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[发明专利]金属栅极上介质层刻蚀方法-CN202111319340.7在审
发明人：谢学良 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属栅极上介质层刻蚀方法。所述金属栅极上介质层刻蚀方法包括依次进行的以下步骤：提供形成有金属栅的半导体器件；使得所述金属栅的表层氧化，形成金属氧化物阻挡层，所述金属氧化物阻挡层填充位于所述金属栅表面的凹陷刮痕；在所述半导体器件上制作介质层，所述介质层至少覆盖在所述金属氧化物阻挡层上；通过光阻层定义出刻蚀图案，依照所述刻蚀图案，以所述金属氧化物阻挡层为刻蚀停止层，对所述介质层刻蚀。申请提供了的金属栅极上介质层刻蚀方法，可以解决相关技术中因金属栅极的表层中的凹陷刮痕，而导致金属栅极上介质层在刻蚀过程中使用的酸性溶液侵蚀金属栅极的问题。
金属栅极介质刻蚀方法

[发明专利]在高温金属层上形成介质层的方法-CN95101413.7在审
发明人：詹姆斯·A·塞勒斯 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1995-01-20 - 公布日： 1996-02-07 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：提供一种在高温金属层14上形成介质层的方法。通过用非氧化光致抗蚀剂去除剂处理高温金属层14而没有光致抗蚀剂硬化步骤，在高温金属层14与接下来形成在高温金属层14上的介质层16间的粘附被大大地改善。在高温环境介质层16将粘附到高温金属层14上。这个方法适于半导体集成电路的多层金属化及埋层结构。
高温金属形成介质方法

[发明专利]在电介质层上形成孔的方法-CN200810112513.6有效
发明人：孙武;王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种在电介质层上形成孔的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有电介质层，电介质层上具有图形化的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第一次等离子刻蚀，在所述电介质层上形成小于目标深度的孔；以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第二次等离子刻蚀，在电介质层上形成达到目标深度的孔。分别进行两次等离子刻蚀在电解质层上形成孔，可以同时避免孔在结构上粗下细的锥形化和孔结构中段粗而两端细的膛削，从而形成结构均匀、侧壁竖直的接触孔。
电介质形成方法

[发明专利]抛光衬底上形成的介质层的装置-CN95120467.X无效
发明人：卢载遇 -专利权人：大宇电子株式会社
申请日： 1995-12-08 - 公布日： 2001-10-31 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种用来抛光半导体衬底顶面上沉积的介质层的装置，包括一工作台，一半导体衬底，一挂架，一导管，一管嘴，和一具备一底座、一电源、一空腔和一热延伸材料的驱动总成。
抛光衬底形成介质装置

[发明专利]一种基于分级倾斜微圆柱结构的电容式柔性触觉传感器-CN202111211504.4在审
发明人：郭小辉;洪炜强;吴俊杰;王伊凡;宣文瀚;毛善安;段章领;杨利霞;许耀华;屈磊 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种基于分级倾斜微圆柱结构的电容式柔性触觉传感器，包括上电极层、下电极层和介质层；介质层由上介质层和下介质层组成，上介质层、下介质层上下对称分布；上、下介质层和包括上、下介质层基底、上、下介质层长微圆柱和上、下介质层短微圆柱，上、下介质层基底与上、下电极层下侧/上侧紧密粘合，上、下介质层长微圆柱和上、下介质层短微圆柱交错、等距分布于上、下介质层基底的底部/顶部；上介质层长微圆柱和下介质层长微圆柱之间紧密粘合，上介质层短微圆柱和下介质层短微圆柱之间存在距离。本发明结构稳固，克服粘滞效应，介质层更易产生弯曲变形，拥有更高的灵敏度、更短的响应/恢复时间、更低的滞后性、更好的稳定性。
一种基于分级倾斜圆柱结构电容柔性触觉传感器

