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[发明专利]带空气缝隙的高布里渊增益倒脊型硫系波导及其制备方法-CN202310976417.0在审
发明人：邹林儿;杨熙飞;尚磊;胡海;沈云 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种带空气缝隙的高布里渊增益倒脊型硫系波导及其制备方法，该硫系波导包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层，所述波导层的下表面向外凸出形成脊型部，所述波导层的脊型部嵌入所述衬底层中，形成一种倒置脊型波导结构，其中，所述波导层的脊型部的内部设置有空气缝隙。本发明通过倒置脊型波导结构限制光场与声场的分布区域，增强声光场重叠，同时引入空气缝隙结构，使得光致辐射力出现，其与空气狭缝附近的声场发生强耦合，增强波导内部光学力与声场的耦合作用，从而显著提高受激布里渊散射增益
空气缝隙高布里渊增益倒脊型硫系波导及其制备方法

[发明专利]集成端面耦合器的硅基片上光源-CN202210928896.4在审
发明人：杨正霞;周旭亮;杨文宇;王梦琦;潘教青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01S5/0225 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成端面耦合器的硅基片上光源，包括倒脊型波导硅基激光器和端面耦合器。其中，倒脊型波导硅基激光器包括：衬底，衬底通过矩形槽形成位于衬底中段的梁，和位于衬底两端的第一平面和第二平面，第一平面设有连通沟槽；倒脊型波导微米线，倒脊型波导微米线设置在连通沟槽内，倒脊型波导微米线设置有波导层；介质填充层，覆盖倒脊型波导微米线；端面耦合器包括：硅波导，设置于第二平面和梁上，与倒脊型波导微米线对应设置；介质波导，覆盖于梁上，介质波导与倒脊型波导微米线相接触；电极，包括上电极和下电极，上电极设置于介质填充层上，并与倒脊型波导微米线接触，下电极与衬底接触。
集成端面耦合器硅基片上光源

[发明专利]一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置-CN201810877787.8在审
发明人：熊松松 -专利权人：广州米德红外科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置，包括衬底层、下包层、脊型光波导、介质层、第一聚合物支撑层、第二聚合物支撑层和微球，所述衬底层上表面与下包层接触连接，所述下包层上表面与脊型光波导连接，所述脊型光波导上表面与介质层接触连接，所述介质层左右两侧分别设有第一聚合物支撑层和第二聚合物支撑层，所述第一聚合物支撑层和第二聚合物支撑层放置在衬底层上，两个支撑层之间放置有微球，并与微球接触；本发明的一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置，
聚合物支撑层微球脊型光波导高稳定性耦合装置衬底层介质层上表面下包层硫系接触连接外界空气左右两侧集成度支撑层扰动兼容

[发明专利]一种混合波导集成石墨烯中红外电光调制器-CN202210792816.7在审
发明人：林宏焘;钟础宇;魏茂良;马辉;巨泽朝 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：包括蓝宝石衬底；硅波导传输层形成在蓝宝石衬底之上；第一石墨烯层位于硅波导传输层的一侧上；第一石墨烯层控制电极布置连接在第一石墨烯层之上；硫系介质层形成在硅波导传输层上，包覆第一石墨烯层；第二石墨烯层位于硫系介质层的一侧上；第二石墨烯层控制电极布置在第二石墨烯层上；包括硫系条形波导形成在第二石墨烯层上；硫系盖层形成在硫系介质层上，包覆第二石墨烯层和硫系条形波导。本发明支持3‑5μm波段的信号光进行低损传输和调制，本发明使用硅平板层与硫系条形波导构成混合脊型波导结构，石墨烯层可集成在TE0模式的场强极大值处，降低了光功耗。
一种混合波导集成石墨红外电光调制器

