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[实用新型]一种VDMOS的器件终端结构-CN201821323157.8有效
发明人：姚磊 -专利权人：无锡光磊电子科技有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种VDMOS的器件终端结构，包括由下到上依次设有的重掺衬底、轻掺磷外延层、轻掺硼层、重掺硼层和二氧化硅层，重掺硼层设有至少一个深槽，所述深槽依次贯穿重掺硼层和轻掺硼层，所述深槽内填充有低介电常数绝缘介质作为p+环，所述低介电常数绝缘介质为二氧化硅。
掺硼深槽低介电常数绝缘介质终端结构本实用新型二氧化硅层二氧化硅击穿电压平面型外延层掺磷衬底填充终端贯穿

[发明专利]一种低掺硼应力棒及其制备方法和应用-CN202010784101.8在审
发明人：田俊;柯一礼;罗文勇;杜城;张涛;余远 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;锐光信通科技有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备研磨型保偏光纤的低掺硼应力棒及其制备方法和应用，通过设计合理的波导结构和控制掺杂工艺制备出应力均匀的低掺硼应力棒，以解决最后拉丝的研磨型光纤研磨易裂的问题，先采用PCVD工艺在石英衬管的内壁上沉积硼掺杂浓度均匀的硼掺杂区，形成沉积预制件；将所得沉积预制件熔缩成实心的低掺硼应力棒。该低掺硼应力棒匹配常规保偏芯棒后，在高温熔融状态下拉丝得到的研磨光纤不易裂，同时，该方法具有工艺路线简单，制备周期短、批次一致性好的优点。
一种低掺硼应力及其制备方法应用

[发明专利]一种高效低光衰掺镓PERC电池及其制备方法-CN202010355633.X在审
发明人：李娟;曾超;林纲正 -专利权人：广东爱旭科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开一种高效低光衰掺镓PERC电池及其制备方法，高效低光衰掺镓PERC电池包括从下至上依次设置的背电极、背电场、背面钝化膜、掺镓基底硅、N型发射极、正面减反射膜和正面电极，所述背电场通过开设在背面钝化膜上的开槽与掺镓基底硅接触，所述背电场的材质为掺硼铝。本发明的背电场的材质为掺硼铝，由于掺镓片具有低光衰的特点，而背电场掺硼能够降低表面复合、提高载流子浓度，从而提升光电转化效率。因此，本发明可以降低光致衰减，同时提高光电转化效率。而且，本发明工艺简单，与现有PERC工艺完全兼容，无需增加额外工序，生产成本低，适于广泛推广和使用。
一种高效低光衰掺镓 perc 电池及其制备方法

[发明专利]一种掺硼金刚石电极及其制备方法和应用-CN201810192850.4在审
发明人：唐永炳;谷继腾;杨扬;李子豪;张文军 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺硼金刚石电极，包括硼掺杂金刚石层和层叠设置在所述硼掺杂金刚石层上的金掺杂类金刚石薄膜层。本发明所述掺硼金刚石电极结构稳定，具有高电催化活性和低电阻能耗。本发明还提供了一种掺硼金刚石电极的制备方法和应用。
掺硼金刚石电极制备方法和应用硼掺杂金刚石类金刚石薄膜层高电催化活性层叠设置结构稳定低电阻金掺杂能耗

[实用新型]一种高效低光衰掺镓双面PERC电池-CN202020688102.8有效
发明人：李娟;曾超;林纲正 -专利权人：广东爱旭科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效低光衰掺镓双面PERC电池，包括从下至上依次设置的背电极、铝栅、背面钝化膜、掺镓基底硅、N型发射极、正面减反射膜和正面电极，所述铝栅通过开设在背面钝化膜上的开槽与掺镓基底硅接触，所述铝栅的材质为掺硼铝。本实用新型的铝栅的材质为掺硼铝，由于掺镓片具有低光衰的特点，通过铝栅掺硼能够降低表面复合、提高载流子浓度，从而提升光电转化效率。因此，本实用新型可以降低光致衰减，同时提高光电转化效率。而且，本实用新型工艺简单，与现有双面PERC工艺完全兼容，无需增加额外工序，生产成本低，适于广泛推广和使用。
一种高效低光衰掺镓双面 perc 电池

