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[实用新型]显示面板和包括显示面板的电子装置-CN202221742118.8有效
发明人：吴相训;郑震九;韩锐祗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示面板可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上；光阻挡层，设置在阻挡层上并且具有限定透射区的第一开口；至少一个下绝缘层，设置在光阻挡层与阻挡层之间并且具有与第一开口重叠的第二开口；多个像素电路，设置在光阻挡层上；多个发光元件，分别电连接到多个像素电路；以及封装层，覆盖多个发光元件，其中，阻挡层包括从阻挡层的上表面凹陷并且与第二开口重叠的凹槽。
显示面板包括电子装置

[发明专利]一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法-CN202210436841.1在审
发明人：张瑜洁;何佳;李佳帅;张长沙 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成JBS的沟槽型SiC晶体管的制造方法，包括在碳化硅衬底上形成漂移层，在漂移层上形成阻挡层，对阻挡层蚀刻、离子注入，以形成掩蔽层；在漂移层上重新形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层蚀刻形成栅极区；氧化栅极区、蚀刻，形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上淀积栅极；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积肖特基金属层；在肖特基金属层上淀积与源区同浓度SiC材料；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成源区离子注入去，注入形成源区；在源区上形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积形成栅极金属层，除去阻挡层；在碳化硅衬底上淀积形成漏极金属层，在不损耗耐压特性的基础上降低了体二极管导通损耗。
一种集成 jbs 沟槽 sic 晶体管制造方法

[发明专利]铝焊垫制造方法以及集成电路制造方法-CN201210169778.6无效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：铝焊垫制造方法包括：阻挡层及保护层形成步骤，用于在基板上形成刻蚀阻挡层和钝化保护层；刻蚀步骤，用于对刻蚀阻挡层和钝化保护层进行刻蚀以形成铝垫开口；铝阻挡层形成步骤，用于在刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的侧壁和底部以及刻蚀阻挡层和钝化保护层上形成铝阻挡层；铝金属层形成步骤，用于在铝阻挡层形成步骤之后的结构上布置一个铝层，其中铝填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口；铝去除步骤，用于去除铝阻挡层上的铝层以及铝垫开口中的部分铝；铝再次沉积步骤，用于在铝去除步骤之后的结构上重新布置铝层，其中利用铝层重新填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的空白空间。
铝焊垫制造方法以及集成电路

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极及其制备方法-CN201810934638.0在审
发明人：彭寿;夏申江;车兆华;黄海青;王伟健;张道清;周建民;徐根保;陈颉 -专利权人：蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极，包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层；杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金属导电层为Cu或Cu合金；硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层，单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼，复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成；采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备；在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层，杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散；硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层的稳定性。
金属导电层阻挡层杂质阻挡层背电极衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池复合阻挡层铜钼合金氮化钼氧化钼制备铜铟镓硒薄膜硅氮氧化物扩散磁控溅射光吸收层硅氮化物硅氧化物依次层叠结构层铜合金硒元素沉积引入

[发明专利]一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法-CN202011191645.X在审
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、阶梯型电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层。沿量子阱有源层到p型AlGaN空穴注入层的方向上，阶梯型电子阻挡层依次包括第一AlGaN阻挡层、GaN阻挡层和第二AlGaN阻挡层，第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于量子阱有源层中势垒的Al组分含量百分数，且第二AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于或等于第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数。本发明通过引入阶梯型电子阻挡层结构，提升了电子阻挡层的等效势垒高度，缓解了电子溢流效应，从而提高了深紫外LED的发光效率。
一种具有阶梯电子阻挡结构深紫 led 制备方法

