专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]传感装置及其像素结构-CN201210575365.8有效
  • 吕慧歆;郭宗德;陈廷轩 - 财团法人工业技术研究院
  • 2012-12-26 - 2014-06-18 - A61B6/03
  • 一种传感装置及其像素结构,该传感装置,包括第一光电转换、第二光电转换阻挡、第一电子元件及第二电子元件。第一光电转换将X射线的第一部分能量转换为第一电信号。第二光电转换将X射线的第二部分能量转换为第二电信号阻挡配置于第一光电转换与第二光电转换之间,以将X射线中部分范围的射线滤除。第一电子元件配置于第一光电转换阻挡之间,以致能第一光电转换,且接收第一电信号。第二电子元件配置于第二光电转换阻挡之间,以致能第二光电转换,且接收第二电信号
  • 传感装置及其像素结构
  • [发明专利]摄像装置-CN202080006672.7在审
  • 山田翔太;广濑裕 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2020-02-20 - 2021-07-23 - H01L51/42
  • 有关本发明的一技术方案的摄像装置具备:光电变换部,包括第1电极、第2电极、将入射光变换为信号电荷的光电变换阻挡;以及电荷积蓄区域,与第2电极连接,用于积蓄信号电荷。对于极性与信号电荷相反的电荷从上述第2电极向光电变换的移动的、阻挡的能量势垒是1.8eV以上;对于上述电荷从光电变换向第2电极的移动的、阻挡的能量势垒是1.6eV以下。
  • 摄像装置
  • [发明专利]太阳能电池及其阻挡-CN201811012497.3在审
  • 刘宇;王雪戈 - 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
  • 2018-08-31 - 2019-01-11 - H01L31/0216
  • 本申请提供一种太阳能电池的阻挡,包括第一阻挡、第二阻挡以及第三阻挡。第一阻挡覆盖于太阳能电池的衬底的表面。第二阻挡包括铬、钛或氮化钛中的至少一种,覆盖于第一阻挡远离衬底的表面。第三阻挡包括第二钼化合物,覆盖于第二阻挡,第二阻挡设置于第一阻挡和第三阻挡之间。阻挡位于太阳能电池的衬底和太阳能电池的背电极之间。通过第一阻挡、第二阻挡以及第三阻挡可以形成多个界面,从而有效阻挡衬底中的杂质的扩散。第二阻挡通过采用铬、钛或氮化钛,还可以减小电阻。在第一阻挡和第三阻挡使用第一钼化合物和第二钼化合物,可以增加阻挡效果,同时可以提升与衬底和背电极的结合力。
  • 阻挡层太阳能电池衬底钼化合物背电极氮化钛覆盖阻挡结合力电阻减小扩散申请
  • [发明专利]固态成像装置-CN200710108833.X无效
  • 中柴康隆 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2007-05-31 - 2007-12-05 - H01L27/146
  • 一种固态成像装置,包括半导体衬底、光电探测器元件以及阻挡。固态成像装置在背表面上接收光,对入射在半导体衬底的背表面上的光进行光电转换,从而获得待成像物体的图像。光电探测器元件接收由光电转换产生的信号电荷。在具有光电探测器元件的半导体衬底的区域和背表面之间,具有阻挡阻挡抑制信号电荷的扩散。
  • 固态成像装置
  • [发明专利]具有调制掺杂电子阻挡结构的深紫外LED及制备方法-CN202111463623.9在审
  • 张骏;陈云;张毅;岳金顺 - 苏州紫灿科技有限公司
  • 2021-12-02 - 2022-03-18 - H01L33/14
  • 本发明公开了一种具有调制掺杂电子阻挡结构的深紫外LED及其制备方法,该具有调制掺杂电子阻挡结构的深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征、n型AlGaN电子注入、量子阱有源、调制掺杂电子阻挡和p型AlGaN空穴注入,调制掺杂电子阻挡包括交替排布的若干第一阻挡和第二阻挡;第一阻挡和第二阻挡均含Mg掺杂,且第一阻挡的Mg掺杂浓度大于第二阻挡的Mg掺杂浓度;或者第一阻挡和第二阻挡均不含Mg掺杂,在第一阻挡与第二阻挡的界面处进行Mg掺杂。本发明通过对电子阻挡进行调制掺杂,提高了Mg掺杂效率,有效防止Mg向有源区扩散,提高了深紫外LED的发光效率。
  • 具有调制掺杂电子阻挡结构深紫led制备方法

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