“井野恒洋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储装置-CN201910142958.7有效
发明人： 井野恒洋;上牟田雄一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；及第1层，设置在第1导电层与第2导电层之间，包含氧化铝，氧化铝含有选自由镁(Mg)、硅(Si)、铪(Hf)、钨(W)及钌(Ru)所组成的群中的至少一种第1元素，且氧化铝为铁电体。
存储装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201810940108.7有效
发明人：东悠介;上牟田雄一;井野恒洋 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种根据一个实施例的半导体存储器装置包含：存储器胞元，所述存储器胞元包含铁电膜；和控制所述存储器胞元的控制电路。另外，所述控制电路判断写入处理或擦除处理在所述存储器胞元上的执行次数是否已达到一定次数；并且如果执行次数已达到所述一定次数，则执行将第一极性的第一电压和与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加到所述铁电膜的电压施加处理。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910665214.3有效
发明人：高岛章;井野恒洋;须古彩香 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体存储装置具备：第1电极及第2电极，排列在第1方向；第1半导体层，设置在第1电极与第2电极之间；第2半导体层，设置在第1半导体层与第2电极之间；第1电荷蓄积层，设置在第1电极与第1半导体层之间，包含氮及铝；以及第2电荷蓄积层，设置在第2电极与第2半导体层之间，包含氮及铝。第1电荷蓄积层及第2电荷蓄积层的至少一者具备：第1区域，除了包含氮及铝以外还包含氧；第2区域，除了包含氮及铝以外还包含氧，且与所述第1方向交叉的第2方向上的位置与所述第1区域的所述第2方向上的位置不同；以及第3区域，以所述第2方向上的位置成为所述第1区域的所述第2方向上的位置与所述第2区域的所述第2方向上的位置之间的方式设置。第3区域不包含氧，或者，第3区域中的氧的浓度低于第1区域及第2区域中的氧的浓度。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201811011119.3有效
发明人： 井野恒洋;东悠介;沼田敏典;上牟田雄一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极，具有第1部分、在沿着半导体层的表面的方向上与第1部分相隔而设置的第2部分、及设置在第1部分与第2部分之间的间隔件；以及第1绝缘层，设置在半导体层与栅极电极之间，且具有包含铁电体、亚铁电体或反铁电体的第1区域、包含铁电体、亚铁电体或反铁电体的第2区域、及设置在第1区域与第2区域之间的交界区域；且第1区域位于第1部分与半导体层之间，第2区域位于第2部分与半导体层之间，交界区域位于间隔件与半导体层之间，且交界区域具有与间隔件不同的化学组成。
半导体存储装置

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN200910130660.0无效
发明人：新宫昌生;菊地祥子;高岛章;井野恒洋;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO₂、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO₂组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al₂O₃的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al₂O₃的结晶的情况下的数量比Al/M。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体存储元件-CN200910007879.1无效
发明人： 井野恒洋;安田直树;村冈浩一;藤木润;菊地祥子;有吉惠子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。
半导体存储元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710100937.6无效
发明人： 井野恒洋;中崎靖 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含(Hf_zZr_1－z)_xSi_1－xO_2－y(0.81≤x≤0.99、0.04≤y≤0.25、0≤z≤1)的非晶态膜的步骤；在含有氧的气氛中对所述非晶态膜进行大于等于750℃的退火处理，形成包含正方晶(Hf_zZr_1－z)_xSi_1－xO₂的绝缘膜的步骤；所述组成中的x、y、z的范围是由XPS法测定的值。
半导体装置及其制造方法