[发明专利]适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202311195559.X | 申请日： | 2023-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936621A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张跃;柏松;张腾;黄润华;杨勇 | 申请（专利权）人： | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211111 江苏省南京市江宁经济技术*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，该碳化硅槽栅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区、屏蔽区。于第一沟槽中形成栅介质、栅极电极和金属层，于第二沟槽中形成金属层。在不增加元胞尺寸的前提下，于元胞中集成肖特基二极管，有效改善了器件的第三象限特性。通过第一沟槽、第二沟槽的设计，大幅简化了第二导电类型屏蔽区短接源极的工艺，减少了芯片面积的损耗，提升了电流密度。同时，本结构明显降低了器件的栅漏电容，减少了开关损耗，在高频应用领域有着明显的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 高频 领域 碳化硅 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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