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[发明专利]一种消除穿通光刻针孔危害的可控硅结构及其生产方法-CN201010212163.8有效
发明人：耿开远;周健;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧，所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度；所述方法包括生长一层较厚的一次氧化层、一次光刻穿通环、二次氧化和二次光刻三个步骤。
一种消除光刻针孔危害可控硅结构及其生产方法

[实用新型]一种消除光刻针孔危害的可控硅结构-CN201020240832.8有效
发明人：耿开远;周健;朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧，所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度。
一种消除光刻针孔危害可控硅结构

[发明专利]一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片及制作方法-CN201610441090.7在审
发明人：关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片及制作方法，属于半导体器件制造领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤a1，一次氮化处理；步骤a2，刻蚀沟槽；步骤a3，二次氮化处理；步骤a4，一次去除氮化层；步骤a5，加深刻蚀沟槽；步骤a6，一次氧化处理；步骤a7，二次去除氮化层；步骤a8，二次氧化处理；步骤a9，一次多晶硅填充；步骤a10，去除外延层上表面的表面氧化层并构建肖特基界面。通过本厚底氧化层的沟槽式肖特基制作方法及肖特基芯片，同时兼顾了芯片的耐压能力以及正向压降，同时不会导致芯片整体体积增加。
一种氧化沟槽式肖特基芯片制作方法

[发明专利]栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法-CN202111424328.2在审
发明人：陈莉芬;周颖;谢朝军;刘宇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅间氧化层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有至少一沟槽，沟槽的底部形成有屏蔽栅结构；至少执行一次沉积蚀刻工艺循环以形成第一栅间氧化层，其中，一次沉积蚀刻工艺循环包括：执行一次沉积工艺以形成预定厚度的第一栅间氧化层材料；以及，执行一次湿法蚀刻工艺以去除一部分第一栅间氧化层材料；形成第二栅间氧化层，覆盖第一栅间氧化层并填充沟槽；以及，蚀刻以在沟槽中形成栅间氧化层。本发明中，通过形成第一栅间氧化层材料，再利用湿法蚀刻去除部分第一栅间氧化层材料，使得其收口打开并去除其表面膜层质量较差部分，提供所形成的膜层质量，从而解决栅间氧化层的表面凹凸不平的问题。
氧化形成方法屏蔽沟槽器件

[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法-CN202210482999.2在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法，其经过多次氧化、多次蚀、多次淀积，尤其是第一次沟槽的宽度要比第二次沟槽的宽度要宽；Spacer材料是Si3N4；两层多晶硅之间的氧化层，采用热氧化。本发明具有以下优点：1)第二次氧化时，在Spacer侧壁上几乎不会生长SiO2，所以第一次多晶硅刻蚀之后可以非常容易去除侧壁上的氧化层；2)第一次多晶硅刻蚀之后，采用热氧化的方法，可以非常方便生长厚的隔离氧化层(第三氧化层)，这样就很好地避免了之前两层多晶硅之间隔离氧化层太薄的问题。
一种屏蔽 mosfet sgt 制作方法

[发明专利]一种可膨胀石墨及其制备方法-CN202111224737.8有效
发明人：栾小贺;高洪国;李焱雄;赵凯明 -专利权人：青岛洛唯新材料有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01B32/225 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种可膨胀石墨及其制备方法，属于膨胀石墨的制备技术领域，方法包括：将原料石墨混合于第一插层剂，后加入第一氧化剂进行一次氧化插层，获得第一浆液；将所述第一浆液进行压滤洗涤，获得一次插层石墨；将所述一次插层石墨混合于所述第二插层剂，后加入第二氧化剂进行二次氧化插层，获得第二浆液；将所述第二浆液进行洗涤烘干，获得可膨胀石墨；通过两次氧化插层，有效的提高了可膨胀石墨的氧化程度，使得更多的插层剂插入到石墨间层中去
一种膨胀石墨及其制备方法

