[发明专利]半导体结构的制备方法以及半导体结构

说明书

本公开实施例公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区；在阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构，以及在外围区上形成第一导电层，着陆垫结构的至少一侧形成有牺牲间隔层；其中，相邻两个着陆垫结构之间存在空隙；在着陆垫结构和第一导电层上形成介质层，其中，介质层覆盖空隙的开口；在外围区的介质层上形成第二导电层；去除阵列区的介质层，暴露空隙；去除牺牲间隔层，以形成气隙。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。

背景技术

先进动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）工艺中位线寄生电容（CBL）的降低一直是技术开发的难点和重点，其中气隙（Air gap）在减小位线（BL）与存储节点（NC）之间寄生电容上改善明显。

然而，相关工艺中，形成气隙的工艺成本较高，且形成的气隙效果较差。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。

根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区；

在所述阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构，以及在所述外围区上形成第一导电层，所述着陆垫结构的至少一侧形成有牺牲间隔层；其中，相邻两个所述着陆垫结构之间存在空隙；

在所述着陆垫结构和所述第一导电层上形成介质层，其中，所述介质层覆盖所述空隙的开口；

在所述外围区的所述介质层上形成第二导电层；

去除所述阵列区的所述介质层，暴露所述空隙；

去除所述牺牲间隔层，以形成气隙。

在一些实施例中，所述介质层的材料包括以下至少之一：未经掺杂的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃、掺杂硼磷的硅玻璃、未经掺杂的自旋涂布式玻璃、掺杂硼的自旋涂布式玻璃、掺杂磷的自旋涂布式玻璃、未经掺杂的四乙氧基硅烷、掺杂磷的四乙氧基硅烷或掺杂硼的四乙氧基硅烷。

在一些实施例中，所述方法还包括：

在形成所述介质层之前，形成覆盖所述着陆垫结构的表面、所述牺牲间隔层的顶面及所述第一导电层的第一绝缘层；所述第一绝缘层的厚度小于所述空隙的最小内径的二分之一；

在所述第一绝缘层上形成所述介质层，所述介质层的底面平齐于或高于所述着陆垫结构的顶面；

在去除所述牺牲间隔层之前，至少去除部分所述第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面。

在一些实施例中，所述至少去除部分所述第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面，包括：

采用干法刻蚀工艺去除覆盖所述牺牲间隔层的顶面和覆盖所述着陆垫结构的顶面的第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面；或者，采用湿法刻蚀工艺去除位于所述阵列区的全部所述第一绝缘层，以暴露所述牺牲间隔层的顶面。

在一些实施例中，所述去除所述牺牲间隔层，以形成气隙，包括：

采用湿法刻蚀工艺去除牺牲间隔层，形成气隙。

在一些实施例中，所述方法还包括：

在形成所述气隙后，在相邻两个所述着陆垫结构之间的所述空隙内形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述气隙的开口。

在一些实施例中，在所述阵列区上形成多个间隔排布的着陆垫结构之前，所述方法还包括：

在所述阵列区上形成多个位线结构，所述位线结构沿第一方向延伸，所述位线结构的侧壁上形成有牺牲间隔层；

在所述位线结构之间，形成沿第一方向交替排布的接触孔和隔离结构，所述接触孔暴露衬底；所述第一方向平行于所述衬底的表面；