[发明专利]一种平面螺旋电磁线圈-CN201610177166.X在审
发明人：戴圣洋;梁凤飞;沈玮栋 -专利权人：江苏苏净集团有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：平面螺旋电磁线圈为层状结构，其包括衬底、介质层、石墨烯层、磁芯和绝缘层，介质层生长在衬底上，介质层包括覆盖在衬底上的底介质层和形成在底介质层上的上介质层，磁芯设置在底介质层上表面上，上介质层呈螺旋线形环绕磁芯向外延伸扩展，石墨烯层沿上介质层的延伸轨迹叠置在上介质层上，上介质层与石墨烯层构成螺旋形的线圈，线圈的内端部和外端部分别与一金属电极固定连接，绝缘层覆盖在底介质层上并将磁芯、线圈以及金属电极埋在其内部，金属电极立在底介质层上，金属电极的上端部露出在绝缘层的上表面。采用石墨烯层与上介质层组成线圈结构，使得平面螺旋电磁线圈体积小、磁感应强度高。
一种平面螺旋电磁线圈

[发明专利]金属前介质层及其制造方法-CN201010573303.4有效
发明人：李敏;徐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种金属前介质层，包括介质层、位于介质层上的保护层，还包括位于介质层和保护层之间的过渡层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。一种金属前介质层的制造方法，提供衬底；在衬底上形成介质层；在介质层上形成过渡层；在过渡层上形成保护层，所述过渡层与介质层、保护层之间附着力大于介质层和保护层之间的附着力。所述过渡层的性质与介质层的性质接近，使层间附着力较大，从而提高了金属前介质层的质量。
金属介质及其制造方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201210553292.2有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述互连结构的制造方法，包括在基底上形成多孔介质层；在所述多孔介质层上形成硬掩模；所述形成多孔介质层的步骤包括在基底上形成第一多孔介质层；在第一多孔介质层上形成第二多孔介质层，所述第二多孔介质层的孔径与所述第一多孔介质层的孔径不同所述互连结构，包括基底；位于所述基底上的多孔介质层；所述多孔介质层包括位于基底上的第一多孔介质层；位于所述第一多孔介质层上的第二多孔介质层。本发明提高了互连结构的机械强度。
互连结构及其制造方法

[发明专利]一种基于C型交错结构的电容式柔性触觉传感器-CN202211280361.7在审
发明人：郭小辉;洪炜强;邵爽;唐国鹏;王浩 -专利权人：蚌埠市正园电子科技股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明涉及触觉传感技术的技术领域，特别是涉及一种基于C型交错结构的电容式柔性触觉传感器，其能够提高灵敏度、扩大线性传感范围，避免大压力作用下出现传感器失效的情况；包括上电极层、介质层和下电极层，介质层位于上电极层和下电极层之间，所述介质层包括介质层上基底，介质层上基底顶端与上电极层底端紧密粘合，介质层下基底底端与下电极层顶端紧密粘合，多组介质层上基条和多组介质层下基条，多组介质层上基条顶端均与介质层上基底底端紧密粘合，多组介质层下基条底端均与介质层下基底顶端紧密粘合，多组C型结构顶端分别与多组介质层上基条底端紧密粘合，多组C型结构底端分别与多组介质层下基条顶端紧密粘合。
一种基于交错结构电容柔性触觉传感器

[实用新型]镜面反射镀膜玻璃-CN201920098647.0有效
发明人：董清世;王洪波;高延峰;金泉;闫长虹;于海波 -专利权人：信义玻璃（营口）有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型属于玻璃技术领域，尤其涉及一种镜面反射镀膜玻璃，包括玻璃基片和反射膜，反射膜包括第一电介质层、第二电介质层、第一金属吸收层、颜色调节层、第二金属吸收层、第三电介质层和第四电介质层，第一电介质层设于玻璃基片上，第二电介质层设于第一电介质层上，第一金属吸收层设于第二电介质层上，颜色调节层设于第一金属吸收层上，第二金属吸收层设于颜色调节层上，第三电介质层设于第二金属吸收层上，第四电介质层设于第三电介质层上，通过调节第一电介质层、第二电介质层、第一金属吸收层、颜色调节层、第二金属吸收层、第三电介质层和第四电介质层之间的厚度，从而可以获得颜色深浅不同的镜面反射镀膜玻璃，以满足客户不同的需求。
电介质层金属吸收层颜色调节层镀膜玻璃镜面反射玻璃基片反射膜玻璃技术领域本实用新型颜色深浅客户

