入数字线(WDL)，所以能够防止发生对非选择存储单元的数据误写入。
包含具有隧道存储单元薄膜磁性装置

[发明专利]SRAM电路及使用SRAM电路的缓冲电路-CN200580052431.1有效
发明人：金成克直 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-12-27 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM电路，其具有：分别由一对存储部构成的多个存储单元；指定所述多个存储单元的行的多个写入字线；指定所述多个存储单元的行的多个读取字线对；在写入到所述一对存储部时，在所述一对存储部中驱动共同的所述写入字线的写入行解码器；从所述存储部读取时，驱动与所述存储部连接的所述读取字线的读取行解码器；多个写入位线对，在写入到所述一对存储部时，其指定所述一对存储部，并将各个输入数据写入通过与所述写入字线共同指定的所述一对存储部的双方；以及读取位线，在从所述存储部读取时，其指定所述存储部，并从通过与所述读取字线共同指定的所述存储部中读取数据(也可以是1根)。
sram 电路使用缓冲

[发明专利]用于写入最近最少使用位的方法和设备-CN200410089767.2无效
发明人：彼得·T·弗赖伯格;瑞安·C·基维马吉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：在第一方面，提供了用于写入LRU指示符的第一方法。该第一方法包括以下步骤：(1)激活对应于第一存储器阵列的第一字线和对应于第二存储器阵列的第二字线之一；(2)当第一字线被激活时，采用第一字线，来写入到第一存储器阵列并写入LRU指示符；以及(3)当第二字线被激活时，采用第二字线，来写入到第二存储器阵列并写入LRU指示符。
用于写入最近最少使用方法设备

[发明专利]半导体存储装置中字线的锁存方法-CN03815694.6有效
发明人： A·吉泽克;W·A·麦吉;O·米利克－什特卡克利 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-07-02 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明提供一种内存系统及其作业方法，该内存系统具有：若干存储单元(432)，用以存放数据；若干位线(442)(444)，用以将数据写入该等存储单元(432)，并自该等存储单元(432)读取数据；以及连接到该等存储单元(432)的若干字线(422)，用以响应字线信号而使该等位线(442)(444)将数据写入该等存储单元(432)。一译码器(406)系连接到该等字线(422)，以便响应一时钟信号及一地址信号而接收地址信息，并将地址信息译码，而选择一用来写入一存储单元(432)的字线(422)。锁存电路(418)系连接到该译码器(406)及该等字线(422)。该锁存电路(418)系响应该时钟信号，以便将该字线信号提供给所选择的字线(422)，以便写入该存储单(432)元，并于完成写入该存储单元(432)时，自该所选择的字线(422)撤除该字线信号。
半导体存储装置中字线方法

[发明专利]通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体记忆装置-CN02150228.5无效
发明人：日高秀人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-11-05 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：各写入字线(WWL)的一端，通过写入驱动电路(WWD)有选择地与电源电压(Vcc)连接，它端与接地电压(Vss)连接。写入驱动电路(WWD)，在各写入字线的一端或它端，按每1行交互配置。写入驱动电路(WWDj)具有在选择对应的存储单元行(第j行)时，为了提供数据写入电流Iww而将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第1晶体管(101)；在选择相邻行时，将对应的写入字线(通过由第2晶体管(102)流过的磁场消除电流(ΔIww)，消除来自相邻行的数据写入电流的泄漏磁场。
通过外加磁场实行数据写入薄膜磁性记忆装置

[发明专利]非易失性存储器写入装置以及方法-CN201410104518.X有效
发明人：林宏学 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储器写入装置以及方法，该装置包括快闪式存储器、选取模块、升压模块以及写入模块。快闪式存储器包括选取阵列，选取阵列包括基体、位线以及字线。选取模块选取位线的写入位线以及字线的写入字线，其中写入位线的邻近位线为浮接。升压模块产生列高电压、行高电压以及负电压。当升压模块于升压过程中，写入模块将负电压施加至位线，当升压模块完成产生列高电压以及行高电压时，写入模块将行高电压施加于写入字线，选取模块将列高电压施加于写入位线。本发明提出的一种非易失性存储器写入装置以及方法，可有效降低因邻近写入位线的本地位线因耦合效应所造成的写入干扰。
非易失性存储器写入装置以及方法

[发明专利]具有改善的写入操作的二端口SRAM-CN200780039169.6有效
发明人： G·C·阿伯林;J·D·伯纳特;L·N·赫尔;J·M·希格曼 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：存取晶体管(54)耦合在每个存储节点(SN，SNB)和写入位线(WWB0)之间，并且由写入字线(WWL0)控制。写入字线也耦合到该对交叉耦合的反相器(40)的电源端。在写入操作期间，该写入字线被断言。在交叉耦合的反相器(40)的电源端处的电压跟随写入字线电压，由此使得在存储节点处的逻辑状态在必要时更容易改变。在写入操作结尾，写入字线被去断言，允许交叉耦合的反相器(40)正常工作并且保持存储节点(SN)的逻辑状态。耦合交叉耦合的反相器的电源节点允许更快的写入操作而不损害单元稳定性。
具有改善写入操作端口 sram

[发明专利]存储设备-CN202010263534.9在审
发明人：郑尚勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C29/30 文献下载
摘要：所述存储设备包括：包括多个单元的单元阵列；地址转变检测器，其输出关于写入命令的地址是否改变的转变检测信号；以及控制逻辑电路，其响应于所述写入命令生成多个字线接通信号中的一个字线接通信号用于对所述单元阵列执行写入操作，并根据所述转变检测信号终止所述写入操作。所述字线接通信号包括：在所述地址改变之前保持激活的长时间保持的字线接通信号、以及在所述地址改变之前被分割成多个子字线接通信号的分割字线接通信号。
存储设备

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