[发明专利]强电介质存储器件无效
| 申请号： | 97190242.9 | 申请日： | 1997-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1183166A | 公开（公告）日： | 1998-05-27 |
| 发明（设计）人： | 平野博茂 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/407;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明目的在于提供一种能进一步减小基准存储单元系统中基准电位偏差的强电介质存储器件。为实现上述目的,本发明的强电介质存储器件如图1所示,具有基准电位产生电路,其工作方式是从存储高电平数据的2个基准存储单元用强电介质电容器CD00、CD20,和从存储低电平数据的2个基准存储单元用强电介质电容器CD10和CD30分别读出电位,对这些电位取平均值,从而生成基准电位。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种强电介质存储器件，其特征在于，主体存储单元用强电介质电容器中存储非易失性数据，而且所述存储器件具有：实质上存储高电平数据的多个第一强电介质存储单元；实质上存储低电平数据的多个第二强电介质存储单元；对分别从所述第一及第二强电介质存储单元读出的电位进行平均的均值电路手段；用所述平均后的电位作为基准电位对存储在所述主体存储单元用强电介质电容器中的数据进行读出的读出手段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电子工业株式会社，未经松下电子工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97190242.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置-202210388806.7
- 王遥;肖蕊;陈蕾;文玉梅;李平 - 上海交通大学
- 2022-04-12 - 2023-10-27 - G11C11/22
- 一种基于巨磁阻抗效应的多铁存储器及无线收发装置，包括：铁电层、软磁薄膜层和金属层；在信息写入时，在铁电层通入直流电源作为写入端口，利用电场脉冲激励铁电层产生非易失电致伸缩效应并传递到软磁薄膜层，通过耦合软磁薄膜在电场调控下的非易失巨磁阻抗效应和铁电层自身由于铁电畴旋转所引起的非易失阻抗效应，实现信息写入；在信息读出时，通过将铁电层和金属层串联，并通入交流电源作为读出端口，读出的阻抗作为存储信息，实现信息读出。本发明一方面可以实现非易失性的多态存储器，从而在断电时仍能保持存储的信息，并显著提高存储密度；另一方面可以通过一对相同结构的多铁存储器实现存储信息的无线收发功能。
- 铁电存储器-202210373356.4
- 徐亮;卜思童;方亦陈;刘晓真;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2022-04-11 - 2023-10-24 - G11C11/22
- 本申请实施例提供了一种铁电存储器，该铁电存储器中的第一存储单元包括晶体管和多个电容，多个电容的第一极板与晶体管的漏极连接，多个电容的第二极板分别对应连接至多条板线，多个电容均为铁电薄膜电容；读写控制器，响应于接收到从多个电容中的第一电容读取数据，在第一时段控制晶体管导通、向第二位线和与晶体管连接的第一位线提供第一信号，向与第一电容连接的第一板线提供第二信号；在第二时段控制晶体管关断、向第一位线和第二位线提供第三信号，向第一板线提供第四信号；在第三时段控制晶体管导通；在第四时段控制放大器使能。该铁电存储器，可以在提高铁电存储器的存储密度的情况下、简化铁电存储器的数据读取的设计。
- 半导体存储装置以及方法-201910729765.1
- 松并绚也 - 铠侠股份有限公司
- 2019-08-08 - 2023-10-13 - G11C11/22
- 实施方式提供了一种半导体存储装置，其中能执行适当的读取操作并由此延长了寿命。根据一种实施方式，半导体存储装置包括第一配线、连接至第一配线的第一电阻变化元件、连接至第一电阻变化元件的第一非线性元件、和连接至第一非线性元件的第二配线。在第一电阻变化元件的读取操作中，将第一配线和第二配线之间的电压增加到第一电压，并且在第一配线和第二配线之间的电压增加到第一电压之后，将第一配线和第二配线之间的电压增加到大于第一电压的第二电压。
- 铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备-202210304392.5
