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[发明专利]短波红外焦平面像元响应特性快速分析方法与系统-CN202011195827.4在审
发明人：顾燕;赵维骏;杨锋;董隽媛;吕扬;焦国力;朱波;郭一亮;吉建平;宋淳 -专利权人：北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种短波红外焦平面像元响应特性快速分析方法与系统，包括：获取短波红外焦平面在连续变化的均匀辐射照度的背景下的响应序列图像；其中任意一帧图像为在背景下的响应数据，且不同帧之间背景图像对应的辐射照度不同；基于所获得的响应序列图像，计算短波红外焦平面像元所对应的响应数据；其中，所述响应数据用于表征不同预定辐射照度下所述短波红外焦平面中的像元响应输出数值的变化关系；基于所述短波红外焦平面所对应的响应数据，获取短波红外焦平面阵列中像元的响应特性，确定出响应异常像元。通过本发明可以快速有效地得到短波红外焦平面各像元的响应特性，进而对异常像元给出相应的处理方法。
短波红外平面响应特性快速分析方法系统

[发明专利]一种基于核稀疏和空间约束的高光谱目标检测方法-CN201810915698.8在审
发明人：陈进;詹明;孙邱鹏;张均萍;田铠侨;陈东;王雄;陈阳;冯莉 -专利权人：北京市遥感信息研究所
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于核稀疏和空间约束的高光谱目标检测方法，在特征空间中计算残差与当前像元及其领域矩阵典范基的内积，寻找该内积与过完备基矩阵列向量的最大值，利用最小二乘法计算核稀疏系数向量，在原始维空间更新原始像元及其领域的残差和重构残差，判断当前像元残差范数小于残差阀值是否满足，计算出当前像元检测值，判断当前像元检测值是否大于所设定的判断阀值，若大于判断阀值，则标记为目标，否则标记为背景；输出高光谱图像中所有像元的检测值。
残差像元目标检测高光谱图像空间约束高光谱内积稀疏检测最小二乘法计算基矩阵列向量非线性特性空间更新空间信息领域矩阵特征空间稀疏系数原始像元典范基范数向量重构输出

[实用新型]感光组件、成像系统及光学电子设备-CN202221391476.9有效
发明人：孙磊;邱兵 -专利权人：天津山河光电科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03B11/00 文献下载
摘要：感光元件包括阵列排布的多个像元，该多个像元包括至少两组像元，该至少两组像元用于分别感测相应不同性质的入射光，该入射光的性质包括该入射光所在波段或该入射光的偏振方向。超表面导光元件被构造为将相应不同性质的入射光导向至少两组像元中的相应不同组像元。本公开实施例技术方案可以提高成像系统的成像品质。
感光组件成像系统光学电子设备

[发明专利]用于对图像数据采样的X射线系统和方法-CN201280005858.6无效
发明人： J.Z.刘;薛平;K.S.孔普;B.J.科斯特;D.F.兰勒;P.R.格兰富斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：X射线成像方法包括：在数字X射线检测器中包括离散像元的阵列，每个包括光电二极管和晶体管；向离散像元的晶体管施加第一电压。该方法还包括通过从这些离散像元采样数据来为X射线图像数据的采集做准备同时向当时未被采样的离散像元的晶体管施加第二电压，该第二电压比第一电压负得多。该方法进一步包括在检测器上接收来自源的X射线辐射。该方法再进一步包括从离散像元采样X射线图像数据同时向当时未被采样的离散像元的晶体管施加第二电压。
用于图像数据采样射线系统方法

[发明专利]一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器-CN201810945391.2在审
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
碲镉汞红外焦平面源区等电位碲镉汞红外焦平面探测器公共电极阵列边缘像元制备工作电位工作电压输出信号芯片结构源区电极阵列中央电极孔阵列区腐蚀金属

[实用新型]有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器-CN201821335640.8有效
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本专利公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
碲镉汞红外焦平面源区等电位碲镉汞红外焦平面探测器公共电极阵列边缘像元制备工作电位工作电压输出信号芯片结构源区电极阵列中央电极孔阵列区腐蚀金属

[发明专利]一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法-CN202010801746.8有效
发明人：李君宇;易飞;王鹏;甘先锋;董珊;陈文礼;王宏臣 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法，包括多个探测器单元，探测器单元包括四个超像元结构，超像元结构包括四个像素单元；像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层，第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层，超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间，且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层，金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块，第二悬空层包括第一支撑层和线栅层；同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度，位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同，且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等，以实现对红外波段的双色偏振成像，无需制作高度不同的谐振腔，制作工艺简单。
一种偏振制冷红外探测器及其制作方法

[发明专利]元成像系统-CN202210605182.X有效
发明人：郭钰铎;蔡娅雯;郭泽群 -专利权人：元潼（北京）技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H04N23/951 文献下载
摘要：本申请涉及成像技术领域，特别涉及一种元成像系统与方法，其中，系统包括：在光学成像系统的像面附近放置微透镜阵列，微透镜阵列的尺寸与系统对应衍射极限分辨率相差两个数量级以内。微透镜阵列表面以每个微透镜为周期镀有周期性掩膜图案，对成像光路进行调制。小微透镜尺寸与掩膜使元成像系统在采集图像过程中产生频域混叠，高频图像信息被调制到低频部分，而不是像普通成像系统中的高频成分在成像过程中消失。在微透镜阵列后一倍焦距附近放置光电传感器如：CMOS或CCD。相比于传统光场成像，元成像系统中的小微透镜尺寸，掩膜编码，像面扫描等方式采集到了更精细，包含更多高频信息的光场图像。
成像系统

