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[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用-CN202011003961.X有效
发明人：王琦;徐际宇;刘昊;袁学光;柴昭尔;刘凯;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏
一种微管三维异质结器件结构及其制备方法应用

[发明专利]一种基于二维材料的纳米三维结构异质结、制备方法及其应用-CN201910997371.4在审
发明人：张希威;孟丹;苏意文 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料的纳米三维结构异质结、制备方法及其应用，所述的纳米三维结构异质结包括一层表面具有三维纳米结构的单晶硅片，单晶硅片之上的介电层，介电层之上的由两种二维材料组成的异质结。本发明主要由原子层沉积工艺制备，其保型性的特点可以使二维材料异质结完全覆盖具有三维纳米结构的衬底，形成非常大的异质结结区面积；此外，三维纳米结构的衬底可以有效的调控光吸收，使得入射光在三维纳米结构中经过多次反射，提高了吸光率，进而提高异质结的光电转换效率。
异质结三维纳米结构二维材料单晶硅片三维结构介电层衬底制备原子层沉积工艺光电转换效率多次反射保型性光吸收入射光吸光率结区调控应用

[发明专利]一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用-CN202310584432.0在审
发明人：谭海仁;林仁兴 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用，属于太阳能电池技术领域。本发明的三维异质结钙钛矿太阳能电池，其钙钛矿层由吸光层和钝化层复合得到，吸光层和钝化层形成II型异质结，所述吸光层由三维钙钛矿N制成，钝化层由三维钙钛矿Y制成。本发明通过设计在含有厚吸光层的钙钛矿薄膜上构筑三维/三维全钙钛矿II型异质结，有效地钝化钙钛矿表面的缺陷，减少了钙钛矿表面的非辐射复合损失，在提升开路电压和填充因子的同时不影响短路电流源密度，提升了单结和叠层电池的光电转化效率
一种三维异质结钙钛矿太阳能电池结构及其应用

[发明专利]一种局域二维-三维异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN202110666010.9有效
发明人：昂科科觉;李文辉;顾晓宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本发明提供一种局域二维‑三维异质结钙钛矿薄膜，所述局域二维‑三维异质结钙钛矿薄膜包括三维钙钛矿薄膜和二维钙钛矿纳米片的组合；所述二维钙钛矿纳米片嵌入所述三维钙钛矿薄膜表面晶界处，且不完全覆盖所述三维钙钛矿薄膜；所述局域二维‑三维异质结钙钛矿薄膜能够有效减少钙钛矿材料本身的缺陷密度，抑制非辐射复合，同时提高准费米能级的分裂，将其应用于太阳能电池时，可以提升电池的工作效率以及在高湿度条件下的长期稳定性，具有重要研究价值
一种局域二维三维异质结钙钛矿薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法-CN201710393507.1有效
发明人：张易军;刘明;任巍;叶作光;张乐 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用原子层沉积法制备鳍式三维多铁异质结的方法，利用微纳加工技术将铁电单晶基片加工成鳍式三维纳米结构，并利用原子层沉积的出色三维保形均匀性，以价格低廉的二茂铁和氧气作为铁和氧前驱体源，使用原子层沉积ALD设备在具有鳍式三维结构的铁电单晶基片上原位生长出100％均匀和保形的Fe3O4薄膜形成鳍式三维多铁异质结。将微纳加工技术和原子层沉积这样两种技术有机结合起来，突破了现有多铁异质结还停留在平面结构和宏观尺寸的局限，这对多铁异质结走向三维化，微型化的和与现有主流微电子器件的兼容具有重要意义。
一种采用原子沉积法制备鳍式三维多铁异质结方法

[发明专利]一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源-CN201910525464.7有效
发明人：徐新龙;姚泽瀚;张隆辉;黄媛媛;朱礼鹏;杜婉怡 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德瓦尔斯异质结的太赫兹辐射源，包括二维材料薄膜与三维半导体材料所构成的范德瓦尔斯异质结、泵浦光源和电极；本发明通过使用二维材料薄膜如石墨烯或过渡金属硫族化合物与三维半导体材料构建范德瓦尔斯异质结，以增强半导体材料中的太赫兹辐射；本发明通过构建范德瓦尔斯异质结，在偏压的作用下有效提高了三维半导体表界面的太赫兹波产生强度，在未来集成化、一体化的太赫兹系统中有广泛的应用前景。
一种基于瓦尔斯异质结赫兹辐射源

[发明专利]一种固相法制备硫化铜‑硫化锌异质结三维纳米结构的方法-CN201510497027.0有效
发明人：陈凤娟;贾殿赠;金学坤;刘岸杰 -专利权人：新疆大学
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01G3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种固相化学反应制备硫化铜‑硫化锌异质结三维纳米结构的方法，属于纳米材料制备领域。该方法是将金属锌盐、醋酸铜和硫代乙酰胺在室温条件下混合研磨反应，实现了硫化铜‑硫化锌异质结三维纳米结构的低热固相合成。本发明制备硫化铜‑硫化锌异质结三维纳米结构的低热固相化学法具有操作简单、不使用溶剂、高产率、成本低、合成工艺简单等特点；且本发明制备的硫化铜‑硫化锌异质结三维纳米结构具有大的比表面积和高的反应活性，将在光电器件
一种法制硫化铜硫化锌异质结三维纳米结构方法