[发明专利]一种平、台结合双向二极管芯片及制作工艺-CN201110189645.0有效
发明人：王兴龙;邹红兵 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种平、台结合双向二极管芯片，由P型原始硅片加工而成，芯片的两面靠近两端处均设置有一次氧化层，芯片的两面还设置有磷扩散层，所述一次氧化层和所述磷扩散层上还设置有二次氧化层，二次氧化层与一次氧化层的重叠区域内开有台面槽，台面槽上设有氮化硅钝化层，芯片两面的表层还设置有镍层。本发明还公开了一种平、台结合双向二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：一次氧化、光刻、磷扩散、二次氧化、光刻台面槽、钝化、光刻引线孔、渡镍、切割得到独立芯片。
一种结合双向二极管芯片制作工艺

[发明专利]一种确定和调节饱和温度的方法-CN201310563970.8无效
发明人：王万利 -专利权人：王万利
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C10J3/00 文献下载
摘要：一种确定和调节饱和温度的方法，涉及煤气的生产方法，包括，氧化层循环位置高，降低饱和温度，氧化层循环位置下降，一次小于或等于氧化层长度；氧化层循环位置低，提高饱和温度，氧化层循环位置上升，一次小于或等于氧化层长度一次增加空气、氧气流量，或减少空气、氧气流量，氧化层循环位置变化，小于或等于氧化层长度。增加空气、氧气流量，或降低饱和温度，或减少空气、氧气流量，或提高饱和温度，氧化层循环位置变化，与氧化层循环同步。
一种确定调节饱和温度方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210398751.4在审
发明人：张振兴;奚裴;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有栅极结构，半导体衬底和栅极结构的表面依次具有第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；采用第一次干法刻蚀工艺刻蚀第二氧化硅层，在栅极结构两侧的氮化硅层表面形成氧化硅侧墙；第一次干法刻蚀工艺之后，采用第一次抽气将刻蚀腔内的气体排出刻蚀腔；第一次抽气之后，采用第二次干法刻蚀工艺刻蚀氮化硅层，在栅极结构两侧的第一氧化硅层表面形成氮化硅侧墙；第二次干法刻蚀工艺之后，采用第二次抽气将刻蚀腔内的气体排出刻蚀腔
半导体结构形成方法

[发明专利]一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法-CN202310540946.6有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法。本发明包括提供外延层；在所述外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着所述沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积一层第一次碳掺杂氧化硅；在沉积一层第一次碳掺杂氧化硅后的沟槽内沉积源极多晶硅；在沉积源极多晶硅后的沟槽内沉积第二次碳掺杂氧化硅；对所述氧化层、第一次碳掺杂氧化硅、第二次碳掺杂氧化硅进行刻蚀；生长一层闸极氧化层，沉积闸极多晶硅；光刻得到P‑井区和N+井区；沉积一层介电层。得到的金属氧化物半导体将下方源极多晶硅的周围及上方的介质层以碳掺杂氧化硅做为屏蔽，能够同时优化了输入端及输出端的开关损耗，而又不影响既有的电压电流特性。
一种屏蔽沟槽功率金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]一种高比电容电极箔的制备方法-CN202310337240.X有效
发明人：何桂丽;王贵州;王玉明;宋双喜;王建峰;黄耀;季雷雷;顾平平;李晖 -专利权人：南通海星电子股份有限公司;南通海一电子有限公司;宁夏海力电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01G9/048 文献下载
摘要：本发明涉及电极箔制造技术领域，尤其是一种高比电容电极箔的制备方法。高比电容电极箔依序由上置比电容提升功能层、腐蚀箔本体以及下置比电容提升功能层复合而成。上置比电容提升功能层呈现多层复合结构，且由一次二氧化钛膜、一次三氧化二铝层、二次二氧化钛膜逐层生长而成。下置比电容提升功能层呈现多层复合结构，且依序由三次二氧化钛膜、二次三氧化二铝层、四次二氧化钛膜逐层生长而成。一次二氧化钛膜、三次二氧化钛膜分别以腐蚀箔本体正面、背面作为生长基础。如此，一方面，可以有效地提升电极箔内的钛元素含量，且分布均匀性较好；另一方面，即便经历阳极氧化处理，钛元素含量亦不会大量散失，利于电极箔比电容的大幅度提升。
一种电容电极制备方法

