[实用新型]半导体封装和半导体结构有效
| 申请号： | 202320542932.3 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN219716851U | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 郭富强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/13;H01L25/07;H01L23/498;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体封装和半导体结构，半导体结构包括基板和形成在基板中的深沟槽电容器区域。深沟槽电容器区域包括多个深沟槽电容器单元，并且每个深沟槽电容器单元包括从基板的顶表面向下延伸的沟槽、设置在沟槽中的第一导电层、设置在沟槽中的第二导电层，以及由第一导电层及第二导电层夹置的介电层。每个深沟槽电容器单元是细长的，并且多个深沟槽电容器单元的第一群组在第一方向上水平延伸，而多个深沟槽电容器单元的第二群组在第二方向上水平延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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