[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体集成器件包括：衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；多个阱区，设置在所述衬底内；栅极氧化层，设置在所述阱区上；第一栅极结构，设置在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上，所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；第二栅极结构，设置在所述第二区域上的栅极氧化层上，所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；重掺杂区，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内。通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，可提高半导体集成器件的性能和制作良率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种半导体集成器件及其制作方法。

背景技术

随着半导体器件集成度的不断提高，半导体器件的一个普遍趋势是半导体器件微小化。且往往需要将多种类型的器件集成在一起进行制作，例如同一衬底上制备不同类型的晶体管，不同晶体管之间通过浅沟槽隔离结构进行隔离。但在不同晶体管的制作过程中，制作工艺不同，需要分别对不同区域进行制作，制作工艺复杂，且在不同区域连接处，易出现横向刻蚀等现象，造成晶体管电性衰减，降低半导体器件的性能，从而降低制作良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体集成器件及其制作方法，能够提高不同区域之间的界面性能，同时简化制作过程，并获得高质量的半导体集成器件。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种半导体集成器件，包括：

衬底，且所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；

多个阱区，设置在所述衬底内；

栅极氧化层，设置在所述阱区上；

第一栅极结构，设置在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上，所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；

第二栅极结构，设置在所述第二区域上的栅极氧化层上，所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；以及

重掺杂区，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内。

在本发明一实施例中，所述绝缘层为氧化层、氮化层以及氧化层和氮化层的叠层中的一种。

在本发明一实施例中，所述栅极氧化层包括第一栅极氧化层，所述第一栅极氧化层设置在所述第一区域上。

在本发明一实施例中，所述栅极氧化层包括第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层设置在所述第二区域上，且所述第一栅极氧化层的厚度为所述第二栅极氧化层厚度的1.5倍~2.5倍。

在本发明一实施例中，所述阱区包括低压阱区，所述低压阱区设置在所述第二区域上的所述衬底内。

在本发明一实施例中，所述阱区包括高压阱区，所述高压阱区设置在所述第一区域上的所述衬底内，且所述高压阱区的掺杂浓度为所述低压阱区的掺杂浓度的1.2倍~1.5倍。

本发明还提供一种半导体集成器件的制作方法，至少包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；

在所述衬底内形成多个阱区；

在所述阱区上形成栅极氧化层；

在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上形成第一栅极结构，且所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；