[发明专利]一种半导体结构及其制作方法、图像传感器

摘要

本申请提供一种半导体结构及其制作方法、图像传感器，该制作方法包括：提供一第一堆叠结构和一第二堆叠结构；基于金属网格掩膜版进行图案化处理，在所述第一堆叠结构上形成第一走线槽和第一连接凹槽，在所述第二堆叠结构上形成第二走线槽和第二连接凹槽；形成第一走线部和第一电连接件以得到第一晶圆，形成第二走线部和第二电连接件以得到第二晶圆；键合所述第一晶圆和所述第二晶圆得到半导体结构；所述第一走线部和所述第二走线部、所述第一电连接件和所述第二电连接件相对配合设置。从而能避免过抛的问题且提升布线的方便性。