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[发明专利]一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器-CN202310691460.2在审
发明人：胡浩;王红莉;胡昌宇;沈晓安 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种集成MOSCAP的波导结构及包含其的相位调制器。该波导结构，由波导、下电极层、绝缘体层和栅极组成，从下到上依次由所述下电极层、所述绝缘体层和所述栅极构成的三明治结构位于所述波导的上方；所述波导为无掺杂的单晶硅，所述下电极层为导电硅材料。采用该波导结构制备得到的相位调制器，保持了下电极层高迁移率且掺杂浓度和厚度高度更加可控，相对于现有的采用整个硅波导作为下电极，能够避免在非有效调制区域引入高载流子浓度以及造成额外的光学损耗，整体损耗低、功耗低，且具有较好的相位调制效果。
一种集成 moscap 波导结构包含相位调制器

[发明专利]多级沟槽悬浮结器件及其制作方法-CN202310656713.2在审
发明人：王宽;袁俊;郭飞;徐少东;彭若诗;沈晓安 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级沟槽悬浮结器件，所述器件为具有漂移区的垂直器件，所述漂移区中分布有一层或多层悬浮结，所述漂移区中还设置有若干个包括n级子沟槽的多级沟槽，n≥2，所述多级沟槽垂直穿透所述悬浮结，所述多级沟槽与所述漂移区界面有离子注入形成的接地层。本发明的器件在由阻断状态转换为导通状态时，悬浮结有充足的少子进行补充，减小器件的开启时间，并且降低器件的导通损耗。
多级沟槽悬浮器件及其制作方法

[发明专利]一种微环谐振器波长锁定系统及方法-CN202310468688.5在审
发明人：王红莉;沈晓安;应豪 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本发明提供了一种微环谐振器波长锁定系统及方法，包括：微环谐振器以及与微环谐振器连接的动态反馈装置；其中，微环谐振器集成有压电控制层；动态反馈装置用于获取微环谐振器的波长参数，并基于波长参数，通过预设的锁定算法计算所要施加在压电控制层上的目标电压；压电控制层用于将目标电压转换为应力，以改变微环谐振器波导层的有效折射率，以对微环谐振器的输出波长进行锁定。本发明通过在微环上集成一层压电材料，可以利用应力‑光学效应，通过施加正负偏压实时调节微环谐振器波导层的有效折射率，以对微环谐振器的输出波长进行锁定。
一种谐振器波长锁定系统方法

[发明专利]硅基微环谐振波长调控装置及其制造方法-CN202310468704.0在审
发明人：王红莉;沈晓安;应豪 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基微环谐振波长调控装置及其制造方法，包括：微环谐振器、压电层以及电极层；上述微环谐振器包括：微环本体；上述压电层以及电极层设置在上述微环本体的内径位置；上述微环谐振器与上述压电层以及上述电极层依次相连；上述电极层包括电极；上述电极用于接收外部电压；上述压电层用于通过上述电压产生的应力调整上述微环本体的周长，以调整上述微环谐振器输出的微环谐振波长。该装置通过电极接收外部电压使压电层产生应力，从而使微环谐振器中的微环本体的周长改变，进而调整上述微环谐振器输出的微环谐振波长。
硅基微环谐振波长调控装置及其制造方法

[发明专利]硅基微环谐振波长调控装置的制造方法-CN202310468696.X在审
发明人：王红莉;沈晓安;应豪 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基微环谐振波长调控装置的制造方法，包括：对预设的半导体衬底的波导层进行光刻和刻蚀，得到微环本体；在上述微环本体上沉积二氧化硅层，得到上包层；在上述上包层上以及上述微环本体的内径位置沉积或键合预设的波长调控装置；上述波长调控装置包括：依次相连的电极层以及压电层，上述电极层用于接收外部电压；上述压电层用于通过上述外部电压产生的应力，调整上述微环本体的周长，以调整输出的微环谐振波长。该技术通过电极接收外部电压使压电层产生应力，从而使微环谐振器中的微环本体的周长改变，进而调整上述微环谐振器输出的微环谐振波长。
硅基微环谐振波长调控装置制造方法