- 李昊;贾秀峰;张敏;杨喜超;张恒;吕杭炳;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2022-03-26 - 2023-10-10 - G11C11/22
- 本申请提供了一种铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备，该控制器用于控制铁电存储阵列，铁电存储阵列包括阵列部署的多个铁电存储单元；控制器用于在向目标行中各所述存储单元连接的第一WL输入全选导通电平且向各所述存储单元连接的PL输入的传输电平小于0时，将第一数据写入目标行中各所述存储单元；控制器还用于在向目标行中各所述存储单元连接的WL输入片选导通电平时，向目标行中各所述存储单元连接的BL和PL输入传输电平，将第二数据写入目标存储单元。采用本申请，可在传输电平较低时向存储单元写入数据，并防止控制器向目标存储单元写入数据时对非目标存储单元存储的数据产生干扰，提高数据存储的存储密度。
- 半导体存储器装置-201810940108.7
- 东悠介;上牟田雄一;井野恒洋 - 铠侠股份有限公司
- 2018-08-17 - 2023-09-29 - G11C11/22
- 一种根据一个实施例的半导体存储器装置包含：存储器胞元，所述存储器胞元包含铁电膜；和控制所述存储器胞元的控制电路。另外，所述控制电路判断写入处理或擦除处理在所述存储器胞元上的执行次数是否已达到一定次数；并且如果执行次数已达到所述一定次数，则执行将第一极性的第一电压和与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加到所述铁电膜的电压施加处理。
- 用于存储器感测的电荷分离-201880082384.2
- U·迪温琴佐;R·穆泽托;F·贝代斯基 - 美光科技公司
- 2018-12-06 - 2023-09-26 - G11C11/22
- 本发明包含用于存储器感测的电荷分离的设备、方法及系统。一实施例包含：对存储器单元施加感测电压；及至少部分地基于对以下的比较来确定所述存储器单元的数据状态：在特定参考时间之前当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量与在所述特定参考时间之后当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量。
- 铁电存储器及其制造方法-202280004455.3
- 张恒;张禹;张敏;宋伟基;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2022-01-19 - 2023-09-22 - G11C11/22
- 本公开的实施例涉及铁电存储器及其制造方法。铁电存储器包括鳍形态的第一电极，第一电极沿着第一水平方向延伸。第二电极至少部分覆盖第一电极的第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁。铁电层位于第一电极与第二电极之间。该铁电存储器包括立式排布的铁电存储器单元，使得铁电存储器单元的铁电电容能够在纵向的空间上扩展，以提高存储密度，降低存储芯片的成本。
- 用于在存储器中执行连续阵列操作的设备和方法-202310231779.7
- U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可;D·斯里尼瓦桑 - 美光科技公司
- 2023-03-10 - 2023-09-19 - G11C11/22
- 本申请涉及用于在存储器中执行连续阵列操作的设备和方法。存储器可包含控制器，所述控制器被配置成使所述存储器进行以下操作：使存储器单元块的第一多个存储器单元准备从所述存储器单元块的初始化状态进行编程；将所述第一数据编程到所述第一多个存储器单元；和响应于在成功地验证所述第一数据到所述第一多个存储器单元的编程之前接收到与对应于所述存储器单元块的第二地址相关联并与第二数据相关联的写入命令，使所述存储器单元块中对应于所述第二地址的第二多个存储器单元准备进行编程且无需在将所述第一数据编程到所述第一多个存储器单元之后使所述存储器单元块返回到所述初始化状态。
- 一种存储器及电子设备-202180087832.X
- 方亦陈;卜思童;刘晓真;侯朝昭;景蔚亮;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2021-03-18 - 2023-09-15 - G11C11/22
