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[发明专利]一种聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜的制备方法-CN201610454177.8在审
发明人：孔祥建;刘孝波;危仁波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C08L71/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜及其制备方法。聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜中纳米三氧化二铝含量为1～40wt％，制备方法为将纳米三氧化二铝由表面改性剂改性，得到表面改性纳米三氧化二铝；在溶液状态下，将聚芳醚腈与表面改性纳米三氧化二铝混合；混合后通过添加或蒸除溶剂的方法调节混合液浓度得到聚芳醚腈/纳米三氧化二铝流延液；将流延液过滤后在干净平整表面均匀流延成膜；挥发掉溶剂后获得专利所述聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜。所得聚芳醚腈/纳米三氧化二铝复合薄膜具有良好的导热、介电性能能，复合薄膜制备工艺简单、可靠，适于工业化大规模生产。
一种聚芳醚腈纳米氧化复合薄膜制备方法

[发明专利]晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构-CN201310590599.4在审
发明人：盛健;张淳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，它包括SiNx薄膜层、三氧化二铝薄膜层和生长在硅片衬底正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层，三氧化二铝薄膜层生长在二氧化硅薄膜层的外表面上，SiNx薄膜层生长在三氧化二铝薄膜层的外表面上
晶体太阳能电池薄膜钝化结构

[实用新型]晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构-CN201320741182.9有效
发明人：盛健;张淳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，它包括SiN_x薄膜层、三氧化二铝薄膜层和生长在硅片衬底正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层，三氧化二铝薄膜层生长在二氧化硅薄膜层的外表面上，SiN_x薄膜层生长在三氧化二铝薄膜层的外表面上。
晶体太阳能电池薄膜钝化结构

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管-CN201810077682.4在审
发明人：宁洪龙;卢宽宽;彭俊彪;姚日晖;胡诗犇;魏靖林;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。
氧化物薄膜晶体管三氧化二铝层铜合金层栅极绝缘层铜合金衬底沉积制备薄膜三氧化二铝薄膜薄膜晶体管电学稳定性栅极主体层电子器件源漏电极电阻率叠设源层

[发明专利]一种高导热性和低应变的光学多层膜-CN201010500680.5无效
发明人：张梅骄;陶占辉;艾曼灵;顾培夫 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2010-10-09 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高导热性和低应变的光学多层膜，它由混合薄膜和二氧化钛薄膜交替叠加组成，其中，混合薄膜为三氧化二铝和二氧化硅的混合物；三氧化二铝在混合薄膜中的重量百分含量为50～70％，优选重量百分含量为60％；混合薄膜中三氧化二铝和二氧化硅的纯度为99.9％以上。本发明光学多层膜以三氧化二铝和二氧化硅混合薄膜作为光学多层膜的低折射率材料，不仅可以显著降低光学多层膜使用时的温度，而且可以显著减小光学多层膜结累应力造成的应变，这种光学多层膜在高光能应用中具有重要的意义
一种导热性应变光学多层

[发明专利]一种三氧化二铝超薄膜钝化二氧化钛纳米棒阵列复合材料及其制备方法-CN201711390130.0在审
发明人：高娟;宋赛赛;李洋;王艳芬;吴宏伟;倪晋波;马建立;付志粉 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种三氧化二铝超薄膜钝化二氧化钛纳米棒阵列复合材料，该复合材料由厚度为5‑30nm的三氧化二铝薄膜均匀包覆直径为50‑80nm、长度为500‑800nm的二氧化钛纳米棒阵列组装而成本发明的有益效果是：1、本发明采用原子层沉积的方法在二氧化钛纳米棒阵列表面均匀包覆三氧化二铝薄膜，制备路线简单，而且制备过程精确可控。2、本发明中三氧化二铝薄膜用于钝化二氧化钛纳米棒阵列，三氧化二铝薄膜中负的固定电荷可以对二氧化钛纳米棒阵列表面进行场效应钝化，降低二氧化钛表面缺陷密度，降低电子在二氧化钛纳米棒阵列中传输发生电子‑空穴对复合的几率
二氧化钛纳米棒阵列三氧化二铝薄膜钝化复合材料三氧化二铝均匀包覆超薄膜制备二氧化钛表面空穴光催化材料原子层沉积固定电荷制备过程场效应可控组装复合传输

