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[发明专利]一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法-CN202211072728.6在审
发明人：汪毅;马明;李蒋;崔传艺;宁德;李伟民 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法，所述钛同源半导体异质结光阳极包括导电基底以及生长在导电基底上的二氧化钛纳米棒阵列，所述二氧化钛纳米棒阵列上修饰有非金属掺杂相的二氧化钛纳米片，形成钛同源异质结，所述制备方法包括：在导电基底上生长二氧化钛纳米棒阵列；将二氧化钛纳米棒阵列高温退火处理；用非金属掺杂相的二氧化钛纳米片悬浊液对得到的二氧化钛纳米棒阵列进行表面修饰，使二氧化钛纳米棒阵列形成钛同源异质结，得到基于二氧化钛的纳米异质结；将基于二氧化钛的纳米异质结高温退火，获得钛同源半导体异质结光阳极。本发明提供的制备方法，通过构建异质结，解决了二氧化钛光阳极水分解能力低的问题。
一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法

[发明专利]一种二氧化钛/聚苯胺纳米复合结构及其制备方法-CN201510015671.X在审
发明人：易国斌;王欢;俎喜红;谭淼;张政 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛/聚苯胺纳米复合结构及其制备方法，所述的复合纳米结构以FTO导电玻璃为衬底，包括FTO上的一层二氧化钛纳米棒阵列和二氧化钛纳米棒阵列上面的一层聚苯胺纳米花；该二氧化钛/聚苯胺纳米复合结构的制备方法包括以下步骤：先采用一种水热法在FTO衬底上制备一层二氧化钛纳米棒阵列，再通过一种原位复合法在该二氧化钛纳米棒阵列上面制备一层聚苯胺纳米花；即制得二氧化钛/聚苯胺纳米复合结构；本发明所提供的制备方法简单，原料廉价易得成本低，合成工艺简单易实现，产品质量稳定；本发明所制备的二氧化钛/聚苯胺纳米复合结构是由二氧化钛纳米棒阵列和聚苯胺纳米花复合而成，该复合阵列形貌规整有序，重复性能好。
一种氧化苯胺纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种机械可调的超构表面结构彩色滤波器-CN201910183834.3在审
发明人：王继成;冯延;李可;刘禹 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明属于微纳光学器件技术领域，涉及一种机械可调的超构表面结构彩色滤波器，包括聚二甲基硅氧烷衬底和二氧化钛纳米棒周期阵列，二氧化钛纳米棒周期阵列包括二氧化钛纳米棒周期阵列A、二氧化钛纳米棒周期阵列B、二氧化钛纳米棒周期阵列C和二氧化钛纳米棒周期阵列D，四种二氧化钛纳米棒周期阵列分别单独固定在可拉伸的聚二甲基硅氧烷基底上表面。其中每一种阵列由相同的单元结构重复排列组成，每个单元结构包括一个二氧化钛纳米棒，其余空间均为空隙。
二氧化钛纳米棒周期阵列彩色滤波器表面结构单元结构可调的衬底聚二甲基硅氧烷基聚二甲基硅氧烷器件技术领域调谐彩色滤波单独固定机械调节晶格常数微纳光学重复排列上表面体积小拉伸束缚

[发明专利]一种表面具有二氧化钛纳米棒阵列的复合膜、及其制备方法和应用-CN201911267619.8在审
发明人：张蕾;史星星;唐娜 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面具有二氧化钛纳米棒阵列的复合膜，所述复合膜依次包括基膜、二氧化钛层和二氧化钛纳米棒阵列，所述二氧化钛纳米棒阵列由众多二氧化钛纳米棒组成，所述二氧化钛纳米棒的直径为10nm‑100nm，所述二氧化钛纳米棒的长度为100nm‑1μm。同时，长期运行过程后复合膜表面的二氧化钛纳米棒阵列不易脱落，不会造成二次污染，且复合膜表面没有细菌沉积。
一种表面具有氧化纳米阵列复合及其制备方法应用

[发明专利]一种石墨烯-二氧化钛纳米棒阵列复合材料及其制备方法和应用-CN201910858440.3在审
发明人：曾雄丰;王建省 -专利权人：华北理工大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明属于光催化剂技术领域，具体涉及一种石墨烯‑二氧化钛纳米棒阵列复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种石墨烯‑二氧化钛纳米棒阵列复合材料，包括石墨烯层和二氧化钛纳米棒阵列层，所述石墨烯层附着在二氧化钛纳米棒阵列层的单面，石墨烯与二氧化钛的质量比为1:1.5～3。实施例结果表明，本发明提供的石墨烯‑二氧化钛纳米棒阵列复合材料用于环丙沙星降解时，降解率达到85％以上。
二氧化钛纳米棒阵列石墨烯复合材料石墨烯层制备方法和应用二氧化钛光催化剂环丙沙星降解率质量比降解附着