[发明专利]电泵激光器及其制备方法-CN202110922192.1有效
发明人：杨正霞;周旭亮;王梦琦;杨文宇;潘教青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种电泵激光器，包括：下金属电极、图形化衬底、倒脊型波导III‑V族亚微米结构、钝化层、苯并环丁烯层和上金属电极；下金属电极，位于图形化衬底的上表面或下表面；图形化衬底，包括图形化硅层和图形化二氧化硅层，图形化衬底上面设置至少一个连通沟槽，连通沟槽包括矩形沟槽和V型沟槽；倒脊型波导III‑V族亚微米结构，设置在连通沟槽内和连通沟槽上；钝化层，设置在连通沟槽上的倒脊型波导III‑V族亚微米结构的两侧和图形化衬底的上表面；苯并环丁烯层，设置在钝化层的一侧；其中，苯并环丁烯层的顶端、钝化层的顶端和倒脊型波导III‑V族亚微米结构的顶端等高；上金属电极，设置在倒脊型波导III‑V族亚微米结构上。
激光器及其制备方法

[实用新型]一种纵梁-CN200820230730.0无效
发明人：于江龙 -专利权人：于江龙
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： B62D21/04 文献下载
摘要：一种纵梁，其包括上部竖立的梁脊和下部水平方向的托板，梁脊与托板构成倒T型结构。本实用新型的纵梁，采用梁脊与托板构成倒T型结构，相比目前的工字型结构，制造工艺简化，而强度性能更加优良，用料更省，重量减轻，降低了机车的牵引负担，节省能源。
一种

[实用新型]一种古建筑装饰用的陶瓷花脊-CN201820750869.1有效
发明人：林主团 -专利权人：德化县万宝古建陶瓷有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： E04D1/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种古建筑装饰用的陶瓷花脊，包括花脊本体，花脊本体的内部均为镂空结构，花脊本体任意相邻的相对应侧边底部分别设有凸起面以及与凸起面相配合的卡槽，凸起面的两侧边对称设有倒V型凸起，卡槽的两侧边设有与倒V型凸起相适配的倒V型凹槽，花脊本体的顶端两侧边对称设有链轮一和链轮二，链轮一的内部设有转轴一，转轴一靠近花脊本体的一侧边与电机一连接，且电机一的转动轴与转轴一连接，电机一固定在花脊本体顶端表面，链轮二的内部设有转轴二，转轴二靠近花脊本体的一侧边与电机二连接，且电机二的转动轴与转轴二连接，电机二固定在花脊本体顶端表面，链轮一和链轮二之间设有链条。
花脊链轮转轴电机凸起倒V型古建筑装饰顶端表面转动轴对称陶瓷本实用新型镂空结构凸起面侧边卡槽适配链条配合

[发明专利]一种石墨烯-半导体双脊型混合表面等离子波导结构-CN201710789327.5有效
发明人：朱君;徐政杰;秦柳丽;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、二氧化硅缓冲层和高折射率半导体层，所述二氧化硅缓冲层中自下而上设有顺序叠接的脊型金属纳米层、矩形耦合层和倒脊型纳米层，脊型金属纳米层的底部与二氧化硅缓冲层的上表面叠接，倒脊型纳米层与高折射率半导体层的下表面叠接。
一种石墨半导体双脊型混合表面等离子波导结构

[实用新型]一种石墨烯-半导体双脊型混合表面等离子波导结构-CN201721127885.7有效
发明人：朱君;徐政杰;秦柳丽;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯‑半导体双脊型混合表面等离子波导结构，其特征是，包括自下而上顺序叠接的二氧化硅基底、二氧化硅缓冲层和高折射率半导体层，所述二氧化硅缓冲层中自下而上设有顺序叠接的脊型金属纳米层、矩形耦合层和倒脊型纳米层，脊型金属纳米层的底部与二氧化硅缓冲层的上表面叠接，倒脊型纳米层与高折射率半导体层的下表面叠接。
叠接二氧化硅缓冲层波导结构混合表面等离子金属纳米层半导体层高折射率倒脊型纳米层石墨烯脊型双脊半导体本实用新型表面等离子二氧化硅基单元器件激励电路数据传输局域化上表面下表面耦合层带宽

[发明专利]SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法-CN200910242349.5无效
发明人：陈少武;程勇鹏;任光辉;樊中朝 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅，形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构，完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。
soi 微米脊型光波导耦合器刻蚀氧化制作方法

