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[发明专利]一种在SiC衬底上制备的发光二极管-CN200710014444.0无效
发明人：徐现刚;宁丽娜;李树强;胡小波;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在SiC衬底上制备的发光二极管，其结构自上而下依次包括p型AlInGaN层、发光层、n型AlInGaN层和衬底，在p型AlInGaN层设有正极，在n型AlInGaN层设有负极，衬底为透明的SiC单晶晶片，该衬底在可见光范围内是无色透明的，SiC单晶晶片的背景载流子浓度小于1×10¹⁶个/cm³，电阻率大于10³Ω.cm。本发明利用透明SiC单晶晶片作为衬底，避免了利用n型SiC做衬底时的光吸收和利用Al₂O₃做衬底时导热性差的弊端，能够制作大功率LED器件。
一种 sic 衬底制备发光二极管

[发明专利]一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法-CN201110121601.4无效
发明人：唐威;包剑;赵学军 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法，依次进行如下步骤：步骤A：对多晶晶砖表面进行机械研磨处理；步骤B：将研磨后的所述多晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀，去除所述多晶晶砖表面的损伤层；步骤C：将腐蚀后的所述多晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中进行清洗，清洗完成后对其进行烘干。采用本发明提供的多晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的多晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过酸腐蚀除去了多晶晶砖表面的损伤层，减少了多晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良
一种太阳能级多晶表面处理方法

[发明专利]一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法-CN201110121537.X无效
发明人：唐威;包剑;赵学军 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法，依次进行如下步骤：步骤A：对单晶晶砖表面进行机械研磨处理；步骤B：将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀，去除所述单晶晶砖表面的损伤层；步骤C：将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中进行清洗，清洗完成后对其进行烘干。采用本发明提供的单晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的单晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过酸腐蚀除去了单晶晶砖表面的损伤层，减少了单晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良
一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法

[发明专利]具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器-CN201910187206.2有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器；步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在单晶薄膜层下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底与键合层叠放，做晶圆劈裂处理，剥离单晶薄膜层上端的上压电层，在单晶薄膜层的上表面制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到高质量的单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器。
具有隔离薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法-CN201410360412.6有效
发明人：秦光临;王禄宝 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法，包括如下步骤：（1）在蓝宝石晶体上划出两条与C轴平行的仔晶晶碇开方线；（2）沿所划开方线进行开方；（3）清洁开方后的仔晶晶碇开方断面；（4）对仔晶晶碇进行表征，在仔晶晶碇开方断面上标识出缺陷区域；（5）将仔晶晶碇固定在立式数控加工中心的工作台上，掏取仔晶晶棒；（6）对照仔晶晶碇开方断面上的缺陷标识，将缺陷区域在仔晶晶棒上标识出来；（7）用金刚石单线切割机床将仔晶晶棒截断
一种热交换 hem 蓝宝石加工方法

[发明专利]单晶晶圆的表内判断方法-CN201680048656.8有效
发明人：渡边城康 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶晶圆的表内判断方法，包含作为该单晶晶圆，使用具有对于基准方向而左右不对称的结晶面之物，该基准方向是连结该单晶晶圆的端面所形成的方位特定用的切口的中心与该单晶晶圆的中心的方向；正对该左右不对称的结晶面，通过向该单晶晶圆照射X光并检测绕射X光，测定该正对的结晶面的方位与该基准方向所构成的角度；自该经测定的角度值，判断该单晶晶圆的面为表面或是内面。由此，确实判断单晶晶圆的表内，且于成本方面优良的单晶晶圆的表内判定方法。
单晶晶圆判断方法

[发明专利]一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法-CN202211207915.0在审
发明人：杨青慧;李涵;张鼎;俞靖彦;张元婧;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法，属于磁光传感用单晶晶片制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上生长石榴石单晶晶片层；2)将衬底提出至熔体液面上方，液相外延炉的温度升高至1150～1200℃；3)将衬底下降至熔体液面下，单向旋转1min，保持旋转并将衬底提出，1min后停止旋转本发明将晶体表面处理过程合并至晶体生长过程中，省去了研磨、抛光等工艺流程，减少生长时间，提高生产效率、降低了生产成本；采用高温熔体浸渍清洗法，能有效控制表面白雾、团簇型裂纹等表面污染层，获得和传统工艺相同晶体表面质量的磁光成像单晶晶片
一种传感成像晶片快速生产方法

[发明专利]一种卡马西平-橙皮素球形共晶及其结晶制备方法-CN202310303302.5在审
发明人：欧阳金波;周利民;刘峙嵘;那兵;刘丽珊;徐丽 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C07D223/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种卡马西平‑橙皮素球形共晶的结晶制备方法，其包括如下步骤：首先在搅拌条件下，制备卡马西平与橙皮素的混合有机溶液，而后将与有机溶剂等体积的水加入到获得的混合有机溶液中，且保持搅拌过程至液液相分离发生，形成两相溶液，再将卡马西平‑橙皮素共晶晶种按照质量配比加入至两相溶液中，诱导更多共晶二次成核，最后再将表面活性剂按照质量比加入到以上共晶悬浮液中，在液滴内形成球形晶体，通过离心分离、冷冻干燥最终得到卡马西平‑橙皮素球形共晶产品；本发明制备的卡马西平‑橙皮素球形共晶相比工业生产的卡马西平纤维状晶体有更多性能提高，流动性好、压片性好、溶解度高，且收率能达到90%以上，纯度达到98%以上。
一种西平橙皮球形及其结晶制备方法