[发明专利]利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法-CN202210092568.5在审
发明人：张钊荣;徐宇航;申宜林;张洋;郑凯文;陶涛;许非凡;余俊驰;刘斌 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，在衬底上外延并刻蚀GaN基LED纳米柱，将纳米柱转移到柔性临时衬底并去除原有衬底至N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜，将柔性纳米柱贴膜的N型GaN层表面与驱动电路基板通过In电极进行倒装键合，再去除柔性临时衬底，得到高分辨纳米像元显示阵列。本发明利用了柔性纳米柱贴膜方法实现巨量的纳米像元转移，通过高密度纳米阵列规避了巨量转移中的对准对位问题，在无需光刻对准的情况下，实现以单个In电极分别控制若干个GaN纳米柱发光，达成亚微米级分辨率的目标
利用柔性纳米柱贴膜制备分辨显示阵列方法

[发明专利]成像分辨率可配置多谱段TDI-CMOS图像传感器-CN202310762773.2在审
发明人：程甘霖;吴淞波;潘卫军;韩立镪;樊奔;张旭;卜洪波;张芮萌;王耕耘;姚瑶 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种成像分辨率可配置多谱段TDI‑CMOS图像传感器，包括：多谱段像元阵列、时序驱动电路、数字binning读出电路和配置电路；其中，所述多谱段像元阵列将光信号转换为图像电信号，将图像电信号传输给所述数字binning读出电路；所述数字binning读出电路接收图像电信号，将图像电信号进行数字量化、水平方向数字binning操作，输出处理后数字图像；所述时序驱动电路给所述多谱段像元阵列提供正常工作的时序
成像分辨率配置多谱段 tdi cmos 图像传感器

[发明专利]CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路-CN202011589600.8有效
发明人：王玮;范春晖 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供一种CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路，包括若干个像素单元和读出电路，所述像素单元呈行列排布，且通过所述读出电路相连；同一列的像素单元的传输管的栅极共用一第一电压输入端；同一行的像素单元的悬浮漏极共用一第二电压输入端，光电二极管的第一端共用一测试电压输出端，由此获得相应列的相应行的像素单元，即测试像元的完全耗尽电压。本发明方便有效的监控和提高像素阵列中像元满阱容量的一致性，制造出高质量的图像传感器像素阵列，提高采集图像的质量。
cis 像素阵列任意完全耗尽电压测试电路

[发明专利]光谱信息获取方法及光谱探测装置-CN202010168122.7有效
发明人：缪同群 -专利权人：上海新产业光电技术有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：该光谱信息获取方法包括：采用光学系统接收从待检测对象发出的光，使其照射在阵列探测器上，并让所述阵列探测器对所述光生成光电响应；对所述光电响应进行数据处理，获得所述光的光谱信息，其中，所述阵列探测器的像元的光电响应受到调制，使得所述阵列探测器的不同的像元对于在所研究的光谱范围内的光具有不同的光电响应曲线。
光谱信息获取方法探测装置

[发明专利]单片式可见光/红外光双光谱焦平面探测器-CN200810069341.9无效
发明人：熊平;李立;鲍峰;李华高;李平;李仁豪;唐遵烈;翁雪涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片式可见光/红外光双光谱焦平面探测器，它包括：可见光像元、可见光像元收集二极管、红外感光像元、红外感光像元收集二极管、四相CCD转移栅上的电极V1、V2、V3、V4，各个电极按上述顺序从上至下排列并构成CCD信道；可见光像元(1)和红外感光像元(3)并列在四相CCD转移栅的一侧，且可见光像元和红外感光像元的位置可互换；可见光像元和红外感光像元分别通过可见光像元收集二极管和红外感光像元收集二极管把可见光信号和红外信号输入四相转移栅上的相应电极；各个器件间用沟阻隔离，防止信号间的相互干扰；本发明结构可在单芯片上实现双光谱的探测；本发明的有益技术效果是：可大大减小探测系统的体积、重量及成本，与现有的硅工艺兼容，易于制作大规模焦平面阵列
单片可见光红外光光谱平面探测器

[发明专利]一种红外探测器结构及其制造方法-CN202010633562.5在审
发明人：康晓旭;钟晓兰;沈若曦 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测器结构及其制造方法，该结构包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层、通孔层和像元阵列，所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层，所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和通孔层之间，所述微桥谐振腔上表面为所述像元接收入射光的表面；其中，所述带有处理电路的衬底和顶层金属层为平面水平结构，所述微桥谐振腔上表面与所述带有处理电路的衬底和顶层金属层之间呈倾斜锐角设置。
一种红外探测器结构及其制造方法

[发明专利]一种单像元红外和可见光双波段传感器及阵列-CN202010026122.3在审
发明人：吕坚;邹灵乐;张逸;鲁竞原;阙隆成;周云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单像元红外和可见光双波段传感器，包括上层感光组件、桥柱、可见光感光组件和硅衬底；所述上层感光组件通过所述桥柱安装于所述硅衬底上方，且所述可见光感光组件设置于所述硅衬底的上表面；所述上层感光组件上设置有透光通孔本发明还公开了一种单像元红外和可见光双波段传感器阵列。本发明一种单像元红外和可见光双波段传感器及阵列，可以实现可见光和红外双波段在单个像元的同时探测，目标信息更加丰富。
一种单像元红外可见光波段传感器阵列

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