[发明专利]半导体射频器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310089651.1 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116031289A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李成果;沈晓安 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 荣颖佳 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体射频器件及其制备方法，半导体射频器件包括：从下到上依次设置的衬底、n型源极掺杂层；n型源极掺杂层上，设置有处于中间位置的脊形沟道结构、设置于脊形沟道结构一侧的第一异质结构层、以及设置于脊形沟道结构另一侧的第二异质结构层；脊形沟道结构上设置有漏电极；第一异质结构层和第二异质结构层上设置有栅介质和栅电极；衬底远离n型源极掺杂层一侧设置有背孔结构，暴露出n型源极掺杂层；衬底的背孔结构中设置有源电极；第一异质结构层在脊形沟道结构的侧壁上具有二维电子气。上述器件为垂直结构设计，相比水平结构可以有更高的器件密度，栅长及沟道尺寸可通过膜厚控制，对光刻设备的精度要求低，制造难度小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北九峰山实验室，未经湖北九峰山实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310089651.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
