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[发明专利]一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器-CN202111185458.5有效
发明人：蒲颜;熊翼通;黄亮;朱海;聂荣邹;万开奇;王国强 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器包括输入偏置网络、输入匹配网络、放大电路、输出匹配网络、输出偏置网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端分别作为输入偏置网络以及放大电路的第一输入；输入偏置网输出端作为放大电路的第二输入；放大电路的第一输出端与输出匹配电路的第一输入端连接；放大电路的第二输出端经过输出偏置电路进行偏置处理后作为输出匹配电路的第一输入端；电源端与输出匹配电路的第二输入端连接；输出匹配电路的输出作为高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器的输出端；本发明有效提升射频放大器的三阶交调点参数，并在很宽的频带内获得很好的功率特性及输入输出匹配特性。
一种高三阶交调点场效应晶体管射频放大器

[发明专利]一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法-CN202010361116.3有效
发明人：王国强;蒲颜;熊翼通;喻阳;马浚豪;万开奇;何峥嵘 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法，属于单片射频/微波集成电路技术领域；所述一种带旁路功能的低噪声放大模块包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器；第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输入端相连；第一单刀双掷射频开关的第二输出端与第二单刀双掷射频开关的第一输入端相连；低噪声放大器输出端与第二单刀双掷射频开关的第二输入端相连；本发明在低噪声放大器的基础上集成了两个射频开关，从而实现旁路功能。对于输入信号范围影响明显，本发明可以处理信号幅度低于低噪声放大器输入1dB压缩点信号外，也可以处理幅度大于输入1dB压缩点的信号，有效提升了系统的动态范围。
一种旁路功能噪声放大模块控制方法

[发明专利]一种宽带射频正交相位产生电路-CN202211561468.9在审
发明人：熊翼通;蒲颜;万开奇;余志楠;王国强 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种宽带射频正交相位产生电路；包括功率分配电路、移相网络1和移相网络2；功率分配电路用于接收输入信号，将输入信号转换为幅度相位均相同的两路信号后输出，并提供信号增益和输入阻抗匹配；移相网络1用于接收功率分配电路输出的一路信号，并对其进行相位变化后通过同相输出端输出信号1；移相网络2用于接收功率分配电路输出的另一路信号，并对其进行相位变化后通过反相输出端输出信号2；信号1和信号2是相位差为90°的正交信号；本发明采用带RC负反馈和源极退化电感的共源极放大器构成功率分配电路，采用两级基于耦合电感的全通网络级联构成移相网络，可以提高工作带宽和降低幅相误差。
一种宽带射频正交相位产生电路

[发明专利]一种高增益平坦度、高线性度的宽带低噪声放大器-CN202211272254.X在审
发明人：蒲颜;熊翼通;黄亮;王国强;万开奇;聂荣邹;朱海;喻阳;姚瑶;刘莉薇 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高增益平坦度、高线性度的宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、偏置网络、反馈网络、放大电路、输出匹配网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端、偏置网络的输出端、反馈网络的输出端与放大电路的输入端相连；偏置网络的第一输入端与放大电路的第一输出端、反馈网络的输入端相连；偏置网络的第二输入端与放大电路的第二输出端相连；放大电路的第三输出端与输出匹配网络的第一输入端相连；输出匹配网络的第二输入端与电源端相连；本发明有效提升宽带低噪声放大器的增益平坦度、线性度，并在很宽的频带内获得很好的输入输出匹配特性。
一种增益平坦线性宽带低噪声放大器

[发明专利]一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器-CN202210506577.4在审
发明人：熊翼通;蒲颜;万开奇;刘莉薇;王国强 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，包括偏置电压、晶体管M1‑M5、电阻R1‑R4、电感L1‑L2、两个电流控制阵列、两个相位补偿阵列，其中晶体管M1和晶体管M2组成共源极差分对管，电阻R1与电阻R2分别为晶体管M1和晶体管M2提供栅压偏置；晶体管M3和晶体管M4组成共栅极放大级；晶体管M5为尾电流源，用于保障放大器整体电流不变；电流控制阵列用于实现对放大器增益的编程控制；相位补偿阵列用于消除前馈电容影响，减小增益变化引起的附加相移，本发明提高了CMOS射频可编程增益放大器的增益变化范围，并减小了增益变化过程中引入的信号附加相移。
一种动态附加相移射频可编程增益放大器

