[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310268124.7 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116259590A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 孟晋辉;胡林辉;张继伟;丁甲;王峰 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底；第一层间介质层，位于所述衬底表面；所述第一层间介质层远离所述衬底的一侧设置有应力释放槽；所述应力释放槽至少从所述第一层间介质层远离所述衬底的表面延伸至所述第一层间介质层内部。该半导体结构可以通过应力释放槽有效地释放第一层间介质层内部的应力，防止第一层间介质层的两端在应力作用下带动衬底一起向上翘起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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