[实用新型]一种高效低光衰掺镓PERC电池-CN202020696022.7有效
发明人：李娟;曾超;林纲正 -专利权人：广东爱旭科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效低光衰掺镓PERC电池，包括从下至上依次设置的背电极、背电场、背面钝化膜、掺镓基底硅、N型发射极、正面减反射膜和正面电极，所述背电场通过开设在背面钝化膜上的开槽与掺镓基底硅接触，所述背电场的材质为掺硼铝。本实用新型的背电场的材质为掺硼铝，由于掺镓片具有低光衰的特点，而背电场掺硼能够降低表面复合、提高载流子浓度，从而提升光电转化效率。因此，本实用新型可以降低光致衰减，同时提高光电转化效率。而且，本实用新型工艺简单，与现有PERC工艺完全兼容，无需增加额外工序，生产成本低，适于广泛推广和使用。
一种高效低光衰掺镓 perc 电池

[发明专利]薄膜电极及制备方法-CN201910967162.5有效
发明人：唐永炳;王陶;徐阳;黄磊 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：该制备方法，包括如下步骤：提供柔性基体，将所述柔性基体置于纳米金刚石悬浊液中，进行吸附处理，得到表面吸附有单层纳米金刚石颗粒的柔性基体；对所述柔性基体表面吸附的单层纳米金刚石颗粒进行硼掺杂处理，得到第一掺硼金刚石薄膜；在所述第一掺硼金刚石薄膜上生长多孔片状硼掺杂金刚石薄膜，形成第二掺硼金刚石薄膜，得到薄膜电极；其中，所述第一掺硼金刚石薄膜和所述第二掺硼金刚石薄膜组成所述薄膜电极。该制备方法可以大面积制备高比表面积的双层多孔掺硼金刚石的薄膜电极，工艺简单，成本低，适用工业化大批量生产。
薄膜电极制备方法

[发明专利]一种表面具有纳米锥尖结构的自支撑掺硼金刚石膜及其制备方法-CN202111250868.3在审
发明人：张静;于翔;赵志岩;裴敬轩;张志强 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面包括纳米锥尖结构的自支撑掺硼金刚石膜及其制备方法，自支撑掺硼金刚石膜厚度为450‑550μm，表面分布有垂直于自支撑掺硼金刚石膜表面的纳米锥尖结构，所述纳米锥尖的长度为200‑500nm，相邻纳米锥尖之间的间距为10‑200nm，本发明是以金属钼为基底，使用热丝化学气相沉积设备沉积得到自支撑掺硼金刚石膜；随后，使用氧离子反应离子刻蚀技术对自支撑掺硼金刚石膜进行刻蚀得到表面具有纳米锥尖结构的自支撑掺硼金刚石膜本发明中，自支撑掺硼金刚石膜与纳米锥尖结合的方式来极大地提高了掺硼金刚石膜的电化学导电性能，同时本发明的制备方法新颖、简单有效、成本低，具有广泛的市场应用前景。
一种表面具有纳米结构支撑金刚石及其制备方法

[发明专利]一种高比表面积金纳米颗粒修饰掺硼金刚石电极及其制备方法和应用-CN202310266615.8在审
发明人：史丹;黄楠;刘鲁生;翟朝峰;杨兵;宋昊哲;姜辛 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比表面积金纳米颗粒修饰掺硼金刚石电极及其制备方法和应用，属于金刚石电极技术领域。该电极制备步骤：(1)采用热丝化学气相沉积法制备掺硼金刚石薄膜；(2)采用反应离子刻蚀法，对掺硼金刚石薄膜进行反应氧等离子体刻蚀，得到具有纳米草形貌的纳米掺硼金刚石薄膜；(3)采用电子束蒸发技术，在纳米掺硼金刚石薄膜表面沉积一层金薄膜；(4)在氩气保护气氛下，对复合薄膜进行退火处理，制成高比表面积金纳米颗粒修饰掺硼金刚石电极。所述方法通过反应离子刻蚀和金纳米颗粒修饰两种手段解决了传统掺硼金刚石电极比表面积低、电化学活性位点不足的问题，可显著提升电极的电化学传感性能。
一种表面积纳米颗粒修饰金刚石电极及其制备方法应用