[发明专利]SiC功率器件及其制备方法-CN202310427602.4有效
发明人：王丹丹;王宽;沈晓安;麦志洪 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC功率器件及其制备方法，该SiC功率器件包括：N+型SiC衬底、N‑型SiC漂移层、P型区、P+型区、N+型区、栅绝缘层、铝电极和设置于栅极沟槽内的N型多晶硅栅电极；栅极沟槽的底部与侧壁构成的角落处的栅氧位置上设置有由单层或多层High‑K电介质材料构成的保护结构。在本发明实施例中，通过在栅极沟槽的底部与侧壁构成的角落处的栅氧位置上设置保护结构，将角落处的栅氧位置的电场部分转移到保护结构，能够有效减小设置有保护结构的栅氧位置的电场强度，使其击穿电压进一步提高，进而提高SiC功率器件的可靠性。
sic 功率器件及其制备方法

[发明专利]基于可切换波长连接(SWC)的全光网-CN202110531692.2有效
发明人：徐千帆;张锋;沈晓安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：一种全光网，包括：第一网络；第二网络；以及PWXC，上述PWXC将第一网络耦合到第二网络并包括无源光学部件。一种方法，包括：从第一网络的第一尾节点接收第一光信号；使用第一无源光学部件将上述第一光信号从PWXC的第一输入端口引导至上述PWXC的第一输出端口；以及将第一光信号发送至第三网络的第三头节点。一种全光网，包括：光组；耦合到上述光组的第一网络；耦合到上述光组的第二网络；以及耦合第一网络和第二网络的第一PWXC。
基于切换波长连接 swc 全光网

[发明专利]硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件-CN202310498366.5在审
发明人：王红莉;沈晓安;应豪;胡昌宇 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/072 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件，在第一衬底上形成光学器件，以形成光学器件结构；将光学器件结构的光学器件一端与第二衬底进行键合；对第一衬底进行减薄处理，并进行平坦化操作；在减薄处理后的第一衬底表面上集成压电元件；对第一衬底与压电元件进行介质填充，并形成介质层；将介质层与驱动电路连接，以形成压电控制器件。可以在硅光工艺的后端采用键合的方式，在已经形成光学结构的衬底反面与压电晶片集成，进行了键合后的压电控制器件工艺容忍度也随之提高，可与现有工艺兼容，且对现有硅光工艺影响小，有利于大规模生产，并且降低了生产过程中的工艺难度，也从而提高了产品良率。
控制器件集成方法

[发明专利]一种晶体管及其制作方法-CN202310238694.1有效
发明人：李成果;沈晓安 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体管及其制作方法，晶体管包括：缓冲层；电流阻挡层，电流阻挡层设置在缓冲层的表面上；非故意掺杂层，非故意掺杂层设置在电流阻挡层背离缓冲层的一侧；非故意掺杂层背离电流阻挡层的一侧表面具有凸起的脊型结构；脊型结构的顶部具有源极和漏极；势垒层，势垒层覆盖脊型结构以及脊型结构两侧的非故意掺杂层，且露出源极和漏极；栅极，栅极位于脊型结构一侧的势垒层表面上；在第一方向上，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括：栅足和栅帽，栅足位于栅帽与脊型结构之间，栅帽与栅足均垂直于非故意掺杂层所在平面；其中，第一方向为脊型结构的延伸方向。
一种晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体射频器件及其制备方法-CN202310089651.1在审
发明人：李成果;沈晓安 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体射频器件及其制备方法，半导体射频器件包括：从下到上依次设置的衬底、n型源极掺杂层；n型源极掺杂层上，设置有处于中间位置的脊形沟道结构、设置于脊形沟道结构一侧的第一异质结构层、以及设置于脊形沟道结构另一侧的第二异质结构层；脊形沟道结构上设置有漏电极；第一异质结构层和第二异质结构层上设置有栅介质和栅电极；衬底远离n型源极掺杂层一侧设置有背孔结构，暴露出n型源极掺杂层；衬底的背孔结构中设置有源电极；第一异质结构层在脊形沟道结构的侧壁上具有二维电子气。上述器件为垂直结构设计，相比水平结构可以有更高的器件密度，栅长及沟道尺寸可通过膜厚控制，对光刻设备的精度要求低，制造难度小。
半导体射频器件及其制备方法

