[发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体集成器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；

在所述衬底内形成多个阱区，所述阱区包括低压阱区和高压阱区，所述低压阱区设置在所述第二区域上的所述衬底内，所述高压阱区设置在所述第一区域上的所述衬底内，所述低压阱区的深度小于所述高压阱区的深度；

在所述阱区上形成栅极氧化层；

在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上形成第一栅极结构，且所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；

在所述第二区域上的栅极氧化层上形成第二栅极结构，且所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；以及

在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内形成重掺杂区，所述重掺杂区包括高压重掺区和低压重掺区，所述高压重掺区的掺杂浓度为所述低压重掺区的掺杂浓度的1.2倍~1.5倍；

所述制作方法还包括：

在所述阱区上形成第一栅极氧化层；

在所述第一栅极氧化层上形成所述第一栅极层，所述第一栅极层覆盖所述闪存区和所述第一区域上的所述阱区；

在所述第一栅极层和所述第二区域上形成所述绝缘层；

在所述闪存区和所述第一区域上形成光阻层，以及

以所述光阻层为掩膜，刻蚀所述第二区域上的所述绝缘层和所述第一栅极氧化层；

所述刻蚀包括干法刻蚀，且所述干法刻蚀包括以下步骤：

刻蚀所述第二区域上的所述绝缘层，且刻蚀气体包括氩气、氧气、氢气以及氮气中的至少一种；

刻蚀所述第一栅极氧化层，且刻蚀气体包括八氟环丁烷、全氟丁二烯以及二氟甲烷中的至少一种；

其中，所述干法刻蚀通过电感耦合等离子体进行刻蚀，且刻蚀腔室的压力为10mT~60mT，源功率为50W～500W，偏置功率为10W~30W。

2.根据权利要求1所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化层、氮化层以及氧化层和氮化层的叠层中的一种。

3.根据权利要求1所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述栅极氧化层包括第一栅极氧化层，所述第一栅极氧化层设置在所述第一区域上。

4.根据权利要求3所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述栅极氧化层包括第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层设置在所述第二区域上，且所述第一栅极氧化层的厚度为所述第二栅极氧化层厚度的1.5倍~2.5倍。

5.根据权利要求1所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述阱区包括高压阱区，所述高压阱区设置在所述第一区域上的所述衬底内，且所述高压阱区的掺杂浓度为所述低压阱区的掺杂浓度的1.2倍~1.5倍。

6.根据权利要求1所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

刻蚀去除所述第一栅极氧化层后，在所述第二区域上形成第二栅极氧化层；以及

在所述绝缘层和所述第二栅极氧化层上形成第二栅极层。