[发明专利]一种MOM电容及其制备方法、高频集成电路、芯片在审
| 申请号： | 202310330834.8 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116469869A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李菀婷;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 林春梅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种MOM电容及其制备方法、高频集成电路、芯片，在第一金属层与第二金属层之间形成第一层间绝缘层，并在第二金属层上形成与第一层间绝缘层接触的第二层间绝缘层，其中，通过由氟碳杂质共掺杂氧化硅和磷硼杂质共掺杂氧化硅中的至少一项组成第一层间绝缘层，并由氟碳杂质共掺杂氧化硅和磷硼杂质共掺杂氧化硅中的至少一项组成第二层间绝缘层，从而在给定的金属层间结构下有效扩展MOM电容的电容可变范围，便于设计人员能够在更小的尺寸空间下设计出所需的电容器，提升了集成电路的空间利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mom 电容 及其 制备 方法 高频 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
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