[发明专利]一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN201711462615.6有效
发明人：张凯;朱广润;孔岑;周建军;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍片的两侧区域相邻的缓冲层的上方；所述GaN基三维鳍片的上方和两侧二次外延生长有p‑GaN/AlGaN/GaN异质结；所述栅极包裹在p‑GaN/AlGaN/GaN异质结的上方和两侧，形成三维栅结构；通过刻蚀方式去除栅极两侧区域的p‑GaN层而形成AlGaN/GaN异质结，所述源极和漏极分别设在AlGaN/GaN异质结的两端。
一种基于 gan 结构三维增强电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种三维石墨烯/Co-BPDC纳米片异质结的制备方法及其应用-CN202310503108.1在审
发明人：余东波;刘睿敏;王博莹;朱紫璇;刘燕楠;陈雪婷;雷凌;崔接武;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维石墨烯/Co‑BPDC纳米片异质结的制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：将二维片状氧化石墨烯和抗坏血酸的混合水溶液水浴加热，得到还原石墨烯溶液，再置于液氮中定向凝固，解冻后清洗得到柔性的三维石墨烯气凝胶；将六水合二氯化钴以及三维石墨烯气凝胶溶解于DMF溶液中，得到溶液D；将联苯二甲酸溶液滴入溶液D中，室温中进行反应，使Co‑BPDC生长于三维石墨烯的内部和表面，然后将产物进行离心、洗涤、干燥，得到三维石墨烯/Co‑BPDC纳米片异质结。三维石墨烯/Co‑BPDC纳米片异质结粉末可应用于高性能钠离子电池电极材料。本发明可以兼顾Co‑BPDC的高比容量和石墨烯良好的导电性和结构稳定性，提高电极材料储钠性能。
一种三维石墨 co bpdc 纳米片异质结制备方法及其应用

[发明专利]一种用ALD构建同心核壳三维纳米多铁异质结阵列的方法-CN201710631763.X有效
发明人：张易军;刘明;任巍;叶作光;王琛英;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用ALD构建同心核壳三维纳米多铁异质结阵列的方法，首先在导电玻璃上生长ZnO纳米线阵列，然后利用ZnO纳米线阵列作为模板，采用原子层沉积法ALD依次沉积铁电薄膜和磁性薄膜，在刻蚀掉ZnO纳米线阵列顶部的铁电薄膜和磁性薄膜后，在ZnO纳米线阵列的顶部溅射一层金属电极，即得到具有同心核壳结构的三维纳米多铁异质结阵列，解决了现有多铁异质结还停留在平面结构和无法实现微型化的技术难题，与现有主流的三维微电子器件工艺相兼容，操作简单，廉价且安全无毒、无污染、利于量，有效的技术路线和解决方案来实现多铁异质结从平面结构过渡到三维结构，实现了从宏观尺寸过渡到微观尺寸的瓶颈性突破。
一种 ald 构建同心三维纳米多铁异质结阵列方法

[发明专利]GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法-CN201711278188.6在审
发明人：赵杰;付凯;宋亮;郝荣晖;陈扶;于国浩;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述器件包括：隧道结构，其包括异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，且所述异质结内形成有二维电子气；帽层，其至少对隧道结构的局部区域形成三维包覆，并至少用以将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；源极、漏极，其分别设置在所述隧道结构两端；栅极，其对所述帽层的形成三维包覆。
异质结隧道结构帽层增强型HEMT器件二维电子气包覆三维厚度要求局部区域阈值电压沟道层势垒层下区域漏极源极耗尽制作掺杂

[发明专利]基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池-CN202110057340.8在审
发明人：蒋青松;杨潇;张宇林;季仁东 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池，包括透明导电衬底和依次层叠于该透明导电衬底上的空穴传输层、基于二氧化硅‑二氧化钛光子晶体异质结的三维钙钛矿吸光层、空穴阻挡层和金属电极与现有技术相比，本发明中基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池的慢光效应较强，对入射光的捕获效率较高，载流子的输运效率较高。
基于光子晶体异质结反式三维钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种二维范德华异质结及其应用-CN202010083606.1有效
发明人：罗洋辉;王聪;张岚;林呈琪;冯煜轩;方文霞;王佳莹;孙伯旺 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维范德华异质结及其应用，该二维范德华异质结由两种不同的超薄二维MOFs纳米片进行范德华杂化而成，其制备方法如下：1）合成三维MOFs前体材料；2）将三维MOFs前体材料分别在溶液中剥离，制备超薄二维MOFs纳米片；3）两种不同的超薄二维MOFs纳米片在溶液中1:1混合（mol/mol），搅拌、静置，去除沉淀，旋干即得到所述的二维范德华异质结。所述的二维范德华异质结制备简单，价格低廉，稳定性强，具有超强的空气水捕获能力，在无能耗空气水捕获装置、智能吸湿窗户和湿度检测器等方面具有广泛的应用前景。
一种二维范德华异质结及其应用

[发明专利]基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN201810095679.5有效
发明人：蒋青松;张宇林;季仁东;居永峰;杨潇;蒋邦明 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池的制备方法，制备出的太阳能电池包括透明导电衬底和依次层叠于该透明导电衬底上的空穴传输层、基于二氧化硅‑二氧化钛光子晶体异质结的三维钙钛矿吸光层与现有技术相比，本发明中基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池的慢光效应较强，对入射光的捕获效率较高，载流子的输运效率较高。
基于光子晶体异质结反式三维钙钛矿太阳能电池制备方法

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