[发明专利]膜及其制备方法-CN201911292648.X在审
发明人：林小锋 -专利权人：苏州普希环保科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C08J7/048 文献下载
摘要：膜包括：基底层，其中所述基底层的至少一个表面上包括一个或多个第一阻挡层；以及，设置于至少一个阻挡层表面的第二阻挡层。由于该膜的基底层的至少一个表面上包括一个或多个第一阻挡层，并且该膜还包括设置于至少一个第一阻挡层表面的第二阻挡层，通过这种第一阻挡层叠加第二阻挡层的方式，即使第一阻挡层中出现孔隙、针孔、裂缝等，也可以通过第二阻挡层来进行密封
及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202010841218.5在审
发明人：松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件(1)具备：活性层，其发出紫外光；p型AlGaN系的电子阻挡层叠体，其位于活性层上，包含从活性层侧依次层叠第1电子阻挡层、第2电子阻挡层以及第3电子阻挡层而成的结构；以及p型接触层，其位于电子阻挡层叠体上，第2电子阻挡层的Al组分比小于第1电子阻挡层的Al组分比，第3电子阻挡层的Al组分比从第2电子阻挡层侧朝向p型接触层侧减小。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]一种超低K互连结构及其制造方法-CN200710301315.X有效
发明人：李秋德 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提出了一种超低K互连结构及其制造方法，该超低K互连结构至少包括第一金属层，覆盖第一金属层的第一阻挡层，第一阻挡层上方的第一低K介质层，第一低K介质层上方的中间阻挡层，中间阻挡层上方的蚀刻终止层，蚀刻终止层上方的上层阻挡层，一个或多个沟道贯通上述第一阻挡层、第一低K介质层、中间阻挡层、蚀刻终止层和部分上层阻挡层，上述沟道内填充有导电材料，一个或多个通孔贯通上述第一低K介质层、中间阻挡层和蚀刻终止层，上述通孔的侧壁涂覆有一层侧壁阻挡层本发明在填充导电材料的沟道周围形成保护用的覆盖阻挡层，使得在使用低K材料的同时有效阻止铜的扩散。
一种互连结构及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561771.3在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括：阴极层以及设在阴极层上的阻挡层，所述阻挡层由依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层组成；其中：所述第一、第二有机阻挡层的材质均为氮氧硅化合物膜，所述氮氧硅化合物的化学式为SiOxNy，所述第一无机阻挡层的材质为由硼化物和氮化物组成的混合物，所述第二无机阻挡层的材质为由氮化物和碳化物组成的混合物本发明由于采用交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层，致密性高，防水氧能力强，而本发明的制备方法具有原料廉价、工艺简单以及易于大面积制备等特点。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561800.6在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括：阴极层以及设在阴极层上的阻挡层，所述阻挡层由依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层组成；其中：所述第一、第二有机阻挡层的材质均为氮氧硅化合物膜，所述氮氧硅化合物的化学式为SiOxNy，所述第一无机阻挡层的材质为由氧化物和碳化物组成的混合物，所述第二无机阻挡层的材质为由碳化物和硫化物组成的混合物本发明由于采用交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层，致密性高，防水氧能力强，而本发明的制备方法具有原料廉价、工艺简单以及易于大面积制备等特点。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561737.6在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括：阴极层以及设在阴极层上的阻挡层，所述阻挡层由依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层组成；其中：所述第一、第二有机阻挡层的材质均为氮氧硅化合物膜，所述氮氧硅化合物的化学式为SiOxNy，所述第一无机阻挡层的材质为由硅化物和氮化物组成的混合物，所述第二无机阻挡层的材质为由硅化物和氧化物组成的混合物本发明由于采用交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层，致密性高，防水氧能力强，而本发明的制备方法具有原料廉价、工艺简单以及易于大面积制备等特点。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202110527824.4在审
发明人：于业笑;刘忠明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底内具有间隔设置的多个沟槽；在每个沟槽内形成初始阻挡层；去除部分初始阻挡层形成第一中间阻挡层；去除部分第一中间阻挡层形成阻挡层，沿垂直于所述基底的方向，所述阻挡层的宽度处处相等。本发明通过使得第一中间阻挡层的顶面为微凸型，这样继续刻蚀第一中间阻挡层，得到的阻挡层的顶面为平面，与相关技术中，阻挡层的顶面为凹字形的技术方案相比，阻挡层不会包裹住导电层，降低了导电层处的功函数，降低了栅诱导漏极泄漏电流风险
半导体结构制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310109532.4无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及合金，所述第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，所述第二无机阻挡层的材料包括氮化物及碳化物
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310110251.0无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，第一无机阻挡层的材料包括氮化物、硼化物及硒化物，第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，第二无机阻挡层的材料包括氮化物及硒化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310110254.4无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括第一有机阻挡层、形成于所述第一有机阻挡层表面的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层表面的第二有机阻挡层及形成于所述第二有机阻挡层表面的第二无机阻挡层，第一有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，第一无机阻挡层的材料包括金属氧化物、碳化物及硫化物，第二有机阻挡层的材料包括空穴传输材料及电子传输材料，第二无机阻挡层的材料包括硫化物及碳化物。
有机电致发光器件及其制备方法