[发明专利]一种复合装饰板及其制备方法-CN201110124496.X无效
发明人：张非非 -专利权人：北京国林金鹊木业有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明提供的复合装饰板包括基材板、饰面层和表面层，表面层为三氧化二铝薄膜。与现有技术相比，本发明提供的复合装饰板具有如下优点：1)三氧化二铝薄膜与饰面层的结合强度高，不易剥落和脱离，具有很高的耐磨性，不怕锐器划伤；2)三氧化二铝薄膜具有良好的耐候性，不会发生黄变以及受潮脱离的现象；3)三氧化二铝薄膜表面光滑平整，不会出现油漆饰面的缺陷；4)三氧化二铝表面不含任何有毒的成分，没有异味。
一种复合装饰及其制备方法

[发明专利]一种抗原子氧性能优异的γ-三氧化二铝薄膜的制备方法-CN202110620478.4有效
发明人：李垚;李龙;豆书亮;赵九蓬;任飞飞;谷金鑫;魏航 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种抗原子氧性能优异的γ‑三氧化二铝薄膜的制备方法，它涉及三氧化二铝薄膜的制备方法。本发明要解决现有方法制备的γ‑Al2O3薄膜存在的致密性差，抗氧化性能不高，薄膜制备温度过高的问题。制备方法：一、将基体置于高能脉冲磁控溅射系统中，抽真空；二、Al靶进行预溅射；三、通入氩气及氧气，沉积。本发明用于抗原子氧性能优异的γ‑三氧化二铝薄膜的制备。
一种抗原性能优异氧化薄膜制备方法

[发明专利]图形化铁磁性二氧化铬薄膜的制备方法-CN201110252604.1无效
发明人：赵强;杨传仁;张继华;陈宏伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：图形化铁磁性二氧化铬薄膜的制备方法，涉及电子材料技术。本发明包括下述步骤：A、在单晶硅片表面制备一层致密的氧化硅膜；B、在被热氧化过的硅片表面制备一层三氧化二铝薄膜；C、采用光刻方法把三氧化二铝薄膜制备为图形化的薄膜；D、将表面覆盖图形化三氧化二铝薄膜的热氧化硅基片垂直地置于管式炉中央，基片所在处的温度控制在360～400℃，待基片温度稳定后，将三氧化铬蒸发源置入温度为240～280℃处，从蒸发源一侧通入氧气，氧气流量60～100毫升/分钟，二氧化铬薄膜生长时间为2～5小时。本发明所得二氧化铬薄膜具有很高的纯度。能够制备大面积任意图形化二氧化铬薄膜。
图形铁磁性氧化铬薄膜制备方法

[实用新型]一种触觉式电容屏板-CN201420172672.6有效
发明人：陈奇;沈励;许沭华;迟晓晖 -专利权人：芜湖长信科技股份有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种触觉式电容触摸屏板，包括从下至上依次设置的基板、触控传感线路和二氧化铪或者三氧化二铝薄膜，所述二氧化铪薄膜或者所述三氧化二铝薄膜的厚度为500～3000埃。本实用新型通过在基板的上表面形成触控传感线路，在触控传感线路上采用真空镀膜的方法形成纳米级二氧化铪或者三氧化二铝薄膜，由于二氧化铪或者三氧化二铝薄膜具有高宽带隙高介电常数，它形成的杂质能级能够单向通过一定的电子信号
一种触觉式电容

