[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 202310677390.5 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116419562B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陈兴;黄普嵩 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制作方法。所述制作方法中，先形成条状多晶硅，得到PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极，对NMOS晶体管的栅极的n型离子注入在形成栅极侧墙后进行，以避免形成条状多晶硅并对刻蚀后的多晶硅层表面进行氧化处理的热过程、LDD注入后退火的热过程以及形成栅极侧墙的热过程对NMOS晶体管的栅极内的掺杂离子的影响，降低由于掺杂离子扩散到PMOS晶体管一侧而引起半导体装置性能下降的风险。所述半导体装置采用上述半导体装置的制作方法形成，其中由于离子扩散而导致PMOS晶体管和NMOS晶体管阈值电压发生变化的风险较低，可以提升所述半导体装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路股份有限公司，未经合肥晶合集成电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310677390.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种紫外光路成像分辨率优化方法
- 下一篇：一种具有除尘功能的玉米脱粒机