[发明专利]一种二氧化钛光电极及其制备方法-CN201110103363.4有效
发明人：孙文涛;彭练矛;艾果 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明提供一种二氧化钛光电极及其制备方法，属于太阳能光电转换领域。该光电极包括导电基底和导电基底上排列的二氧化钛纳米棒(或纳米线)阵列，在二氧化钛纳米棒阵列中填充有二氧化钛纳米颗粒。本发明在二氧化钛纳米棒阵列的基础上利用简单的液相法构筑二氧化钛纳米颗粒次级结构，形成二氧化钛纳米棒-纳米颗粒复合结构薄膜，所制成的光电极具有比表面积大和电子传输性能高的优点，可以加强电极对敏化剂的吸附，提高电子在氧化钛电极中的传输速度，从而提高二氧化钛染料(或量子点)敏化太阳能电池的光电转化效率。
一种氧化电极及其制备方法

[发明专利]一种三氧化二铝超薄膜钝化二氧化钛纳米棒阵列复合材料及其制备方法-CN201711390130.0在审
发明人：高娟;宋赛赛;李洋;王艳芬;吴宏伟;倪晋波;马建立;付志粉 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料领域，具体涉及一种三氧化二铝超薄膜钝化二氧化钛纳米棒阵列复合材料，该复合材料由厚度为5‑30nm的三氧化二铝薄膜均匀包覆直径为50‑80nm、长度为500‑800nm的二氧化钛纳米棒阵列组装而成本发明的有益效果是：1、本发明采用原子层沉积的方法在二氧化钛纳米棒阵列表面均匀包覆三氧化二铝薄膜，制备路线简单，而且制备过程精确可控。2、本发明中三氧化二铝薄膜用于钝化二氧化钛纳米棒阵列，三氧化二铝薄膜中负的固定电荷可以对二氧化钛纳米棒阵列表面进行场效应钝化，降低二氧化钛表面缺陷密度，降低电子在二氧化钛纳米棒阵列中传输发生电子‑空穴对复合的几率
二氧化钛纳米棒阵列三氧化二铝薄膜钝化复合材料三氧化二铝均匀包覆超薄膜制备二氧化钛表面空穴光催化材料原子层沉积固定电荷制备过程场效应可控组装复合传输

[发明专利]一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法-CN201910319448.2有效
发明人：姜超;余延涛;王春齐;黄小忠;杜作娟 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C18/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求
二氧化钛纳米棒阵列掩模板诱导层掩膜板传感器基底引入制备二氧化钛纳米棒电子电路器件基底材料表面能源存储单元真空蒸镀工艺能源存储器水热反应釜选择性填充垂直生长电子电路二氧化钛基底图案水热反应四周密封图案规则诱导生长阵列结构电极搭接导电放入排布去除图案生长制作

[发明专利]一种二氧化钛基纳米棒阵列对电极及其制备方法和应用-CN201610413900.8在审
发明人：王育乔;王玮;李长盼;孟闻飞;廉佳宁;孙岳明 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种二氧化钛基纳米棒阵列对电极及其制备方法和应用，及其在染料敏化太阳能电池中的应用。该方法先采用水热法对二氧化钛纳米棒阵列进行碳包覆，即将含有二氧化钛纳米棒阵列的导电玻璃基底浸渍于葡萄糖水溶液中进行水热处理；再采用化学气相沉积法对碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列进行硫化处理，可得硫化纳米碳膜包覆二氧化钛纳米棒阵列对电极
一种氧化纳米阵列电极及其制备方法应用

[发明专利]钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极及其制备方法-CN201610935364.8有效
发明人：刘金平;李睿智 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极及其制备方法。一种钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极，其特征在于：所述电极由钛金属基底和钛金属基底上生长的四氧化三铁@二氧化钛复合纳米棒阵列构成，其中单根复合纳米棒的直径为85～115纳米，垂直、均匀、密集地分布在钛金属基底表面，呈现阵列形式，二氧化钛包覆在四氧化三铁的外表面。本发明提供的钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极的二氧化钛保护层能大幅提高电极的循环性能，有效抑制电解液中水电解的副反应，提高电极容量，使电化学性能大幅提高，特别是出众的循环性能；可用作水系混合超级电容器
基底氧化纳米阵列电极及其制备方法

