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[发明专利]高频放大电路-CN202110836028.9在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：高频放大电路包括四个晶体管、四个电感器及三个开关。第一晶体管的栅极被输入输入信号。第一电感器连接在第一晶体管的源极与基准电压端间。第二晶体管的栅极交流接地，源极与第一晶体管的漏极连接。第二电感器连接在第二晶体管的漏极与电源电压端间。第一开关连接在第二晶体管的漏极和第二电感器间的第一节点与第一输出端子间。第三晶体管的栅极被输入输入信号。第三电感器连接在第三晶体管的源极与基准电压端间。第四晶体管的栅极交流接地，源极与第三晶体管的漏极连接。第四电感器连接在第四晶体管的漏极与电源电压端间。第二开关连接在第四晶体管的漏极和第四电感器间的第二节点与第二输出端子间。第三开关连接在第一节点与第二节点间。
高频放大电路

[发明专利]半导体装置以及半导体系统-CN202110906326.0在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据实施方式，第一P型晶体管中，栅极与第一节点连接，漏极与第二节点连接。第一N型晶体管中，栅极与第一节点连接，漏极与第二节点连接。第二P型晶体管中，栅极与第二节点连接，漏极与第三节点连接。第二N型晶体管中，栅极与第二节点连接，漏极与第三节点连接。第三N型晶体管中，栅极与第三节点连接，源极与第二电源线连接，漏极与第一电源线连接。第一P型晶体管比第一N型晶体管小。第二N型晶体管比第二P型晶体管小。第二N型晶体管比第一N型晶体管小。第一N型晶体管比第三N型晶体管小。
半导体装置以及系统

[发明专利]半导体电路-CN202110225642.1在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：半导体电路具备放大电路、输出电路以及旁路电路。放大电路包含级联连接的第一及第二晶体管，使经由输入端子向第一晶体管的栅极供给的信号放大。输出电路包含连接于放大电路的第一节点、第一及第二输出端子，使用第一或者第二输出模式执行输出动作，第一输出模式使用了第一及第二输出端子中的某个，第二输出模式使用了第一及第二输出端子。旁路电路连接在输入端子与第一节点间。输出电路包含连接在第二节点与第一输出端子间的第一开关电路、连接在第三节点与第二输出端子间的第二开关电路、连接在第二与第三节点间的第三开关电路、连接于第二节点的第一无源电路、连接于第三节点的第二无源电路、连接在第二与第三节点间的至少一个第三无源电路。
半导体电路

[发明专利]高频放大电路及半导体装置-CN201910614889.5在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：实施方式提供使输出端口间的隔离性能提高的高频放大电路。根据一个实施方式，高频放大电路具备第1放大电路、第2放大电路及噪声指数改善电路，具备：单一输出模式，从第1放大电路及第2放大电路中的一方输出放大后的信号；及分路输出模式，从第1放大电路及第2放大电路这双方输出放大后的信号。第1放大电路，将源极经由第1源极电感器而接地且在栅极被施加输入信号的第1晶体管、与从漏极输出将从上述第1晶体管的漏极输出的信号放大后的信号且栅极接地的第3晶体管级联连接而成。第2放大电路具备具有与第1放大电路同样的电路常数的电路元件。噪声指数改善电路将第1晶体管的源极及第2放大电路的第2晶体管的源极经由电容器而连接。
高频放大电路半导体装置

[发明专利]高频放大电路及半导体装置-CN201910609460.7在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：实施方式提供实现优良的IIP3的高频放大电路及半导体装置。高频放大电路具备：具有第1晶体管、电感器和第2晶体管的放大电路；及具有第3晶体管、第4晶体管和第1电容器的畸变补偿电路。第1晶体管对栅极施加输入信号。电感器，一方的端子与第1晶体管的源极连接，另一方的端子接地。第2晶体管，源极与第1晶体管的漏极连接，栅极接地，漏极与电源电压端子连接，从漏极输出将输入信号放大后的信号。第3晶体管为，漏极及栅极连接，在漏极侧与电源电压端子连接。第4晶体管为，漏极及栅极与第3晶体管的源极连接，在源极侧接地。第1电容器将节点与第3晶体管的源极之间连接，该节点为第1晶体管的漏极与第2晶体管的源极之间的节点。
高频放大电路半导体装置