[发明专利]波分复用偏振无关反射调制器-CN202010067444.2有效
发明人：温扬敬;崔岩;沈晓安;白聿生 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04B10/532 文献下载
摘要：一种装置，包括偏振分束器，该偏振分束器光耦合至第一光路和第二光路并被配置成：接收具有多个波长的CW光；沿着第一光路发送CW光的第一光束；并且沿着第二光路发送CW光的第二光束。第一复用器耦合至第一光路并被配置成将第一光束解复用成第一多个通道，每个通道与所述多个波长中的一个对应。第二复用器耦合至第二光路并被配置成将第二光束解复用成第二多个通道，每个通道与所述多个波长中的一个对应。调制器耦合至第一复用器和第二复用器并被配置成调制第一多个通道和第二多个通道。
波分复用偏振无关反射调制器

[发明专利]具有硅透镜的多通道模式转换器-CN201980085024.2有效
发明人：苗容生;郑学彦;沈晓安;白聿生 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：一种多通道模式转换器包括透镜阵列、耦合到透镜阵列的玻璃块、以及耦合到玻璃块的光纤组件单元阵列，透镜阵列具有第一透镜和第二透镜，光纤组件单元阵列包括对应于第一透镜的第一光纤和对应于第二透镜的第二光纤。光纤组件单元阵列提供对应数量的光纤和透镜，使得特定的单个光纤对应于特定的单个透镜，在光纤和透镜之间存在1：1的关系。一种模式转换器系统包括透镜阵列和耦合到透镜阵列的玻璃块，透镜阵列包括用于在第一波导和第一光纤之间转换第一模式的第一硅透镜和用于在第二波导和第二光纤之间转换第二模式的第二硅透镜，玻璃块用于为对应于第一硅透镜的第一光束和对应于第二硅透镜的第二光束提供光路。
具有透镜通道模式转换器

[发明专利]基于可切换波长连接(SWC)的全光网-CN201880052431.9有效
发明人：徐千帆;张锋;沈晓安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：一种全光网，包括：第一网络；第二网络；以及PWXC，上述PWXC将第一网络耦合到第二网络并包括无源光学部件。一种方法，包括：从第一网络的第一尾节点接收第一光信号；使用第一无源光学部件将上述第一光信号从PWXC的第一输入端口引导至上述PWXC的第一输出端口；以及将第一光信号发送至第三网络的第三头节点。一种全光网，包括：光组；耦合到上述光组的第一网络；耦合到上述光组的第二网络；以及耦合第一网络和第二网络的第一PWXC。
基于切换波长连接 swc 全光网

[发明专利]低损耗模转换器及其制作方法-CN201580023658.7有效
发明人：杨莉;潘华璞;徐千帆;郑大卫;沈晓安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：一种装置，包括：基底，所述基底包括设置在其顶部的二氧化硅(SiO2)材料；硅波导，所述硅波导包括第一绝热锥形，并且被封闭在所述二氧化硅材料中；以及低折射率波导，所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻近所述第一绝热锥形。一种模转换器制作方法，包括：获取模转换器，所述模转换器包括基底、硅波导和硬膜，所述硅波导设置在所述基底上且包括侧壁和第一绝热锥形，所述硬膜设置在所述硅波导上且包括二氧化硅(SiO2)层，其中所述硬膜不覆盖所述侧壁；以及氧化所述硅波导和所述硬膜，其中所述氧化所述硅波导和所述硬膜将所述硅波导封闭在所述二氧化硅层内。
损耗转换器及其制作方法

[发明专利]用于I/Q调制器偏置控制的两次正交抖动的二阶检测-CN201780035513.8有效
发明人：刘天工;雷红兵;沈晓安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种双偏振(Dual Polarization，DP)‑同相/正交(Inphase/Quadrature，I/Q)马赫‑曾德调制器(Mach‑Zehnder Modulator，MZM)偏置控制器，用于：生成一对正交抖动信号；将所述一对正交抖动信号相乘以产生二阶正交抖动信号；以及通过以下操作将DP‑I/Q MZM的同相(Inphase，I)MZM锁定到传输信号的对应I分量的值：将所述一对正交抖动信号应用到所述DP‑I/Q MZM的正交(Quadrature，Q)MZM和相位(Phase，P)MZM；将I偏置信号应用到所述DP‑I/Q MZM的所述I MZM；检测所述DP‑I/Q MZM的输出；以及基于所述二阶抖动信号与所述DP‑I/Q MZM的输出的乘积来确定所述DP‑I/Q MZM的所述I MZM的输出中的I误差信号。
用于调制器偏置控制两次正交抖动检测

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