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- [发明专利]带活化段、两次气化的生物质颗粒下吸式气炭炉-CN201710590400.6在审
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吴植仁
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吴植仁
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2017-07-13
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2017-12-15
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C10J3/48
- 一种带活化段、两次气化的生物质颗粒下吸式气炭炉，是由竖井式炉体，炉顶加料机构，炉底卸料机构组成，其特征在于在炉内设置上下一次和二次两个气化室，气化介质空气分别由一次空气进口和二次空气进口送入炉内，一次空气在一次气化室对物料进行预热、干燥、分解、氧化和还原反应，二次空气在二次气化室对物料进行分解、氧化和还原反应，在二次气化室下方设置活化段，用电能将料层加热到800～900℃，用蒸汽为活化剂。其有益效果气化剂空气分两次供给，在相同的气化当量条件下，不仅可以提高得炭率，还使适宜热解层加厚，从而可提高气化强度；一次气化产生的焦油，在内燃段被高温层裂解，减少出口热解产物中的焦油含量；设置活化段，不仅可以提高炭的品质
- 活化两次气化生物颗粒下吸式气炭炉
- [发明专利]2D存储器的浅槽隔离生成方法-CN202210945611.8在审
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吴红东
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至讯创新科技（无锡）有限公司
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2022-08-08
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2022-10-14
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H01L21/762
- 本发明提供了一种2D存储器的浅槽隔离生成方法，包括在硅衬底上形成隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层上形成存储单元区和外围电路区；生成有机介质层，以覆盖存储单元区、外围电路区和隧穿氧化层；刻蚀有机介质层，直至暴露外围电路区的隧穿氧化层，然后刻蚀隧穿氧化层和硅衬底；去除存储单元区的有机介质层，再次刻蚀隧穿氧化层和硅衬底，以形成存储单元区的第二浅槽隔离和外围电路区的第一浅槽隔离，第一次刻蚀时有机介质层能对存储单元区起到了保护作用，并为形成第一浅槽隔离做了基础，第二次刻蚀形成第一浅槽隔离和第二浅槽隔离，无需增加刻蚀量来形成所述第一浅槽隔离，保护了存储单元区，且仅需一次光刻，降低了成本。
- 存储器隔离生成方法
- [发明专利]一种双色阳极氧化的制作方法-CN202110036180.9在审
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郭稳;雍辉;肖勇
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深圳市富诚达科技有限公司
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2021-01-12
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2021-06-01
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C25D11/14
- 本发明公开了一种双色阳极氧化的制作方法，涉及金属加工技术领域，具体为一种双色阳极氧化的制作方法，包括以下步骤；S1、整体喷砂；首先将铝合金部件表面进行整体喷砂,S2、第一次阳极氧化；对整体喷砂后的铝合金部件为阳极置于电解质溶液中，利用电解作用进行第一次阳极氧化处理。该双色阳极氧化的制作方法，对双色阳极氧化时，通过整体喷砂、第一次阳极氧化、油墨整体喷涂遮蔽、镭雕去油墨层及阳极层、喷砂、第二次阳极氧化、退油墨的加工方法，流程简单，操作时更加便捷，无需高度的专业知识，生产成本低，加工效率高，尺寸公差精度高，多环境产生的污染避免了传统的双色阳极氧化的制作方法流程繁琐，成本高，对环境污染极大的问题。
- 一种阳极氧化制作方法
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