[发明专利]可直接用于电化学沉积的有序多孔氧化铝模板及制备方法-CN201010135097.9无效
发明人：杨修春;邹骁;陆伟;刘艳;李晓宁;侯军伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种可直接用于电化学沉积的有序多孔氧化铝模板及制备方法，其阻挡层厚度为200-300nm，未被氧化的铝基体可直接作为电化学沉积电极，无须再进行去阻挡层和镀电极过程。其制备方法，包括：将铝箔进行退火以消除剪切铝箔过程所产生的应力；清洗退火后的铝箔去除其表面的污渍；去除铝箔上的自然氧化层；将铝箔电解抛光；将抛光后的铝箔进行一次阳极氧化；将一次氧化后的铝箔去除一次氧化膜；将去除一次氧化膜后的铝箔进行二次阳极氧化。本发明方法的模板制备成功率高，不易损坏；不仅简化了纳米线/有序多孔氧化铝复合材料的制备流程，还有利于该复合材料的性能研究。
直接用于电化学沉积有序多孔氧化铝模板制备方法

[发明专利]可直接用于电化学沉积的有序多孔氧化铝模板及制备方法-CN201010199916.6无效
发明人：杨修春;邹骁;陆伟;刘艳;李晓宁;侯军伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种可直接用于电化学沉积的有序多孔氧化铝模板及制备方法，其阻挡层厚度为100-300nm，未被氧化的铝基体可直接作为电化学沉积电极，无须再进行去阻挡层和镀电极过程。其制备方法，包括：将铝箔进行退火以消除剪切铝箔过程所产生的应力；清洗退火后的铝箔去除其表面的污渍；去除铝箔上的自然氧化层；将铝箔电解抛光；将抛光后的铝箔进行一次阳极氧化；将一次氧化后的铝箔去除一次氧化膜；将去除一次氧化膜后的铝箔进行二次阳极氧化。本发明方法的模板制备成功率高，不易损坏；不仅简化了纳米线/有序多孔氧化铝复合材料的制备流程，还有利于该复合材料的性能研究。
直接用于电化学沉积有序多孔氧化铝模板制备方法

[发明专利]一种晶圆及其制备方法-CN202311067864.0在审
发明人：谷海云;马乾志;张雨杭;姚祖英;魏启旺;张奇;罗朝阳;李志才;马坤;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆及其制备方法，制备方法包括：提供衬底硅层，进行第一次升温；对衬底硅层进行第一次热氧化，在衬底硅层表面形成第一氧化层；进行第二次升温；对衬底硅层进行第二次热氧化，在衬底硅层表面形成第二氧化层；进行第三次升温；对衬底硅层进行第三次热氧化，在衬底硅层表面形成第三氧化层；降温，得到晶圆。通过分阶段升温，对衬底硅层进行分步氧化，先形成的氧化层可以作为缓冲层，减少晶圆材料表面和内部受热不均匀导致的应力损伤，同时通过控制升降温速率，减少因内外受热不均匀带来的内部结构损伤，在生长较厚的氧化层情况下，实现最终氧化硅片的应力损伤达到最小的效果。
一种及其制备方法

[发明专利]一种调节和稳定蒸汽压力的方法-CN201310683179.0无效
发明人：王万利 -专利权人：王万利
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C10J3/02 文献下载
摘要：一种调节和稳定蒸汽压力的方法，涉及煤气的生产方法，包括：蒸汽压力上升，氧化层上升，一次氧化层上升距离小于或等于氧化层长度；蒸汽压力下降，氧化层下降，一次氧化层下降距离小于或等于氧化层长度。升高蒸气压力，氧化层上升，与氧化层循环同步。降低蒸气压力，氧化层下降，与氧化层循环同步。偏心炉栅气化剂分布不均匀。利用外排蒸气调节或稳定蒸汽压力。本发明优点，煤气温度低，氧化层温度高，渣含碳量低，节煤，降低劳动强度。
一种调节稳定蒸汽压力方法

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