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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]斑点检测套件、斑点检测方法和转移片-CN201280032952.0有效
发明人：蓑田稔治;池田勇 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01N30/92 文献下载
摘要：通过以下方法精确检测TLC板上的斑点的位置：使用具有分离介质层（其具有特定光学响应性）的TLC板，并还使用具有特定孔隙率的转移片（该转移片要覆盖在该分离介质层上以使分离介质层上的斑点转移到其上），并将样品中的目标物质展开至TLC板的分离介质层中；在至少该目标物质已经展开的位置处将该转移片覆盖在分离介质层上；用转移溶剂润湿被覆盖的分离介质层和转移片；从覆盖在分离介质层上的转移片一侧使该转移溶剂挥发以将分离介质层上的斑点转移至转移片
斑点检测套件方法转移

[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法-CN202210012721.9有效
发明人：张志敏;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构，包括下电极、介质层、界面层以及上电极；介质层形成于下电极上；上电极形成于介质层上；界面层形成于介质层与上电极之间，和/或，界面层形成于介质层与下电极之间；其中，下电极包括互连金属层及金属阻挡层，金属阻挡层位于互连金属层与介质层之间，金属阻挡层的厚度大于400埃，界面层的粗糙度小于金属阻挡层面向介质层的表面的粗糙度，界面层的介电常数大于介质层的介电常数。本发明中，通过增厚下电极中的金属阻挡层的厚度，及增设界面层覆盖金属阻挡层和/或介质层的上表面，用以光滑下电极的表面，从而提高其击穿电压，并利用第二介电常数大于第一介电常数，以提高其电容值。
金属绝缘体电容器结构形成方法

[发明专利]金属栅功函数的调节方法及MOSFET的制备方法-CN201910107631.6有效
发明人：张韫韬;罗军;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该调节方法包括以下步骤：S1，提供表面具有第一栅介质层和第二栅介质层的衬底，第一栅介质层和第二栅介质层位于衬底的不同区域上；S2，分别在第一栅介质层和第二栅介质层上沿远离衬底的方向顺序形成TaN层和TiN层，然后去除位于第一栅介质层上的TiN层，第一栅介质层上的TaN层具有远离的衬底的第一表面，第二栅介质层上的TiN层具有远离的衬底的第二表面；S3，分别在第一表面和第二表面上形成TiAl层后去除各TiAl层。
金属函数调节方法 mosfet 制备

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210365223.9有效
发明人：韩秋华;李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、位于栅介质层上的伪栅极、位于伪栅极上的掩模层，在栅介质层、伪栅极、掩模层周围的半导体衬底上形成有侧墙，其中，伪栅极包括位于栅介质层上的多晶硅层、位于多晶硅层上扩散阻挡层，扩散阻挡层用于阻挡后续离子注入的离子向多晶硅层扩散；以掩模层和侧墙为掩模，对半导体衬底进行离子注入，形成源区、漏区；在半导体衬底上形成层间介质层，层间介质层与伪栅极持平；去除伪栅极多晶硅层中未掺杂离子，湿法刻蚀多晶硅层过程刻蚀速率较快，对层间介质层损失少。这样整体提高了生产效率，最终得到的晶体管性能较佳。
晶体管形成方法

[实用新型]一种场效应晶体管-CN201922329332.5有效
发明人：张凯;沈文;董卓;许毅 -专利权人：江苏盖姆纳米材料科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：包括衬底、导电沟道、源电极、漏电极、三氧化二铝栅介质层和栅电极，所述衬底上设有介质层，所述导电沟道设于介质层上，所述源电极和漏电极分别位于导电沟道的两侧，源电极、漏电极和裸露的导电沟道表面覆盖一层种子层，所述栅介质层设于种子层上，所述栅电极设于栅介质层上。所述介质层为二氧化硅介质层。本申请在器件表面采用ALD沉积高K介质Al2O3作为顶栅介质层，不仅简化了工艺步骤，减小了工艺对二维材料导电沟道的损伤；而且在不改变顶栅介质层功能的同时减小了栅介质层的厚度，提高了器件性能。
一种场效应晶体管

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211485788.0在审
发明人：张磊;柴亚玲;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该半导体器件，包括：衬底；外延层，设置在衬底上；第一钝化介质层，设置在外延层上；第二钝化介质层，设置在外延层上且与第一钝化介质层并排设置，第一钝化介质层、第二钝化介质层和外延层之间被配置为用于容纳金属电极的第一凹陷区；金属电极，设置外延层上且在第一凹陷区内，金属电极的上表面与第一钝化介质层和第二钝化介质层的上表面平齐。该半导体器件的钝化介质层的弯折很小，分散了弯曲带来的剪切应力，从而有效降低了半导体器件在升温降温过程中开裂的概率，保障了半导体器件的质量，同时有效防止了钝化介质层开裂所导致的封装材料对芯片湿气保护能力丧失的问题
半导体器件及其制备方法

[发明专利]用于在双镶嵌结构中蚀刻电介质阻挡层的方法-CN201480073342.4有效
发明人：任河;C-L·高;S·S·康;J·T·彭德;S·D·耐马尼;M·B·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。
用于镶嵌结构蚀刻电介质阻挡方法