[发明专利]一种基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路-CN202110678894.X在审
发明人：熊翼通;蒲颜;王国强;喻阳;黄亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提出一种基于HBT工艺的高三阶交调点中功率射频放大电路，包括：放大电路，用于对输入的射频信号进行多级放大；输入偏置网络，用于为所述放大电路提供直流偏置；输出偏置网络，用于为所述放大电路提供电源，并将电源干扰信号与所述放大电路的输出信号进行隔离，同时为所述放大电路的输出信号提供输出阻抗匹配；所述输入偏置网络与所述放大电路并联，所述放大电路的输入端接入射频信号，输出端与所述输出偏置网络的输入端连接；所述输出偏置网络的电源连接端与电源连接，所述输出偏置网络的输出端输出经过匹配放大的射频信号；本发明可有效提高三阶交调参数相对于1dB压缩点参数的比例，增强射频放大电路的抗失真性能。
一种基于 hbt 工艺高三阶交调点中功率射频放大电路

[发明专利]高精度宽带数控衰减器-CN201710149435.6有效
发明人：刘成鹏;王国强;邹伟;蒲颜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种高精度宽带数控衰减器，包括数控衰减电路和反馈补偿电路，所述反馈补偿电路的一端连接在数控衰减电路的输入端与输出端之间，另一端接地，其根据数控衰减电路输入信号的频段高低和不同频段上的衰减精度要求，将反馈补偿电路中对应阻抗大小的反馈电容和/或反馈电感接入至数控衰减电路，以对选定频段的衰减精度进行调节。本发明可以对数控衰减电路输入信号对应频段的衰减精度进行调节；并且对数控衰减电路插入损耗等电特性影响较小，避免了插入损耗、输入1dB压缩点、输入电压驻波系数、输出电压驻波系数严重恶化等问题。
高精度宽带数控衰减器

[实用新型]一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路-CN201921049098.4有效
发明人：何峥嵘;王国强;刘成鹏;蒲颜;熊翼通;潘少俊 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路，本实用新型的正压转负压逻辑电路通过输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元的结构设计，就可以将输入的正压逻辑信号转换为输出互补(一同相、一反相)的两个负压逻辑信号，转换结构简单，转换效率高；且各电路单元均基于GaAs HEMT工艺设计，使得该正压转负压逻辑电路能与射频开关、数控衰减器、数控移相器等单片微波集成电路直接单元芯片集成，促进了单片微波集成电路系统应用的简化、小型化，并降低了其功耗。
负压正压单片微波集成电路逻辑输出电路本实用新型逻辑信号缓冲电路单元数控衰减器数控移相器单元芯片电路单元工艺设计射频开关输入电平位移电路系统应用转换结构转换效率反相功耗输出转换

[发明专利]基于HBT工艺的低压宽带中功率射频放大器-CN201910674005.5在审
发明人：王国强;何峥嵘;刘成鹏;蒲颜;潘少俊;熊翼通 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于HBT工艺的低压宽带中功率射频放大器，包括放大电路、电阻负反馈网络、直流温度补偿网络和扼流网络；所述放大电路用于信号放大；所述电阻负反馈网络用于实现放大电路的功率增益调整、阻抗匹配，以及为放大电路提供直流偏置；所述直流温度补偿网络用于在高低温下稳定电源电流、输出1dB压缩点；所述扼流网络用于对电源的干扰信号与输出端有用信号进行隔离。本发明通过设置直流温度补偿网络，在对电路的功率增益、噪声系数、输入驻波系数、输出驻波系数均无影响的情况下，降低了HBT工艺实现的中功率射频放大器低压下电源电流和输出1dB压缩点对温度的敏感度，提升了温度稳定性。
放大电路温度补偿网络电阻负反馈宽带中功率射频放大器功率增益压缩点扼流输出网络功率射频放大器温度稳定性电源电流干扰信号工艺实现输入驻波稳定电源噪声系数直流偏置驻波系数阻抗匹配高低温敏感度输出端电路电源隔离

