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[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210946421.8在审
发明人：杨弘;叶李欣;简良翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成隔离介质层，在隔离介质层中形成凹槽；在凹槽的槽壁和槽底形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成金属扩散阻挡层，金属扩散阻挡层包括致密阻挡层，致密阻挡层包括交替沉积形成的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层含有用于弱化金属扩散阻挡层的晶界的掺杂元素，掺杂元素在交替沉积过程中掺入第一阻挡层的至少部分内；在凹槽内填充金属层，金属层形成在金属扩散阻挡层上该形成方法能够使金属扩散阻挡层的整体结构更加致密，进而改善了阻挡性能，金属扩散阻挡层能够有效抑制金属向隔离介质层中扩散迁移，从而提高了半导体器件的可靠性。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种LED发光二极管的芯片及其制作方法-CN202310361361.8在审
发明人：褚志强;陈浩;屈世康;张志强;马闯;高洁;张振;赵倩;吴和兵;曹玉飞 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种LED发光二极管的芯片包括：电流阻挡层包括第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，第一电流阻挡层沿外延层的长度方向生长，多个第二电流阻挡层相互间隔的设置在第一电流阻挡层的一端，多个第二电流阻挡层呈预设形状排布生长；第一电流阻挡层沿远离第二电流阻挡层的方向逐渐变宽；透明导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层生长在电流阻挡层上，第一透明导电层与第二电流阻挡层至少部分重叠，第二透明导电层生长在外延层上；金属手指电极由金属手指电极第一端至金属手指电极第二端宽度变窄，金属手指电极的宽度小于第一电流阻挡层的宽度，金属手指电极第一端的周围分布第二电流阻挡层。
一种 led 发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN202110159442.0有效
发明人：唐榕;张建英;王杰;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板、框胶涂布设备和显示装置，所述显示面板包括第一基板、第二基板和框胶，所述框胶粘接所述第一基板和第二基板；所述框胶包括第一疏水层和阻挡层，所述第一疏水层包括框胶主体材料以及疏水填料，所述疏水填料填充于所述框胶主体材料中；所述阻挡层包括框胶主体材料以及挡水填料，所述挡水填料填充于所述框胶主体材料中；其中，所述阻挡层与所述第一疏水层相粘接，所述第一疏水层覆盖在所述阻挡层外防止水汽侵入所述阻挡层，所述阻挡层进一步阻挡水汽入侵至基板的非显示区的走线区域，防止走线或转接孔受到水汽或腐蚀杂质的入侵，导致转接孔内的导电层腐蚀，从而导致信号不良或显示异常。
一种显示面板显示装置

[发明专利]一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法-CN202210354799.9有效
发明人：张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，在SiC衬底上外延漂移层，之后形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形阱区通孔，离子注入形成阱区；重新形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形有源区通孔，离子注入形成源区；将阻挡层清除后在漂移层上生长氧化层，形成阻挡层，对阻挡层以及氧化层蚀刻形成环形源极金属区通孔，金属淀积形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成肖特基金属区通孔，金属淀积形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成栅极区通孔，金属淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，金属淀积形成漏极金属层；提高器件的电流密度，功率密度做高，充分发挥SiC器件宽禁带材料的特性。
一种圆形纵向 mosfet 功率器件制造方法

[发明专利]混合阻挡层型Nb₃Al超导多芯线材-CN201280005602.5有效
发明人：伴野信哉;竹内孝夫 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01B12/10 文献下载
摘要：混合阻挡层型Nb3Al超导多芯线材，由Nb阻挡层细丝、Ta阻挡层细丝、Nb虚拟整体细丝和Nb或Ta的外皮构成。在该混合阻挡层型Nb3Al超导多芯线材中，在由Nb虚拟整体细丝形成的核心的附近的细丝区域集中配置Nb阻挡层细丝，在从Nb阻挡层细丝的外侧至Nb或Ta的外皮的内侧的外周部只配置Ta阻挡层细丝，或Nb阻挡层细丝被Ta阻挡层细丝分散而配置。
混合阻挡 nb sub al 超导线材

[发明专利]阻挡层叠层、用于制造阻挡层叠层的方法以及超高阻挡层与抗反射系统-CN201480078901.0有效
发明人： H-G·洛茨;N·莫里森;T·斯托利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7的折射率。层(11至14)中的每一层都具有至少70nm的厚度。
阻挡层叠用于制造方法以及超高反射系统

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201210571794.8有效
发明人：周明杰;王平;钟铁涛;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，阴极上还设有保护层和阻挡层，阻挡层包括复合阻挡层、无机阻挡层和有机阻挡层，复合阻挡层、无机阻挡层和有机阻挡层形成一个基本结构，阻挡层为多个基本结构重复形成。本发明在有机电致发光器件上设置阻挡层，可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，提高了有机电致发光器件的寿命。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法-CN202011052273.2在审
发明人：孙少俊;张栋;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：其中，芯片包括：衬底层、硅化物阻挡层和介质层；衬底层上形成器件层；硅化物阻挡层覆盖在器件层上；硅化物阻挡层包括从器件层上依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层与第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；侧墙结构和第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；介质层形成于硅化物阻挡层上。方法包括：提供上述芯片；定义出接触孔图案；进行第一次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的介质层和第二阻挡层；使得第一次刻蚀的停止面位于第一阻挡层中；根据接触孔图案，进行第二次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的第一阻挡层
一种芯片接触对准刻蚀方法

