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[发明专利]一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法-CN202211356409.8在审
发明人：苏琳琳;程淇美;陈渝湘;夏开鹏;杨成东 -专利权人：无锡学院
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法，该方法通过设置击穿电压，获取每个像元间的平均击穿电压的波动值ΔVB，对整个SiC APD线性阵列进行分组，将击穿电压按照从大到小的顺序依次分组；通过各个像元独立的上电极对各像元的击穿电压进行调控；选取高于平均电压VB1的电压值作为SiC APD线性阵列的工作电压，工作电压施加于SiC APD线性阵列共用的背电极，使SiC APD线性阵列进行紫外探测成像。本发明通过对各像元的击穿电压进行调控能够使各像元工作在相同增益和探测能性下，获得高质量紫外探测成像。
一种 sic apd 线性阵列击穿电压调控方法

[发明专利]基于纳米像元阵列的眼机接口及其工作方法-CN202210291576.2在审
发明人：吴朝兴;李俊龙;周雄图;张永爱;郭太良;陈荣;王堃;李文豪 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本发明提出基于纳米像元阵列的眼机接口及其工作方法，主要包括：柔性镜片、设置于柔性镜片上的纳米像元阵列、设置于纳米像元阵列上的可变焦距透镜模块。其中，纳米像元阵列具有三种功能：作为显示器件将图像直接投影到视网膜，作为图像传感器用于外界图像采集，作为近场显微镜头可以用于生物大分子的检测；可变焦距透镜模块既可以用于人眼视力的辅助调节，又可以作为用于外界图像捕捉的光学透镜
基于纳米阵列接口及其工作方法

[发明专利]非制冷红外焦平面阵列非均匀性校正的方法和装置-CN201410820351.7在审
发明人：雷述宇 -专利权人：广微科技集团有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非制冷红外焦平面阵列非均匀性校正的方法。所述方法包括：a、对非制冷红外焦平面阵列上的每个像元在两个目标温度下进行两次测试，得到第一和第二目标温度下每个像元的输出电压；b、分别对所述第一和第二目标温度下所有像元的输出电压求平均值。c、根据所述平均值，分别计算各像元在第一和第二目标温度下的输出电压值与该温度下所有像元的输出电压平均值的输出电压差异量；d、依次对各像元在第一和第二目标温度下得到的两个输出电压差异量进行运算，得到各像元所需的电压调节量；e、根据所述各像元的电压调节量在查找表中查询所需DAC偏移量；f、用所述的DAC偏移量对各像元的输出进行校正，完成对整个阵列非均匀性校正。
制冷红外平面阵列均匀校正方法装置

[发明专利]一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法-CN202110596386.7有效
发明人：周雄图;陈晶晶;郭太良;张永爱;吴朝兴;林志贤;叶芸 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-05-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法，该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极，所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出，所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构
一种寻址纳米 led 发光显示阵列结构及其制备方法

[发明专利]基于开关矩阵的焦平面阵列探测器及其制作方法-CN202211602460.2在审
发明人：曾磊;熊祎灵;文梦江;彭旭 -专利权人：武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于开关矩阵的焦平面阵列探测器及其制作方法，涉及FPA技术领域。该方法的步骤包括：制作行列独立探测器芯片，探测器芯片中所有行的像元共用P电极、且所有列的像元共用N电极；或者探测器芯片中所有行的像元共用N电极、且所有列的像元共用P电极。本发明的焦平面阵列探测器中存在多个行列独立、且各行共P电极、各列共N电极(或各行共N电极、各列共P电极)的探测器芯片。本发明的探测器在使用时能够通过不同行、列的控制，对各个像元依次逐个进行选通，选通时可跳过短路或低压像元，使存在少量短路或低压像元的阵列芯片仍然可用。
基于开关矩阵平面阵列探测器及其制作方法

