[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202310042314.7 | 申请日： | 2023-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN116053274B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张二冬;赖国文;林子荏;徐钲竤;杨智强 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 吴向青 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体集成器件包括：衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；多个阱区，设置在所述衬底内；栅极氧化层，设置在所述阱区上；第一栅极结构，设置在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上，所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；第二栅极结构，设置在所述第二区域上的栅极氧化层上，所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；重掺杂区，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内。通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，可提高半导体集成器件的性能和制作良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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