[发明专利]一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法有效
| 申请号： | 202310044590.7 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115896947B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 杨学林;沈波;吴俊慷;陈正昊;杨鸿才;郭富强 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;H01L21/20;H01L21/205;C30B29/64;C30B25/18;C30B23/02;C23C16/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法。先在陶瓷衬底表面沉积填充材料并研磨抛光获得光滑表面，和/或，在表面形成Al‑O化合物层或二维材料层；然后依次在表面形成氮化物层和二维材料层，再生长单晶III族氮化物。通过在陶瓷衬底上沉积填充材料并研磨和抛光实现光滑的表面；在表面形成Al‑O化合物层或二维材料层以优化下一步氮化物的c轴取向；后续的氮化物层为单晶III族氮化物的生长提供极化场，保证其生长取向，并促进生长过程的成核；二维材料层为III族氮化物层的生长提供有序的六方结构，保证生长出单晶六方结构的III族氮化物。该方法实现了在陶瓷衬底上外延生长单晶III族氮化物，提高了晶体质量和散热性能，并大幅降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 衬底 生长 iii 氮化物 方法 | ||
【主权项】：
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