[发明专利]非制冷红外焦平面阵列读出电路及其读出方法、探测器-CN202310485147.3有效
发明人：刘俊;何佳;陈尚存 -专利权人：杭州海康微影传感科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种非制冷红外焦平面阵列读出电路及其读出方法、探测器。所述读出电路用于非制冷红外焦平面阵列的信号读出，包括偏置单元及积分放大单元。非制冷红外焦平面阵列的每一像素单元具有至少两个红外敏感像元；偏置单元为红外敏感像元提供偏置电压；红外敏感像元在感测到红外辐射时能够产生对应的偏置电流；积分放大单元用于对红外敏感像元产生的偏置电流进行增益及积分处理，产生与每一红外敏感像元对应的模拟响应信号；积分放大单元具有增益系数、积分系数；读出电路为同一像素单元中的至少两个红外敏感像元所提供的偏置电压、增益系数及积分系数中至少一个不同，使同一像素单元中的至少两个红外敏感像元对应的响应率不同
制冷红外平面阵列读出电路及其方法探测器

[发明专利]一种平面图像传感器-CN202111485547.1在审
发明人：李成强 -专利权人：北京安酷智芯科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01J5/22 文献下载
摘要：包括像元阵列和衬底，所述衬底包括读出电路，所述像元阵列设置于所述衬底上，所述像元阵列中的每个像元包括吸收层和微桥，所述微桥与所述读出电路连接，所述吸收层包括多个电磁波吸收块，所述多个电磁波吸收块缝隙间隔排列
一种平面图像传感器

[发明专利]一种非致冷红外探测器-CN201110288943.5无效
发明人：王军;蒋亚东;吴志明;简祺霞;俞磊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非致冷红外探测器，包括红外窗口、具有微桥单元结构的探测像元阵列，所述红外窗口为多个微凸透镜单元或菲涅尔透镜单元组成的微透镜阵列，该微透镜阵列与探测像元阵列的间距设置为使入射的红外光线能会聚到探测像元阵列的微桥单元桥面范围以内本发明的红外窗口具有微凸透镜阵列或菲涅尔透镜阵列结构，光线通过后会聚到探测器像元阵列的桥面上，这种结构具有更大的光学填充因子，为探测器更小尺寸探测单元及高灵敏度的设计与制备提供了有力支持；相对于双层微桥单元结构
一种致冷红外探测器

[发明专利]一种增加电容密度的红外探测器芯片-CN201910148679.1有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01J5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加电容密度的红外探测器芯片，包括像元阵列和读出电路所需的电容阵列，所述电容阵列位于所述像元阵列的上方或/和下方，所述像元阵列包括M行N列的像素单元，所述电容阵列包括A行N/A列的电容单元，且每一列的像素单元对应电容阵列中的一个电容单元；所述电容阵列和像元阵列的行方向和列方向均相同，电容单元在行方向上的长度等于A个像素单元在行方向上的长度。本发明提供的一种增加电容密度的红外探测器芯片，将单层金属层之间的电容扩展为多层，增加了电容密度，同时，通过在阵列上下分布电容单元，并增加电容单元宽度的方式，提高列读出电路之间的性能匹配，并最终提升整个芯片的性能
一种增加电容密度红外探测器芯片

[发明专利]基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置-CN202111680464.8在审
发明人：任明;王彬;李琛;王玥;关浩斌;陈荣发;余家赫;李乾宇;张洪源 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：公开了基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置，方法中，采集检测视场的可见光图像，按照n×n雪崩光电二极管阵列的各单元对应位置对可见光图像进行区域分割形成视场分割区域，使用镜头远焦模式对检测视场进行全局扫描，放电光子的放电点落在雪崩光电二极管阵列的某一像元上，当雪崩光电二极管阵列中的单元响应强度超过噪声阈值时，判定视场分割区域有放电正在发生，并选择像元的对应区域为放电源的初筛区域；将镜头对准初筛区域，使用镜头近焦模式对放电光子进行二次检测，记录雪崩光电二极管阵列每一个像元的响应强度；计算相邻2×2像元阵列的强度之和，并搜索最大的相邻2×2像元位置；通过矢量叠加算法求解放电点的位置坐标。
基于稀疏强度矢量分析放电定位成像方法装置