- 一种铁电存储器，包括多个存储单元(400)，以及与这些存储单元(400)电连接的预充电线、字线、位线和源线。其中，每个存储单元(400)均包括第一晶体管、铁电电容和第二晶体管。第一晶体管的栅极受位线控制，源极或漏极中的一极与预充电线电连接，另一极分别电连接铁电电容的一端和第二晶体管的栅极。铁电电容的另一端电连接字线。第二晶体管的源漏两端分别电连接源线和位线。采用这种铁电存储器结构，可以在不需要灵敏放大器SA的情况下正确读出数据，节省了铁电存储器的面积，且降低了功耗。
- 铁电存储器及其控制方法、电子设备-202180086911.9
- 景蔚亮;吕杭炳;殷士辉;方亦陈;卜思童;黄凯亮;刘晓真;徐亮;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2021-05-21 - 2023-09-12 - G11C11/22
- 本申请实施例提供一种铁电存储器及其控制方法、包含有该铁电存储器的电子设备。主要用于提升铁电存储器的存储密度。该铁电存储器包括：衬底和形成在衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和浮栅，以及第一铁电电容；其中，浮栅沿与衬底相垂直的方向延伸，还有，第一晶体管和第二晶体管沿浮栅的延伸方向排布，并位于浮栅的相对的两端，且第一晶体管和第二晶体管均与浮栅电连接，也就是说，第一晶体管通过浮栅与第二晶体管电连接；第一铁电电容设置在浮栅的外围，并与浮栅电连接。这样的话，通过将浮栅与衬底相垂直设置，可以减少每个存储单元在衬底上所占据的面积，进而提升存储密度。
- 用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡-201880063585.8
- R·E·法肯索尔;D·维梅尔卡蒂;D·R·米尔斯 - 美光科技公司
- 2018-08-23 - 2023-09-08 - G11C11/22
- 本申请涉及用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡。描述与用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡相关的方法、系统和装置。例如铁电随机存取存储器FeRAM之类的非易失性存储器装置可以利用损耗均衡来通过避免由于循环能力有限引起的可靠性问题而延长存储器装置的寿命。可以通过放宽或避免对存储器阵列的同一部分内的源页面和目标页面的限制来扩展损耗平衡池或用于损耗平衡应用的单元数量。另外，在将数据从所述源页面移动到所述目标页面时，可以应用纠错码以避免复制所述源页面中存在的错误。
- 一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法-202310680801.6
- 周久人;刘宁;韩根全;郝跃 - 西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
- 2023-06-08 - 2023-09-05 - G11C11/22
- 一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法，所述铁电电容型存储器包括依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层和顶电极，其特征在于，以所述半导体层的耗尽层电容与铁电介质层电容的串联电容C
- 场效应晶体管（FET）装置-202180088522.X
- R·维加;安藤崇志;池澄;P·埃杜苏米利 - 国际商业机器公司
- 2021-11-12 - 2023-09-05 - G11C11/22
- 提供了一种场效应晶体管(FET)器件。该器件包括在支撑衬底上的隔离区域，其将第一背栅极与第二背栅极分离，以及在第一沟道区域和第二沟道区域上的栅极电介质层。该器件还包括在栅极电介质层上的具有功函数值的导电栅极层和铁电体层，其中第一背栅极能够调整第一沟道区的阈值电压，并且第二背栅极能够调整第二沟道区的阈值电压。
- 一种存储器及电子设备-202180087479.5
- 卜思童;方亦陈;张恒;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2021-02-20 - 2023-08-29 - G11C11/22