[实用新型]一种平面螺旋电磁线圈-CN201620238410.4有效
发明人：戴圣洋;梁凤飞;沈玮栋 -专利权人：江苏苏净集团有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：平面螺旋电磁线圈为层状结构，其包括衬底、介质层、石墨烯层、磁芯和绝缘层，介质层生长在衬底上，介质层包括覆盖在衬底上的底介质层和形成在底介质层上的上介质层，磁芯设置在底介质层上表面上，上介质层呈螺旋线形环绕磁芯向外延伸扩展，石墨烯层沿上介质层的延伸轨迹叠置在上介质层上，上介质层与石墨烯层构成螺旋形的线圈，线圈的内端部和外端部分别与一金属电极固定连接，绝缘层覆盖在底介质层上并将磁芯、线圈以及金属电极埋在其内部，金属电极立在底介质层上，金属电极的上端部露出在绝缘层的上表面。采用石墨烯层与上介质层组成线圈结构，使得平面螺旋电磁线圈体积小、磁感应强度高。
一种平面螺旋电磁线圈

[发明专利]半导体装置-CN202211048423.1在审
发明人：全寅铎;林汉镇;丁炯硕;崔在亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：半导体装置包括下电极、下电极上的下电介质层、下电介质层上的上电极、形成在下电介质层与上电极之间的上电介质层、以及形成在下电介质层与上电介质层之间的插入电极膜，其中，上电介质层包括氧化钛。
半导体装置

[发明专利]一种FCOB存储器件的制造方法及其电容器-CN202010871391.X有效
发明人：华文宇;陶谦;刘藩东;夏季 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一介质层，在第一介质层形成导电柱，在第一介质层上形成第二介质层，在第二介质层形成导电互连和金属位线，在第二介质层上形成第三介质层，在第三介质层形成电容器接触盘，在第三介质层上形成第四介质层，在第四介质层形成铁电电容器，在第四介质层上形成第五介质层，在第五介质层形成于电容器上电极连接的金属板线。
一种 fcob 存储器件制造方法及其电容器

[发明专利]台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层-CN202010248415.6在审
发明人：来豪杰;陈瑜;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层，方法包括：在衬底上形成氧化层；在氧化层上形成至少两层介质层，对于至少两层介质层中的任一相邻的两层介质层，上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率；在至少两层介质层最上层的介质层上形成硬掩模层；对目标区域的硬掩模层进行去除；通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除；去除剩余的硬掩模层。本申请通过在衬底上形成氧化层后，在氧化层上方依次形成至少两层介质层，通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除，从而形成台阶栅氧化层，由于至少两层介质层中任一相邻的两层介质层中上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率
台阶氧化制备方法

[发明专利]具有包括蚀刻停止/场控制层的多层栅极电介质层的功率半导体装置及形成此装置的方法-CN202180048427.7在审
发明人： D·J·里克腾沃纳 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：包含碳化硅的半导体层结构；在半导体层结构上的栅极电介质层，该栅极电介质层包括在半导体层结构上的基部栅极电介质层和与半导体层结构相对地在基部栅极电介质层上的盖帽栅极电介质层；以及与半导体层结构相对地在栅极电介质层上的栅极电极盖帽栅极电介质层的介电常数高于基部栅极电介质层的介电常数。
具有包括蚀刻停止控制多层栅极电介质功率半导体装置形成方法

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