[发明专利]半导体结构的制备方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区；

在所述阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构，以及在所述外围区上形成第一导电层，所述着陆垫结构的至少一侧形成有牺牲间隔层；其中，相邻两个所述着陆垫结构之间存在空隙；

在所述着陆垫结构和所述第一导电层上形成介质层，其中，所述介质层覆盖所述空隙的开口；

在所述外围区的所述介质层上形成第二导电层；

去除所述阵列区的所述介质层，暴露所述空隙；

去除所述牺牲间隔层，以形成气隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料包括以下至少之一：未经掺杂的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃、掺杂硼磷的硅玻璃、未经掺杂的自旋涂布式玻璃、掺杂硼的自旋涂布式玻璃、掺杂磷的自旋涂布式玻璃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述介质层之前，形成覆盖所述着陆垫结构的表面、所述牺牲间隔层的顶面及所述第一导电层的第一绝缘层；所述第一绝缘层的厚度小于所述空隙的最小内径的二分之一；

在所述第一绝缘层上形成所述介质层，所述介质层的底面平齐于或高于所述着陆垫结构的顶面；

在去除所述牺牲间隔层之前，至少去除部分所述第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述至少去除部分所述第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面，包括：

采用干法刻蚀工艺去除覆盖所述牺牲间隔层的顶面和覆盖所述着陆垫结构的顶面的第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面；

或者，

采用湿法刻蚀工艺去除位于所述阵列区的全部所述第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述牺牲间隔层，以形成气隙，包括：

采用湿法刻蚀工艺去除牺牲间隔层，形成气隙。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述气隙后，在相邻两个所述着陆垫结构之间的所述空隙内形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述气隙的开口。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在所述阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构之前，所述方法还包括：

在所述阵列区上形成多个位线结构，所述位线结构沿第一方向延伸，所述位线结构的侧壁上形成有牺牲间隔层；

在所述位线结构之间，形成沿第一方向交替排布的接触孔和隔离结构，所述接触孔暴露衬底；所述第一方向平行于所述衬底的表面；

于所述接触孔中形成存储节点接触插塞；所述着陆垫结构位于所述存储节点接触插塞上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构包括：

在所述存储节点接触插塞上形成着陆垫材料层，所述着陆垫材料层的顶面高于所述位线结构的顶面；

回刻部分所述着陆垫材料层以及部分所述位线结构，以形成所述着陆垫结构及位于所述着陆垫结构一侧的所述空隙，所述着陆垫结构在所述衬底上的投影与所述位线结构在所述衬底上的投影部分重合。

9.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述第二导电层之前，形成贯穿所述外围区的所述介质层的沟槽，所述沟槽暴露所述第一导电层的表面；

在所述沟槽内形成导电层接触插塞；所述第一导电层和所述第二导电层通过所述导电层接触插塞电连接。