[发明专利]阻挡层的形成方法、三维集成器件的形成方法以及晶圆-CN201810990610.9有效
发明人：邹文;王春林;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种阻挡层的形成方法、三维集成器件的形成方法以及晶圆。所述阻挡层的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有金属层；在所述金属层上依次形成第1子阻挡层至第n‑1子阻挡层，形成所述第1子阻挡层至第n‑1子阻挡层时温度大于200℃，并在所述第1子阻挡层至第n‑1子阻挡层的每一层形成之后，对所述衬底进行散热处理；以及在所述第n‑1子阻挡层上形成第n子阻挡层，所述第1子阻挡层至第n子阻挡层共同构成阻挡层；其中，n≥2，且，n为整数。本发明可降低在晶圆互连时互连线断开的风险，进一步的，采用了上述方法形成的阻挡层的晶圆进行键合以形成三维集成器件时，可以降低晶圆互连时互连线断开的风险。
阻挡形成方法三维集成器件以及

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制备方法-CN202310201458.2有效
发明人：张冠群;仇圣棻 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第一阻挡层，设置于第二电极上；中间连接层，设置于第一阻挡层上；第二阻挡层，设置于连接层上；第一阻挡层用于阻挡连接层和第二阻挡层中的金属向第二电极扩散，第二阻挡层用作刻蚀阻挡层，中间连接层用于降低第一阻挡层和第二阻挡层之间的接触电阻。本发明不但能够提升电阻式随机存取存储器的热稳定性，而且避免了阻挡层金属在顶电极材料中的扩散，另外还能较大程度降低接触电阻。
电阻随机存取存储器及其制备方法

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN202111654571.3在审
发明人：练文东;曹蔚然;李金川 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及其制造方法，显示面板包括：基板；有机发光器件层，位于基板的一侧；第一无机阻挡层，位于有机发光器件层远离基板的一侧；第二无机阻挡层，位于第一无机阻挡层远离有机发光器件层的一侧，第一无机阻挡层的氢含量小于第二无机阻挡层的氢含量；有机绝缘层，位于第二无机阻挡层远离第一无机阻挡层的一侧；以及第三无机阻挡层，位于有机绝缘层远离第二无机阻挡层的一侧。本申请通过第一无机阻挡层的氢含量小于第二无机阻挡层中的氢含量，以改善封装层中的游离氢对氧化铟镓锌有源层的影响。
显示面板及其制造方法

[发明专利]半导体结构制造方法-CN201910910273.2有效
发明人：晁呈芳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构制造方法，包括：提供基底，基底上具有多个分立的导电层；在基底上形成覆盖导电层顶部以及侧壁的前驱物层；对前驱物层进行预氧化处理，使高于导电层顶部的前驱物层转化为第一阻挡层；之后，在含氧氛围下对位于第一阻挡层下方的前驱物层进行退火处理，前驱物层内产生气体，以形成具有多个气孔的隔离层。本发明实施例中，通过形成第一阻挡层，在退火处理过程中，含氧气体经第一阻挡层渗入前驱物层，且第一阻挡层能阻碍前驱物层氧化产生的气体排出，使前驱物层转化为气孔密度更高以及气孔体积更大的多孔隔离层，减小隔离层材料的介电常数，从而降低半导体结构的互连延迟效应，提高信号传送速度。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种闸极结构及其制备方法-CN202211720201.X在审
发明人：魏久雲;陈蒋军;张路滋;曾成 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种闸极结构及其制备方法，该闸极结构的制备方法包括以下步骤：提供一包括衬底、栅极沟槽、界面层、层间介质层及介电层的半导体结构；依次形成位于栅极沟槽内壁及介电层上表面的底部阻挡层及覆盖底部阻挡层显露表面的功函数调整层；形成覆盖功函数调整层显露表面且包括层叠的第一阻挡层及第二阻挡层的顶部阻挡层，且形成第一阻挡层后，向工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层；形成覆盖顶部阻挡层显露表面的粘附层；形成填充栅极沟槽的栅极金属层本发明通过于第一阻挡层之后，向形成第一阻挡层的工艺腔中通入含氧气体以形成第二阻挡层，提升了顶部阻挡层阻挡栅极金属层扩散的能力，提升了器件的良率，且方法简单，成本低。
一种结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201910671212.5在审
发明人：金埈宽;朴在花;安商燻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一金属间电介质(IMD)层可形成在衬底上，第一IMD层可包括介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。第一阻挡层和第二阻挡层可减少或防止气体排出，从而半导体装置可具有良好特性。
阻挡层介电常数金属布线金属间电介质半导体装置低k材料氮化物氧化硅氧化物衬底排出穿过

[发明专利]一种声表面波谐振器及其制作方法-CN202110918720.6在审
发明人：宋崇希;姚艳龙;邱鲁岩;王放 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种声表面波谐振器及其制作方法，该声表面波谐振器包括：压电层；第一金属膜层，第一金属膜层位于压电层的一侧，其中，第一金属膜层包括叉指式换能器和信号传输器，信号传输器与叉指式换能器连接；第一温度补偿膜层，第一温度补偿膜层位于叉指式换能器的远离压电层的一侧，第一温度补偿膜层覆盖叉指式换能器，且第一温度补偿膜层不覆盖信号传输器；阻挡层，阻挡层位于第一温度补偿膜层远离压电层的一侧，阻挡层覆盖第一温度补偿膜层，且阻挡层不覆盖信号传输器。
一种表面波谐振器及其制作方法