[发明专利]一种半导体发光二极管在审
| 申请号： | 202310221237.1 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116190510A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底以及由第一n型半导体层、第二n型半导体层、浅量子阱层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层组成的载流子隧穿平衡结构；所述第一n型半导体层、第二n型半导体层和浅量子阱层的Si/O浓度比例均大于1，且所述第二n型半导体层的Si/O浓度比例大于所述第一n型半导体层和所述浅量子阱层的Si/O浓度比例，所述量子阱层的Si/O浓度比例小于1；所述电子阻挡层和p型半导体层的Mg/H浓度比例均大于1，所述量子阱层的Mg/H浓度比例小于1。本发明使电子和空穴载流子在量子阱层中从漂移、扩散、热发射等占主导的跃迁模式转变为通过量子阱层隧穿为主导的跃迁模式，以提升半导体发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
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