[发明专利]场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管-CN202310401649.3在审
发明人：阳平 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例涉及场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管；其中，制备方法包括：在衬底上形成第一栅极介质层；形成覆盖在第一栅极介质层的上表面的预设区域上的牺牲层，第一栅极介质层上还包括未被牺牲层覆盖的上表面区域；在第一栅极介质层上的未被牺牲层覆盖的上表面区域上以及牺牲层上形成第二栅极介质层；执行平坦化工艺，直至暴露出牺牲层；去除牺牲层；在第一栅极介质层的上表面的预设区域上以及第二栅极介质层上形成栅极；在衬底内形成LDD区；其中，第二栅极介质层位于栅极和至少部分LDD区之间；如此，既实现了器件的正常工作，保证了低导通电阻，又提高了器件的开关频率与耐压；工艺难度小，对器件电性能调整的灵活度高。
场效应晶体管制备方法

[发明专利]基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN202210260818.1在审
发明人：伊晓燕;徐思远;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管，包括：衬底；绝缘介质层，设置在所述衬底上；至少一根氧化镓纳米线，作为导电沟道，设置在所述绝缘介质层上；金属层，设置在所述绝缘介质层上；栅极介质层，设置在所述至少一根氧化镓纳米线上；以及栅极金属层，设置在所述栅极介质层上。
基于氧化纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法-CN200610057731.5有效
发明人：饭田贵久;矢野睦;木本卫;小林泰三;野野上宽 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：本发明提供一种固体电解电容器，其具有：由阀作用金属或以阀作用金属为主要成分的合金构成的阳极；上述阳极被阳极氧化而形成的电介质层；和在上述电介质层上形成的阴极，上述电介质层具有位于阳极侧的第一电介质层和在该第一电介质层上形成的第二电介质层，该第二电介质层中的氧浓度从第一电介质层侧向阴极侧减少。
固体电解电容器及其制造方法

[发明专利]一种基于介质集成悬置线的过渡结构及集成模块-CN202110414082.4有效
发明人：牟首先;韩琳;张子健 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介质集成悬置线的过渡结构，每层介质层正反两面都设有金属层；第一层介质层上设有用于放置芯片的第一孔；第二层介质层上设有第二孔；第三层介质层上设有用于在K波段进行宽带传输的过渡结构，过渡结构由介质集成悬置线到带状线到接地共面波导的三段传输线结构构成；第四层介质层上设有连接第三层介质层外围偏置电路的导线；第五层介质层为介质集成悬置线的盖板；本发明的有益效果为实现了在K波段内宽带传输的过渡结构，有利于介质集成悬置线与其他平面传输线电路的互连和K波段介质集成悬置线相关电路的测试连接
一种基于介质集成悬置过渡结构模块

[发明专利]端面耦合器及其制造方法-CN202011525590.1在审
发明人：李博文;冯俊波;朱继光;曹国威 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一衬底上的绝缘层以及绝缘层上的半导体层；对半导体层进行图案化以形成第一波导；在绝缘层上形成第一介质层；在第一介质层和第一波导上形成第二介质层；在第二介质层上形成第二波导；形成覆盖第二波导的第三介质层；在第三介质层远离第二波导的一侧，将第三介质层键合至载体衬底；去除第一衬底；以及在绝缘层的表面上形成第四介质层。
端面耦合器及其制造方法

[发明专利]绿色基片、等离子显示面板及等离子显示面板的制造方法-CN200610071501.4无效
发明人：金济奭 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：该制造等离子显示面板的方法包括：在基片上层叠包括介质层和电极图案的绿色基片，以及焙烧该基片。该等离子显示面板包括：基片，在基片上形成的黑色层，在黑色层上形成的电极，以及在电极、黑色层和基片的上表面上形成的介质层。并且，在电极上的介质层、黑色层上的介质层以及基片的上表面上的介质层之中在高度上存在差异。该绿色基片包括：介质层，以及在该介质层形成的导电层。
绿色等离子显示面板制造方法

[发明专利]一种沟槽分离栅器件的制造方法-CN202110343647.4有效
发明人：乔明;钟涛;方冬;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽分离栅器件的制造方法，包括如下步骤：(1)刻蚀半导体衬底形成沟槽；(2)于所述沟槽内形成分离栅介质层；分离栅介质层由至少一层介质层构成；(3)于所述沟槽内淀积多晶硅形成分离栅；(4)在所述分离栅上形成隔离介质层；隔离介质层处于分离栅和控制栅之间，隔离介质层由至少一层介质层构成；分离栅介质层和隔离介质层不能同时为一层介质层；(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅；本发明采用一种或多种材料形成分离栅介质层和/或隔离介质层，分离栅介质层和隔离介质层只需要一种采用多层结构，即可形成分离栅器件的倒U形控制栅，能够减小控制栅与分离栅的交叠，进一步减小器件的寄生栅源电容。
一种沟槽分离器件制造方法

[发明专利]用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法-CN201010236555.8有效
发明人：贾斯廷·布拉斯克;杰克·卡瓦莱厄斯;马克·多克茨;尤黛·沙赫;克里斯·巴恩斯;马修·梅茨;休曼·达塔;安娜丽莎·卡佩尔拉尼;罗伯特·赵 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上形成第一电介质层，然后在所述第一电介质层内形成沟槽。在衬底上形成第二电介质层之后，在所述第二电介质层的第一部分上的沟槽内形成第一金属层。然后在所述第一金属层上和在所述第二电介质层的第二部分上形成第二金属层。
用于制造具有栅极电介质金属电极半导体器件方法

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