[发明专利]半导体结构的制备方法以及半导体结构在审
| 申请号： | 202310870269.4 | 申请日： | 2023-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116631939A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李浩然;杨志 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 孙姗姗;吴素花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区；在阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构，以及在外围区上形成第一导电层，着陆垫结构的至少一侧形成有牺牲间隔层；其中，相邻两个着陆垫结构之间存在空隙；在着陆垫结构和第一导电层上形成介质层，其中，介质层覆盖空隙的开口；在外围区的介质层上形成第二导电层；去除阵列区的介质层，暴露空隙；去除牺牲间隔层，以形成气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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