[发明专利]一种红外焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路-CN201910180372.X有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路，所述的校正方法包括调节并记录使红外焦平面阵列所有像元的输出电压的平均值与设定的参考电压最接近时，红外焦平面阵列的偏置电压；在所述的偏置电压下，通过判断红外焦平面阵列中每一个像元的输出电压与所述偏置电压的关系，以调节每一个像元的输出电压。本发明通过阵列偏压和像元偏压的两级校正，准确标定出失去探测能力的盲元，有效去除奇异点的影响，是产品出厂的重要评价指标，以此来保证红外焦平面探测器工作期间的可靠性。
一种红外平面阵列均匀校正方法电路

[实用新型]一种倒焊红外探测器芯片-CN202223260369.5有效
发明人：雷华伟;陈意桥;张传杰;孙维国;刘志方 -专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒焊红外探测器芯片，包括红外敏感阵列和读出电路；红外敏感阵列依次包括衬底层、外延层、钝化层和电连接层，外延层刻蚀形成矩形阵列排布的若干像元，相邻像元之间形成隔离沟壑，且相邻四个像元之间的隔离沟壑形成十字沟壑；钝化层沉积覆盖所有像元和隔离沟壑，每个像元上的钝化层均设有一个开窗；电连接层包括若干电连接单元，每个像元均对应设置有一个电连接单元，电连接单元沉积覆盖对应的像元上的开窗和像元相邻的隔离沟壑，且每个十字沟壑中均沉积有一个电连接单元
一种红外探测器芯片

[发明专利]一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法-CN202111526223.8在审
发明人：黄烈云;吴可;刘钟远;李睿智;龙雨霞;程建;张晓琴;胡莉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法，主要包括在硅外延衬底的上表面生长一层二氧化硅薄膜；采用光刻工艺在所述二氧化硅薄膜上制作出呈相应阵列分布的环状掺杂窗口；利用离子注入以及高温推结工艺在所述环状掺杂窗口进行深结磷掺杂，以在硅外延衬底上形成磷掺杂的隔离环；采用常规拉通型APD工艺在所述二氧化硅薄膜上通过光刻工艺和离子注入工艺制作阵列像元结构；通过金属溅积工艺和光刻工艺在所述APD像元和隔离环上溅积金属电极；本发明所述拉通型硅APD阵列像元间隔离结构，采用硅平面工艺在像元间隔区实现，工艺简单，能有效抑制APD像元的边缘击穿，提高器件分辨率和可靠性。
一种拉通型硅 apd 阵列及其间隔方法

[发明专利]一种基于液晶微阵列器件的分焦平面型偏振成像装置-CN202011338046.6在审
发明人：王海峰;储松南;骆永全;沈志学;曹宁翔;赵祥杰;黄立贤;曾建成;刘海涛;乔冉 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于液晶微阵列器件的分焦平面型偏振成像装置，本发明主要包括保护玻璃、液晶微阵列器件、相位补偿板、偏振片和探测器焦平面；其中液晶微阵列器件和探测器焦平面进行像元匹配，焦平面1个像元对应1个微阵列元件，每4个像元1组，分别检测不同方向的偏振信息；相位补偿板用于消除液晶微阵列器件的残余相差；偏振片配合液晶微阵列器件和探测器焦平面组件，共同完成探测光束的偏振斯托克斯参数测量。本发明可实现探测目标像元尺度对应的偏振实时特性探测能力，且制作成本低，工作波段较宽。
一种基于液晶阵列器件平面偏振成像装置

[发明专利]CMOS焦平面读出电路及信号读出控制方法-CN201510174770.2有效
发明人：李毅强;刘昌举;吴治军;李明;祝晓笑 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：一种CMOS焦平面读出电路，其创新在于某一像元在二维焦平面阵列中的位置用标记Celln,m表达，其中，n表示该像元在二维焦平面阵列中所处的行数，m表示该像元在二维焦平面阵列中所处的列数；则标记为Celln,m的像元的输出端分别通过四条连接导线与标记为Celln‑1,m、Celln+1,m、Celln,m‑1和Celln,m+1的四个像元的输出端电气连接；所述连接导线上设置有连接开关。本发明的有益技术效果是能通过开关来实现像元输出光生电流向采样单元的选择性流入，提高焦平面成像系统的灵敏度，扩展其动态范围。
cmos 平面读出电路信号控制方法