[发明专利]高频放大电路及半导体装置-CN201910635761.7在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：实施方式关于高频放大电路及半导体装置。实施方式的高频放大电路具备：第1晶体管，将高频输入信号放大，源极接地；第2晶体管，将由第1晶体管放大的信号进一步放大而生成输出信号，栅极接地；第1电感，连接在第1晶体管的源极与第1基准电位节点之间；第3晶体管，连接在第1晶体管的源极与第1电感之间，在第1模式下导通在第2模式下关断；第1电容器及第1电阻，串联连接在第2晶体管的漏极与该高频放大电路的输出节点之间；第2电阻及第3电阻，串联连接在第3晶体管的栅极与第2基准电位节点之间；电荷泵电路，在第2模式时，将第2电阻及第3电阻的连接节点的电位设定为比第1基准电位节点的电位低的电位。
高频放大电路半导体装置

[发明专利]高频放大电路及半导体设备-CN201910115753.X在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：实施方式涉及高频放大电路及半导体设备。高频放大电路具备：第1晶体管，将来自对应的高频开关的上述高频输入信号放大且源极接地；第2晶体管，共源共栅地连接至上述第1晶体管，将以上述第1晶体管放大的信号进一步放大而生成输出信号且栅极接地；第1电感，连接至上述第1晶体管的源极和第1基准电位节点之间；第2电感，连接至上述第2晶体管的漏极和第2基准电位之间；非线性补偿电路，连接至上述第1晶体管和上述第2晶体管的连接节点，补偿对于上述高频输入信号的上述输出信号的非线性。
晶体管高频放大电路高频输入信号电感输出信号放大非线性补偿电路基准电位节点半导体设备晶体管放大高频开关共源共栅基准电位连接节点源极接地栅极接地地连接漏极源极

[发明专利]高频放大电路以及半导体装置-CN201910132295.0在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：高频放大电路具备：源极接地的第1晶体管，将高频输入信号放大；栅极接地的第2晶体管，将由第1晶体管放大后的信号进一步放大而生成输出信号；第1电感器，连接在第1晶体管源极与第1基准电位节点之间；第2电感器，连接在第2晶体管漏极与第2基准电位之间；第1切换器，对是否在高频输入信号被输入的节点和连接第1电阻的输入信号路径上的节点之间的第3电感器上并联连接第1衰减器进行切换；第2切换器对是否在输入信号路径与第1基准电位节点之间连接第1电阻进行切换；第3切换器，从并联连接第2电感器的多个第2电阻中选择至少一个；及第4切换器，从并联连接在与第2晶体管漏极相连的输出信号路径上的多个第1电容器中选择至少一个。
电感器切换器并联连接电阻高频输入信号基准电位节点输入信号路径晶体管漏极晶体管放大电容器高频放大电路输出信号路径晶体管放大晶体管源极基准电位输出信号源极接地栅极接地衰减器

[发明专利]功率放大器-CN200610156226.6无效
发明人：杉浦政幸;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种功率放大器，该功率放大器的特征在于，具备：有源元件，该有源元件具有使用了至少1个化合物半导体的异质结双极晶体管；二极管，该二极管以与基极·发射极间二极管反方向的方式被连接在上述双极晶体管的基极和发射极间；电阻，该电阻被串联连接在上述二极管和上述双极晶体管的基极之间；和偏压电路，该偏压电路被连接在上述二极管和上述电阻之间。
功率放大器

[发明专利]偏置电流供给电路及放大电路-CN200410028491.7无效
发明人： 栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种偏置电流供给电路及具有该偏置电流供给电路的放大电路，使用双极晶体管构成，能对利用低电源电压工作的放大电路的集电极电流因温度变化引起的变动进行抑制。本发明实施例1涉及的偏置电流供给电路，其特征在于，具备：第1、第2双极晶体管，构成协作供给信号放大双极晶体管的基极偏置电流的2个射极跟随器；通常温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而增加的通常温度特性，将基极电流供给上述第1双极晶体管；及逆温度特性电路，具有电流供给量随温度上升而减少的逆温度特性，将基极电流供给上述第2双极晶体管。
偏置电流供给电路放大

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