[实用新型]一种掺硼金刚石电极-CN201820323056.4有效
发明人：唐永炳;谷继腾;杨扬;李子豪;张文军 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掺硼金刚石电极，包括硼掺杂金刚石层和层叠设置在所述硼掺杂金刚石层上的金掺杂类金刚石薄膜层。本实用新型所述掺硼金刚石电极结构稳定，具有高电催化活性和低电阻能耗；具有较长的使用寿命，应用前景广泛。
掺硼金刚石电极硼掺杂金刚石本实用新型类金刚石薄膜层高电催化活性层叠设置结构稳定使用寿命低电阻金掺杂能耗应用

[发明专利]硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法-CN201310249116.4无效
发明人：黄新明;张兆玉;明亮;顾海泉;钟根香 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼-镓共掺高效多晶硅，含有浓度为1×1014～2×1016cm-3的硼或磷，以及浓度为1×1016～2×1018cm-3的金属镓，所述硼-镓共掺高效多晶硅的光致衰减率低于0.5%。还公开了上述硼-镓共掺高效多晶硅制备方法，该硼-镓共掺高效多晶硅，其电池转换效率高，而光致衰减率低于业内普通多晶硅电池片的光致衰减率。该制备方法工艺简便、易操作、成本低、可规模化生产。可用于制造高效率的薄片太阳能电池，由于硅晶体中硼-镓共掺的作用，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减，在光照下具有很好的稳定性，是高效率太阳能电池的理想材料。
镓共掺高效多晶及其制备方法

[发明专利]一种高效选择性掺杂电池及其制备方法-CN202211087529.2在审
发明人：张三洋;陶俊;邵玉林 -专利权人：无锡琨圣智能装备股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效选择性掺杂电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，所述选择性掺杂电池由下至上分别包括n型硅片、掺硼非晶硅层、AL2O3本发明通过PECVD沉积技术得到掺硼非晶硅/多晶硅薄膜层，再进行退火激活的方式可以得到均匀的掺硼的低表面浓度浅结，有更好的蓝光响应和更低的表面复合，可进一步提升开压和短流；通过PECVD沉积掺硼非晶硅表面无BSG层，激光照射非晶/多晶掺硼薄层，实现选择性硼重掺杂，从而形成发射极SE结构，硼重掺杂区域可以和银浆形成更低接触电阻更好欧姆接触的电极接触。
一种高效选择性掺杂电池及其制备方法

[发明专利]消除重掺硼小角晶界的方法-CN202111658533.5在审
发明人：魏兴彤;徐慶晧;王忠保;芮阳;马成 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种消除重掺硼小角晶界的方法，所属重掺硼单晶硅加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：确认发生小角晶界不良的背景与原理。第二步：重掺硼单晶硅制备时，采用掺杂浓度小于9.05×1019cm3。第三步：接着提高单晶硅的电阻，减少硅原子被硼原子替代，同时降低拉速，使得界面变成凸界面。第四步：在温度的控制上，增大等径时的加热器功率，并去除热屏夹层，降低晶体的生长速度，延长应力释放时间。具有质量稳定性好、加工难度小和报废率低的特点。解决了产生重掺硼小角晶界的问题。
消除重掺硼小角方法

[实用新型]一种高EAS的VDMOS器件-CN201821173408.9有效
发明人：唐红祥 -专利权人：无锡光磊电子科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括重掺衬底，形成于所述重掺衬底上的轻掺磷外延层，所述轻掺磷外延层为左右两侧凹陷的横截面为“凸”型的结构，所述轻掺磷外延层凹陷的部分上设有轻掺硼层，所述轻掺硼层上设有凹槽，所述轻掺硼层前后两段上凹槽内均设有源层和重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的前半段凹槽上设有重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的后半段所对的本实用新型所述的器件的部分作为击穿区域，所述轻掺磷外延层凸起部分上设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内设有多晶层，所述二氧化硅层外设有覆盖轻掺硼层两侧凹陷的金属层。
掺硼外延层掺磷二氧化硅层凹陷本实用新型衬底雪崩能量左右两侧多晶层后半段金属层上凹槽击穿两段凸起源层覆盖

[发明专利]一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法-CN201510492138.2在审
发明人：刘依依;葛文星;付少永;熊震 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓硼锗共掺单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02×10¹⁵-1.02×10¹⁷atoms/cm³，硼元素1×10¹⁵-1×10¹⁷atoms/cm³，锗元素同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺单晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺单晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了电池片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺单晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。
一种镓锗硼共掺单晶硅及其制备方法

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