[实用新型]一种节能型TV背光模组-CN201520088821.5有效
发明人：何远新;吴颖发 -专利权人：广东朝野科技有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型提供一种节能型TV背光模组，包括设于框架内的反射片，所述反射片的凹槽部设有倒V型凸脊，沿所述倒V型凸脊的两侧设有背光光源。本实用新型节能型TV背光模组与传统同样规格大小TV背光模组的背光功耗相比，背光功耗降低了40％，光的利用率得到显著的提高，并且光扩散得更加均匀，提高了显示器的显示效果。
一种节能型 tv 背光模组

[发明专利]一种硫系玻璃精密模压成型模具及方法-CN202211234627.4在审
发明人：黄国雅;吴梦;邱超;隋俊毅 -专利权人：湖北新华光信息材料有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C03B23/03 文献下载
摘要：本发明的名称为一种硫系玻璃精密模压成型模具及方法。属于硫系光学玻璃二次成型技术领域。它主要是解决目前精密模压生产硫系非球面及衍射面光学元件需因预型体存在球面曲率半径不合适而导致模压出现闭气风险的问题。它的主要特征是：在上模仁及下模仁上设有排气槽，排气槽位于待加工硫系非球面或衍射面光学元件光学有效径以外；将硫系双平面预型体放入上模仁和下模仁中，装配后放入非球面模压设备中；对模具加热至硫系材料软化温度，施加压力，硫系双平面预型体形变至所需的硫系非球面或衍射面光学元件。本发明具有减少预型体球面加工、可避免模压生产中闭气风险和节省制造成本的特点，主要用于各类硫系非球面及衍射面光学元件的批量生产。
一种玻璃精密模压成型模具方法

[发明专利]一种硫系玻璃精密模压预型体模压前处理方法-CN202111011852.7在审
发明人：黄国雅;吴梦;邱超;韦献慧 -专利权人：湖北新华光信息材料有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明的名称为一种硫系玻璃精密模压预型体模压前处理方法。属于光学玻璃精密模压技术领域。它主要是解决硫系玻璃因高温成型过程中组成元素易挥发和与模具发生界面反应而导致最终产品出现雾化和黏模不良的问题。它的主要特征是：在硫系玻璃精密模压预型体模压前，先在硫系玻璃精密模压预型体表面通过物理镀膜形成保护层。本发明具有可阻止硫系玻璃精密模压预型体在高温成型过程中元素挥发和与模具或者空气发生界面反应形成白雾或黏模不良、提高精密模压的良率和降低模压制造成本的特点，提高产品的外观质量，主要用于硫系玻璃精密模压预型体模压前的处理
一种玻璃精密模压预型体处理方法

[发明专利]一种硫系玻璃球体制备方法及所用挤压成型装置-CN202010840617.X在审
发明人：唐博博;高晓芳;曹帅东;赵仲勋;徐华峰 -专利权人：湖北新华光信息材料有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C03B19/10 文献下载
摘要：本发明的名称为一种硫系玻璃球体制备方法及所用挤压成型装置，属于硫系玻璃成型技术领域。它主要是解决目前采用方形颗粒滚圆至球体方法存在效率低和材料损失大的问题。它的主要特征在于：（1）通过熔制方式制备出硫系玻璃毛坯块料；（2）将含多个球形成型模具型腔的挤压成型装置预热；（3）将硫系玻璃毛坯块料放入挤压成型装置中加热至硫系玻璃毛坯块料软化变形；（4）使软化变形的硫系玻璃进入成型模具型腔，进而挤出所需要的硫系玻璃球料。本发明具有操作简单便捷、效率高、产品质量稳定性好和材料利用率高的特点，主要用于Φ5~Φ15mm硫系光学玻璃小球的制备。
一种玻璃球体制备方法所用挤压成型装置

[发明专利]氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法-CN200810101681.5有效
发明人：胡晓东;张国义;章蓓;杨志坚;康香宁;李睿;陈伟华;赵璐冰;李丁 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。
氮化物基脊型发光二极管激光器制备方法

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