[发明专利]一种THB抗氧化金属化薄膜及其制作方法-CN202310360438.X在审
发明人：汤泽波;周峰;李俊;樊申松;程伟 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种THB抗氧化金属化薄膜，包括高分子聚合物基膜层，锌层，抗氧化油膜层，还包括极性官能团层，第一无定形三氧化二铝层，第二无定形三氧化二铝层，所述极性官能团层为高分子聚合物基膜层经过等离子体处理后，产生C‑O/C‑N，C＝O/N‑C＝O，O‑C＝O等极性官能团，所述第一无定形三氧化二铝层为真空蒸镀的金属铝结合极性官能团里的氧形成，所述第二无定形三氧化二铝层位于锌层的外侧，为金属铝结合外界空气中氧而形成，所述抗氧化油膜层位于最外层。本发明金属化薄膜外层抗氧化油膜层和致密的无定形三氧化二铝层存在，保护了内侧的锌层不转化成氧化锌，在金属化薄膜使用前长期保存不氧化。
一种 thb 氧化金属化薄膜及其制作方法

[发明专利]硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法-CN200810147886.7无效
发明人：张建国 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基缺陷掺杂发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种和二氧化硅混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系因欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。这种硅基缺陷掺杂发光薄膜材料可应用于硅基半导体照明。
缺陷掺杂发光薄膜材料制备方法

[发明专利]一种微通道板的三氧化二铝防离子反馈膜的制备方法-CN202010492071.3有效
发明人：赵银女;闫金良;闫慧龙 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种微通道板的三氧化二铝防离子反馈膜的制备方法，技术方案包括用室温镓基液态合金作为溶剂，将高纯铝粉加入室温镓基液态合金中形成室温含铝镓基液态合金，室温含铝镓基液态合金暴露在空气环境中在液态合金‑空气界面形成亚纳米三氧化二铝薄膜，用微通道板输入面接触三氧化二铝薄膜，在微通道板上制备高质量的亚纳米三氧化二铝防离子反馈膜。本发明具有方法简单、成本低和不需要薄膜沉积设备等优点。
一种通道氧化二铝防离子反馈制备方法

[实用新型]一种超硬魔镜光学玻璃面板-CN202022451646.5有效
发明人：沈江民 -专利权人：河南卓金光电科技股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超硬魔镜光学玻璃面板，包括电子浮法玻璃基片、玻璃基片空气面以及特殊功能膜系，所述电子浮法玻璃基片设置在所述玻璃基片空气面的一侧，所述特殊功能膜系设置在所述玻璃基片空气面的另一侧；该特殊功能膜系共分为十层，依次为第一层二氧化硅薄膜层、第二层三氧化二铌薄膜层、第三层三氧化二铌薄膜层、第四层二氧化硅薄膜层、第五层二氧化硅薄膜层、第六层三氧化二铌薄膜层、第七层三氧化二铌薄膜层、第八层二氧化硅薄膜层、第九层三氧化二铝薄膜层、第十层三氧化二铝薄膜层
一种魔镜光学玻璃面板

[发明专利]一种具有光学薄膜的偏振分束器-CN201610702815.3在审
发明人：李延凯;徐云明;章丽君;张蒙;何雷 -专利权人：浙江蓝特光学股份有限公司
申请日： 2016-08-21 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：一种具有光学薄膜的偏振分束器，其包括至少两块玻璃基体，以及光学薄膜。所述光学薄膜仅由五氧化三钛膜、氟化镁膜以及铝酸镧混合膜相互叠加而成。每一层所述五氧化三钛膜皆夹设在两层氟化镁膜，或两层铝酸镧混合膜、或一层氟化镁和一层铝酸镧混合膜之间。所述铝酸镧混合膜由三氧化二镧和三氧化二铝两种材料混合而成。所述二氧化镧和二氧化二铝的在所述铝酸镧混合膜各自所占的百分含量使所述铝酸镧混合膜的折射率为1.69。所述具有光学薄膜的偏振分束器的入射角设置在53度至63度之间，且入射光波长设置在400纳米至700纳米之间，且该具有光学薄膜的偏振分束器的出射光的P光透射率平均大于95％，S光的反射率平均小于2％的出射目标
一种具有光学薄膜偏振分束器

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