- 本申请公开了一种存储器及电子设备。其中，存储器包括堆叠的多层存储阵列，多层存储阵列中的每一层存储阵列包括：矩阵排列的多个存储单元，多条源线，多条位线以及多条字线。由于存储单元为铁电晶体管，从而使该存储器具有较高的存储密度、低功耗和高速度等优势。并且，由于是多层存储阵列堆叠的三维结构，因此可以有效地增加存储容量。另外，由于多层存储阵列中至少两层存储阵列中相同位置的源线互连，和/或位线互连，和/或字线互连。从而通过源线互连、位线互连或字线互连可以减少用于连接存储阵列与控制电路的走线的数量，从而减少走线的占用面积，增大存储阵列的占用面积比例，进而进一步增大存储器的存储容量。
- 多级铁电存储单元-202010086592.9
- J·弗鲁吉尔;谢瑞龙 - 格芯公司
- 2020-02-11 - 2023-08-29 - G11C11/22
- 本发明涉及多级铁电存储单元。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及多级铁电存储单元及制造方法。该结构包括：第一金属化特征；锥形铁电电容器，其包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的铁电材料，第一电极接触第一金属化特征；以及第二金属化特征，其接触第二电极。
- 铁电存储器及存储设备-202180077545.0
- 侯朝昭;卜思童;方亦陈;张瑜;许俊豪 - 华为技术有限公司
- 2021-01-29 - 2023-08-25 - G11C11/22
- 本申请提供一种铁电存储器及存储设备，用于降低操作电压，减小铁电存储器中的界面缺陷，提高该铁电存储器的耐久性。所述铁电存储器包括至少一个存储单元，每一所述存储单元包括晶体管、第一铁电电容和至少一个分压电容；其中，所述晶体管包括栅极、源极和漏极；所述第一铁电电容的一极与所述栅极连接，所述第一铁电电容的另一极用于与字线连接；所述至少一个分压电容中的每个分压电容的一极与所述栅极连接，所述至少一个分压电容中的每个分压电容的另一极与所述源极连接。
- 一种时间域内容可寻址存储器及其应用-202310574757.0
- 黄如;徐伟凯;黄芊芊 - 北京大学
- 2023-05-22 - 2023-08-18 - G11C11/22
- 本发明提供了一种时间域内容可寻址存储器及其应用，属于新型存储与计算技术领域。本发明结合具有双极特性的铁电场效应晶体管以及反相器的延时特性，仅需要3个晶体管即可在时间域上实现CAM单元的线性不可分的比较操作，且通过级联时间域CAM单元形成时间域CAM链，每一行的搜索结果通过反相器链累计延时得到，其与不匹配单元数成正比，因此利用本发明可以实现高能效、完全线性的距离度量，且在时间域上的动态范围不受限制。
- 半导体装置及电子设备-202180068830.6
- 冈本佑树;大贯达也;佐佐木宏辅 - 株式会社半导体能源研究所
- 2021-10-12 - 2023-08-15 - G11C11/22
- 提供一种能够以高精度读出数据的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二存储单元以及开关，第一存储单元包括第一及第二晶体管以及第一电容器，第二存储单元包括第三及第四晶体管以及第二电容器。第一及第二电容器在一对电极间包括铁电体层。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第一电容器的一个电极电连接。第三晶体管的源极及漏极中的一个与第四晶体管的栅极电连接，第四晶体管的栅极与第二电容器的一个电极电连接。第一晶体管的源极及漏极中的另一个与第三晶体管的源极及漏极中的另一个通过开关电连接。
- 实施铁电选择晶体管的非易失性模拟电阻式存储器基元-202180083291.3
- 龚南博;安藤崇志 - 国际商业机器公司
- 2021-11-09 - 2023-08-15 - G11C11/22
- 一种器件包括非易失性模拟电阻式存储器基元。非易失性模拟电阻式存储器器件包括电阻式存储器器件和选择晶体管。电阻式存储器器件包括第一端子和第二端子。电阻式存储器器件具有可调节电导。选择晶体管是包括栅极端子、源极端子和漏极端子的铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件的栅极端子连接到字线。FeFET器件的源极端子连接到源极线。FeFET器件的漏极端子连接到电阻式存储器器件的第一端子。电阻式存储器器件的第二端子连接到位线。
- 基于N型和P型铁电场效应晶体管实现通用内容可寻址存储器的方法-202310603125.2
- 黄芊芊;徐伟凯;黄如 - 北京超弦存储器研究院;北京大学
- 2023-05-26 - 2023-08-11 - G11C11/22
