[发明专利]一种抗单粒子瞬态的异质结双极晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 202310263036.8 | 申请日： | 2023-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN116565017A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 唐勇 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗单粒子瞬态的异质结双极晶体管及制造方法，包括：提供衬底，在衬底中形成深N阱，在深N阱中形成深P阱；在深N阱与深P阱的侧面，形成第一浅槽隔离结构，在深P阱内部，形成第二浅槽隔离结构；在深P阱内部形成被第二浅槽隔离结构包围隔离的区域内形成集电区；在集电区上形成异质结双极晶体管。本发明所设计的衬底包括深N阱和深P阱，在该衬底上制造的异质结双极晶体管，当发生单粒子瞬态时，可减少集电区收集的电荷，并将集电区瞬态电流降低，提高集电区瞬态电流快速掉电的效率，降低抗单子瞬态的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 瞬态 异质结 双极晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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