[发明专利]二氧化钛纳米棒阵列嫁接RGD生物信号分子的方法-CN201110338972.8无效
发明人：翁文剑;刘洋;程逵;杜丕一;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： A61L27/50 文献下载
摘要：本发明公开的二氧化钛纳米棒阵列嫁接RGD生物信号分子的方法，其步骤包括：首先是通过利用硅烷偶联剂将二氧化钛纳米棒阵列和硅烷相连，末端用氨基修饰，接着再通过酰胺反应将RGD嫁接到二氧化钛纳米棒阵列的表面，最终形成RGD生物信号分子表面修饰的纳米棒阵列。本发明在二氧化钛纳米棒阵列上嫁接RGD生物信号分子，过程操作简单，所需仪器普遍，易于产业化，可应用于生物医学骨组织修复材料等领域。
氧化纳米阵列嫁接 rgd 生物信号分子方法

[发明专利]一种二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜及其应用-CN201310718449.7有效
发明人：张政军;谢拯 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了属于废水处理技术领域的一种二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜及其应用。该方法采用倾斜生长法在基底上沉积钛，得到分立性良好的纳米棒阵列薄膜，将这种钛薄膜在450℃空气条件下退火2小时得到二氧化钛纳米棒阵列薄膜，在二氧化钛纳米棒阵列上利用连续离子层吸附反应法沉积硫化镉纳米颗粒得到二氧化钛在二氧化钛/硫化镉复合薄膜上用原子层沉积法在薄膜上再沉积一层二氧化钛，这种二氧化钛/硫化镉/二氧化钛结构相比二氧化钛/硫化镉的可见光有机废水降解效率有明显提高。
一种氧化硫化复合薄膜及其应用

[实用新型]基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器-CN201620031129.3有效
发明人：韩雪;郭天超;郭天飞;高瑜;李聪;凌翠翠;韩治德 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型具体提供了一种基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器。首先利用溅射方法在n型硅基底上生长二氧化钛纳米点薄膜；然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列；最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本实用新型利用二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的放大效应制备的二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结紫外光探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对紫外光具有良好的检测性能
基于氧化纳米阵列硅异质结紫外光探测器

[发明专利]一种二氧化钛纳米棒阵列/银纳米复合材料的制备方法及其应用-CN201910573251.1在审
发明人：陈韶云;刘奔;胡成龙 -专利权人：江汉大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛纳米棒阵列/银纳米复合材料的制备方法及其应用，属于纳米材料领域。所述制备方法包括：将钛酸四丁酯溶解在盐酸溶液中，得到钛酸四丁酯的盐酸溶液；将基底放入钛酸四丁酯的盐酸溶液中，于140～160℃下水热反应3～10h，得到二氧化钛纳米棒阵列，基底为掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃；将二氧化钛纳米棒阵列放入银氨溶液中，室温静置4～6h，得到混合物；将聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液加入混合物中，于60～80℃下反应2～4h，得到二氧化钛纳米棒阵列/银纳米复合材料。该制备方法采用水热法和化学氧化法相结合，使得操作更加简单，反应温度低，使得该制备方法更节能。采用该制备方法得到的二氧化钛纳米棒阵列/银纳米复合材料具有良好的SERS活性。
二氧化钛纳米棒阵列制备银纳米复合材料钛酸四丁酯盐酸溶液放入基底聚乙烯吡咯烷酮纳米材料领域透明导电玻璃得到混合物化学氧化法二氧化锡室温静置乙醇溶液银氨溶液混合物热反应水热法掺杂溶解下水节能应用

[发明专利]医用金属植入体表面的磷酸钙/二氧化钛纳米棒阵列复合多孔涂层及其制备方法-CN201210328892.9有效
发明人：程逵;王田田;翁文剑;宋晨路;杜丕一;沈鸽;赵高凌;张溪文;徐刚;汪建勋;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： A61L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种医用金属植入体表面的磷酸钙/二氧化钛纳米棒阵列复合多孔涂层及其制备方法。该复合涂层是由沉积在医用金属表面的磷酸钙和二氧化钛纳米棒阵列复合成的多孔涂层，二氧化钛纳米棒的直径为25~50nm，平均高度为1000~2000nm，其顶端暴露于涂层表面，暴露长度为10~100nm。首先通过水热在医用金属基体表面生长二氧化钛纳米棒阵列，然后通过电化学沉积将磷酸钙沉积在二氧化钛纳米棒阵列中形成多孔结构并使纳米棒顶端暴露；对上述所得到的涂层进行热处理又可得到孔径尺度较大二氧化钛和磷酸钙多孔复合涂层
医用金属植入体表磷酸钙氧化纳米阵列复合多孔涂层及其制备方法

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