- 本发明提供了一种基于N型和P型铁电场效应晶体管实现通用内容可寻址存储器的方法，属于新型存储与计算技术领域。本发明利用了N型FeFET和P型FeFET的互补特性，在不需要额外硬件开销的前提下可以同时实现TCAM、MACM和ACAM的功能，并且具有更加简洁的搜索操作，提高了CAM的存储密度和搜索能效，且在量化为存储多级entry状态的MCAM时，还具有压缩entry状态的能力，使其可以进一步提高CAM的存储密度，对于基于CAM的查表搜索操作具有重要意义。
- 存储器和存储器的制作方法-202180037432.8
- 殷士辉;景蔚亮;黄凯亮;冯君校;王正波;廖恒 - 华为技术有限公司
- 2021-12-08 - 2023-08-11 - G11C11/22
- 本申请实施例提供一种存储器和存储器的制作方法，存储器包括写字节线、写比特线、读字节线、读比特线以及存储单元；存储单元包括在第一方向上依次排布的写晶体管和读晶体管，读晶体管包括第一栅极、第一极和第二极，写晶体管包括第二栅极、第三极和第四极，第二栅极连接写字节线，第四极连接写比特线，第二极连接读字节线，第一极连接读比特线，第三极和第一栅极连接形成存储节点；去耦合电容的一端连接至存储节点，另一端连接至预设电位。本申请实施例提供一种存储器和存储器的制作方法，可以减少写字节线、读字节线对存储节点的电压耦合。
- 半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法-201810349891.X
- 佐野圣志 - 拉碧斯半导体株式会社
- 2018-04-18 - 2023-08-11 - G11C11/22
- 本发明提供一种抑制电路规模和消耗电流的增大，且读出电压的余量更大的半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法。包含：第一位线(GBL)；第二位线(BL)，经由第一开关(26)与第一位线(GBL)连接；电荷传输部，上述电荷传输部包含与第二位线(BL)连接并且保持来自储存有数据的存储部(70)的读出电压的第一保持部(74)和与第一位线(GBL)连接并且保持由于与第一保持部(74)之间的电荷传输而产生的电压的第二保持部(78)，并经由第一位线(GBL)在第一保持部(74)和第二保持部(78)之间传输电荷；以及比较部(40)，对第二保持部(78)所保持的电压和基准电压(Vref)进行比较。
- 具有自动预充电的存储器存取-202080093244.2
- S·斯瓦米;S·S·艾勒特;A·D·艾卡尔 - 美光科技公司
- 2020-12-04 - 2023-08-01 - G11C11/22
- 本申请案是针对具有自动预充电的存储器存取。举例来说，存储器系统可经配置以支持具有自动预充电的激活命令，其可与以下操作相关联：存储器装置打开存储器单元页，在行缓冲器处锁存由所述存储器单元存储的相应逻辑状态，将逻辑状态写入回到所述存储器单元页，且在所述行缓冲器处维持经锁存逻辑状态(例如，在维持到所述行缓冲器的电力的同时、在关闭所述存储器单元页之后、在关闭所述存储器单元页的同时)。
- 一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构-202310544499.1
- 王晓磊;丁雅静;张骥;胡涛;柴俊帅;徐昊;王文武 - 中国科学院微电子研究所
- 2023-05-15 - 2023-07-25 - G11C11/22
- 本发明提供一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构，包括：中央处理器和存储器；存储器包括：主存储器和存储级内存；存储级内存与主存储器通信连接，主存储器与中央处理器通信连接；存储级内存包含有多个第一晶体管，主存储器包含有多个第二晶体管，第一晶体管用于实现存储级内存的存储功能，第二晶体管用于实现主存储器的存储功能；第一晶体管和第二晶体管均为氧化铪基铁电场效应晶体管。本发明能够解决冯诺依曼架构中的存储墙问题。
- 操作铁电器件的方法-201810790842.X
- 刘香根 - 爱思开海力士有限公司
- 2018-07-18 - 2023-07-25 - G11C11/22
- 在一种操作铁电器件的方法中，提供包括依次设置的第一电极层、铁电层和第二电极层的铁电器件。将第一剩余极化写入铁电层中。将操作电压施加在第一电极层与第二电极层之间，以将具有与第一剩余极化的极化值不同的极化值的第二剩余极化写入铁电层中。操作电压的幅值在电压施加时间段内变化且在设定的电压范围内变化。
- 一种铁电存储器及电子设备-202080104665.0
- 江安全;杨喜超;张岩;江钧;汪超;魏侠;秦健鹰 - 华为技术有限公司;复旦大学
