[发明专利]射频功率放大器及射频功率放大芯片在审
申请号: | 202310942844.7 | 申请日: | 2023-07-28 |
公开(公告)号: | CN116938167A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 郭跃伟;孔令旭;段磊;卢啸;于长江;秦龙;吴秉琪;黎荣林;张家祺 | 申请(专利权)人: | 河北博威集成电路有限公司 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F3/21;H03F1/56;H03F1/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 刘少卿 |
地址: | 050051 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及射频微波电路技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器及射频功率放大芯片,本发明射频功率放大器实施方式,采用谐波控制电路接入基波匹配电路的方式,为谐波搭建一个低阻的通道,从而控制晶体管管芯的波形为近似于矩形波的波形,由于矩形波的波形对于晶体管而言效率更高,发热量更小,因此,提高了晶体管的效率,减少了晶体管的发热和损耗。本发明射频功率放大芯片的实施方式从晶体管管芯引出一条连接线,连接输入匹配电路,并将谐波控制电路通过连接线连接在输入匹配电路上,相比传统方式所采用的在晶体管管芯上引出两条连接线,分别连接输入匹配电路和谐波控制电路上的方式,更加节省晶体管的面积。 | ||
搜索关键词: | 射频 功率放大器 功率 放大 芯片 | ||
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- 提供一种低噪声放大器及其操作方法。所述低噪声放大器包括:第一晶体管,通过控制端子接收射频(RF)信号;第二晶体管,与所述第一晶体管一起形成垂直级联结构,并且通过第一端子接收所述第一晶体管的输出信号;以及第三晶体管,与所述第二晶体管一起形成垂直级联结构,并且通过第一端子接收所述第二晶体管的输出信号。所述第一晶体管至所述第三晶体管响应于施加第一电源电压而执行放大操作,并且所述第一晶体管和所述第二晶体管或所述第一晶体管和所述第三晶体管响应于施加第二电源电压而执行放大操作。
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- 提供一种低噪声放大器及其操作方法。所述低噪声放大器包括:第一晶体管,被配置为放大输入信号;第二晶体管,与所述第一晶体管形成水平级联结构并且被配置为放大所述第一晶体管的输出信号;以及第三晶体管,与所述第一晶体管一起形成垂直级联结构并且被配置为放大所述第一晶体管的所述输出信号,其中,包括所述第二晶体管的输出信号与所述第三晶体管的输出信号之和的第一信号被输出到输出端子。
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- S·M·H·穆罕默德内扎德;A·伊斯梅尔;姚僖 - 苹果公司
- 2021-09-08 - 2022-11-08 - H03F3/193
- 本公开涉及用于载波聚合的无线放大器电路。公开了一种电子设备,该电子设备可包括无线电路,该无线电路具有基带处理器、收发器电路、前端模块和天线。该前端模块可包括用于对接收到的射频信号进行放大的放大器电路,诸如低噪声放大器。该低噪声放大器能够在非载波聚合(NCA)模式和载波聚合(CA)模式下操作。该低噪声放大器可包括第一输入级、第二输入级、互补退化变压器和输入阻抗补偿电路。在该NCA模式期间,该第一输入级被接通而该第二输入级被断开,该退化变压器被控制以提供最大电感,并且该补偿电路被接通以提供输入匹配。在该CA模式期间,该第一输入级和该第二输入级被接通,该退化变压器被调解以提供较小电感,并且该补偿电路被断开。
- 高频放大电路-202110836028.9
- 濑下敏树;栗山保彦 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
- 2021-07-23 - 2022-09-27 - H03F3/193
- 高频放大电路包括四个晶体管、四个电感器及三个开关。第一晶体管的栅极被输入输入信号。第一电感器连接在第一晶体管的源极与基准电压端间。第二晶体管的栅极交流接地,源极与第一晶体管的漏极连接。第二电感器连接在第二晶体管的漏极与电源电压端间。第一开关连接在第二晶体管的漏极和第二电感器间的第一节点与第一输出端子间。第三晶体管的栅极被输入输入信号。第三电感器连接在第三晶体管的源极与基准电压端间。第四晶体管的栅极交流接地,源极与第三晶体管的漏极连接。第四电感器连接在第四晶体管的漏极与电源电压端间。第二开关连接在第四晶体管的漏极和第四电感器间的第二节点与第二输出端子间。第三开关连接在第一节点与第二节点间。
- 专利分类