[发明专利]一种高隔离度射频开关电路-CN201510367290.8有效
发明人：刘成鹏;王国强;何峥嵘;邹伟;蒲颜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种高隔离度射频开关电路，包括基本单刀单掷射频开关单元和滤波器单元，其在基本单刀单掷射频开关单元的参考地C点，通过键合丝寄生电感L1b串连电感L3b与地相连，形成直流通道，通过键合丝寄生电感L2b串连电容C1b与地相连，电感L1b串连电感L3b与通过键合丝L2b与参考地C点连接的电容C1b并联，形成滤波器。因此，在不影响射频开关到地直流通路的情况下，通过将键合丝寄生电感L1b吸收进滤波器，降低了键合丝寄生参数对射频开关隔离度的影响，通过调整滤波器的电感L3b和电容C1b值，可以有针对性的提高射频开关在不同频率下的隔离度。与传统射频开关比较，本发明的高隔离度射频开关隔离度可以提高5～10dB，同时不会影响射频开关插入损耗等电特性。
一种隔离射频开关电路

[发明专利]具有陷波器结构的高隔离度射频开关-CN201510430671.6有效
发明人：刘成鹏;王国强;何峥嵘;邹伟;蒲颜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关，它包括一个基本匹配式单刀单掷射频开关单元和一个桥T型陷波器单元。本发明在基本匹配式单刀单掷射频开关单元的基础上增加了电阻R7b、键合丝寄生电感L2b、键合丝寄生电感L4b和电感L3b。在射频开关为关断态时，电感L2b、电感L4b和电感L3b相串联形成的电感L2b+3b+4b和MOS管M1b、MOS管M2b在关断态时源漏极之间形成的寄生电容，与MOS管M4b在导通态时源漏极之间形成的寄生电阻和电阻R7b构成桥T型陷波器结构。通过调整桥T型陷波器电阻R7b和电感L3b的值可以有针对性的决定所需抑制频率，使用这种拓扑结构可以在选定频段获得比传统射频开关高10～15dB的隔离度。
具有陷波结构隔离射频开关

[发明专利]高平坦度宽带放大器-CN201710148420.8在审
发明人：刘成鹏;蒲颜;王国强;邹伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种高平坦度宽带放大器，包括分布式放大器和反馈补偿电路，所述反馈补偿电路中各个反馈补偿支路的一端分别连接所述分布式放大器中对应晶体管的控制端，另一端接地，所述反馈补偿支路将对应大小的阻抗接入对应晶体管的控制端，以使所述晶体管的寄生参数为可变参数，所述寄生参数影响人工传输线的截止频率随输入信号频率的变化而变化，从而对所述分布式放大器的平坦度进行优化。
平坦宽带放大器

[发明专利]低电压达林顿放大器-CN201410361774.7有效
发明人：刘成鹏;王国强;何峥嵘;邹伟;蒲颜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H03F3/345 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压达林顿放大器。它包括一个基本达林顿放大单元、一个交直流分离单元和一个电源电压极性转换单元。本发明电路将达林顿放大单元的交流与直流地分离，并将交流地钳位到地；本发明电路将达林顿放大器的直流参考地钳位到负的参考电平上，提高了电源电压到直流参考地之间的电势差。传统达林顿放大器电源电压一般大于5～7V，本发明的低电压达林顿放大器电源电压可低至3～4V。本发明广泛应用于微波单片IC中的各类达林顿结构电路中。
电压达林顿放大器

[发明专利]AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法-CN201010589028.5有效
发明人：刘新宇;蒲颜;庞磊;袁婷婷;罗卫军;陈晓娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种algan/gan hemt小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的s参数中s₁₁和s₂₂，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
algan gan hemt 信号模型参数提取方法

[发明专利]一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法-CN201010561133.8有效
发明人：庞磊;陈晓娟;陈中子;罗卫军;袁婷婷;蒲颜;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
一种适用于氮化微波单片集成电路金属制备方法

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