[发明专利]纳米复合热电转换材料及其制造方法-CN201180006246.4有效
发明人：村井盾哉;木太拓志 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米复合热电转换材料(1)，其中基体具有多晶结构，并且其中存在具有不同组成的结晶晶粒(10)和结晶晶粒边界相(12)，并且其中相同类型的声子散射颗粒(14)分散在所述结晶晶粒(10)和所述结晶晶粒边界相
纳米复合热电转换材料及其制造方法

[发明专利]用于模具种晶的方法-CN201811196550.X有效
发明人： B·D·普泽斯拉夫斯基;D·G·科尼策尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B22C9/04 文献下载
摘要：该方法包括将陶瓷模具附接到种晶晶体上，陶瓷模具包括限定铸造部件的形状的腔，以及种晶晶体界面，种晶晶体界面具有与种晶晶体互补的形状，使得种晶晶体能够支承铸造炉中的陶瓷模具。
用于模具方法

[发明专利]一种制备厚碳化硅单晶晶锭的方法-CN201510355963.8在审
发明人：董明东;刘欣宇;林琳 -专利权人：江苏艾科勒科技有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制备厚碳化硅单晶晶锭的方法，其制备方法如下：（1）籽晶生长得碳化硅单晶晶锭；（2）以碳化硅单晶晶锭作为籽晶，通过增大坩埚体的高度和温场计算，实现碳化硅晶体再生长得厚碳化硅单晶晶锭；（3）在晶体生长的坩埚尺寸允许范围内重复步骤（2），可进行反复多次的晶体再生长；本发明通过晶体的再生长，突破了常规物理气相传输法的结构限制，实现了超厚单晶晶锭的生长，使单晶晶锭的厚度大于常规极限40毫米。
一种制备碳化硅单晶晶锭方法

[发明专利]单晶晶棒粘接装置-CN201410064761.3在审
发明人：李双江 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种该单晶晶棒粘接装置。该一种单晶晶棒粘接装置包括：底座；定位机构，设置在底座上以定位托盘；支撑调节机构，可滑动地设置在底座上以支撑单晶晶棒并调节单晶晶棒的位置；检测机构，用于检测单晶晶棒的中心轴线与托盘的中心轴线是否位于同一直线上根据本发明，可以准确检测出单晶晶棒的中心轴线与托盘的中心轴线是否位于同一直线上，精度高，可靠性高，保证后续开方机在切割过程中能够切割出正常的单晶硅块。
单晶晶棒粘接装置

[发明专利]磊晶晶圆以及其制造方法-CN201810459772.X在审
发明人：筱原政幸;樋口晋;高桥雅宣 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磊晶晶圆的制造方法，相较以往的磊晶晶圆，发光亮度为之提升，其于基板上形成n型磊晶层、p型磊晶层，其中，n型磊晶层及p型磊晶层由含有选自GaAsP及GaP的化合物半导体的层所形成，n型磊晶层的形成具有形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一n型层的步骤，p型磊晶层的形成具有于第一n型层上形成化合物半导体组成为固定且含固定浓度氮的第一p型层的步骤以及于第一p型层的上方形成化合物半导体组成为固定且不含氮且较第一p型层的载子浓度为高的第二p型层的步骤，第一n型层的厚度较第一p型层的厚度为薄。
磊晶层化合物半导体基板制造发光

[发明专利]重力铸造与热挤出组合工艺制备高强高塑高韧亚共晶铝硅合金材料的方法-CN201610050074.5有效
发明人：马朝利;徐聪;肖文龙;王成远;郑岩;刘茂文;张海平 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种重力铸造与热挤出组合工艺制备高强高塑高韧亚共晶铝硅合金材料的方法，制得的亚共晶Al‑Si合金具有抗拉强度为300～470MPa，屈服强度在260～390MPa，延伸率在16～22％，冲击韧性在本发明采用重力铸造与热挤出相结合的制备工艺，克服了传统重力铸造制备Al‑Si合金材料的强度、塑性、韧性不高的缺点，同时也拓展了热挤出工艺在亚共晶Al‑Si合金材料制备中的应用空间。该工艺将Al‑Si合金中的共晶硅破碎、球化并均匀分散在合金基体中，同时增加了织构组织和再结晶晶粒，优化了合金组织，从而大幅度提高合金的强度、塑性、韧性。
重力铸造挤出组合工艺制备高强高塑高韧亚共晶铝硅合金材料方法

[发明专利]一种LED支架共晶封装方法-CN201611086671.X在审
发明人：廖梓成 -专利权人：东莞市良友五金制品有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED支架共晶封装方法，包括以下步骤清洗后在支架基板的中心区域外周边区域上形成电绝缘层；在形成之后的绝缘层上制备反射线路层；对反射线路层进行激光切割，形成多个区分正负极的导电引脚；向所述中心区域内填充荧光胶，中心区域填充的荧光胶量为中心区域的容积与待封装的覆晶晶片的体积之差；将覆晶晶片固定于荧光胶中，形成LED封装片；把晶片的底部电极通过引线与导电引脚相连；进行高温固化Si树脂胶体；把封装好胶体的支架从模条中脱模
一种 led 支架封装方法