- 2020-11-20 - 2023-07-21 - G11C11/22
- 一种铁电存储器及电子设备，涉及铁电存储技术领域，用于对铁电存储元件(20)的开启电压进行调节。该铁电存储器包括基底(200)以及设置在基底(200)上的第一电压线、第二电压线以及铁电存储元件(20)；铁电存储元件(20)包括设置在基底(200)上的铁电薄膜层(201)；铁电薄膜层(201)包括向远离基底(200)一侧凸起的铁电存储单元(2011)；铁电存储元件(20)还包括相对设置于铁电存储单元(2011)两侧的第一电极(202)和第二电极(203)；第一电极(202)与铁电存储单元(2011)的第一表面和侧面均接触，第二电极(203)与铁电存储单元(2011)的第一表面和/或侧面接触；第一表面为铁电存储单元(2011)的与基底(200)平行且远离基底(200)的表面；其中，第一电极(202)与第一电压线电连接；第二电极(203)与第二电压线电连接。
- 用于多层存储器阵列的多板线架构-201880021868.6
- F·贝代斯基 - 美光科技公司
- 2018-03-09 - 2023-07-18 - G11C11/22
- 本申请案涉及用于多层存储器阵列的多板线架构。本发明描述用于多层存储器阵列的多板线架构的方法、系统及装置。存储器装置可包含上覆于衬底层上的两个或更多个三维铁电存储器单元阵列，所述衬底层包含支持电路的各种组件，例如解码器及感测放大器。所述阵列的每一存储器单元可具有铁电容器及选择器装置。多板线或其它存取线可经布线通过所述装置的各个层以支持对那些层内的存储器单元的存取。板线或其它存取线可通过间距上通孔OPV结构耦合在支持电路与存储器单元之间。OPV结构可包含选择器装置以在多层选择性方面提供额外自由度。可采用不同数目个板线及存取线以适应所述铁电容器的不同配置及定向。
- 有源边界拼布架构存储器-201780086461.7
- 克里斯托弗·文森特·安托万·劳伦特 - 美光科技公司
- 2017-08-30 - 2023-07-18 - G11C11/22
- 本申请案涉及有源边界拼布架构存储器。本发明描述使用拼布架构中的有源边界区域增加可用存储器或存储装置的方法、系统及设备。存储器阵列可包含覆在衬底层的每一部分上的存储器单元，所述衬底层包含特定类型的支持电路，例如解码器及感测放大器。有源边界部分可为所述存储器阵列的元件，它们具有不同于所述存储器阵列的其它部分的配置，所述有源边界部分可经定位在所述存储器阵列的两个侧上且可增加拼布架构存储器中的可用数据。所述有源边界部分可包含支持组件以存取相邻存储器部分的存储器单元及覆在所述有源边界部分上的存储器单元两者。地址扰乱连同所述有源边界部分可产生可用数据数量的均匀增加。
- 一种铁电存储单元读写特性验证电路结构-202111119834.0
- 李建军;燕艺锋;李威 - 电子科技大学
- 2021-09-24 - 2023-07-07 - G11C11/22
- 本发明属于铁电存储器技术领域，具体为提供一种能够测试铁电存储单元读写特性的电路设计。对于基于铁电材料的铁电存储器电路，其性能参数主要在于铁电存储单元的电滞回线，在晶体管级的仿真过程中，铁电存储单元通过铁电材料的两种极化状态来表示数据(1、0)，铁电电容的写状态(数据写入铁电电容的实际状态)、读出台阶差(读数据时铁电电容释放电荷能力)、读出脉冲能够反映铁电单元在不同的仿真条件下的变化情况，从而判断其工作的性能指标。存储单元在读写操作时会受到其他连接在位线上的存储单元所产生寄生电容的影响，这种影响是存储器规模无法无限扩大的主要原因之一。同时,字线负载的增加导致连接到存储单元的选择晶体管栅极电压减少,数据传输损耗导致铁电电容极化状态减弱。为了评估这种影响并且找到合适的位线电容的大小，需要对存储单元的参数以及位线电容大小对读取数据时的影响做定量的分析。
- 执行感测操作的技术-202211685130.4
- U·迪温琴佐;M·M·文图里尼 - 美光科技公司
- 2022-12-27 - 2023-06-30 - G11C11/22
- 本申请针对执行感测操作的技术。在一些实例中，存储器装置可包含对数字线进行预充电的一对晶体管。所述一对晶体管中的第一晶体管可与第一节点耦合，且所述一对晶体管中的第二晶体管可与第二节点耦合。在一些情况下，所述第一节点和所述第二节点可经由晶体管选择性地耦合。可激活所述第一晶体管和所述第二晶体管以对所述第一节点和所述第二节点进行预充电。在一些实例中，可将脉冲施加到与所述第二节点耦合的电容器以将电荷转移到所述数字线。在一些情况下，共源共栅晶体管可将所述数字线的电压维持或控制为处于或低于所述存储器单元的上部操作电压。
- 专利分类
