[发明专利]氮化物基半导体电路及其制造方法在审
| 申请号： | 202280000195.2 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114450804A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 高吴昊;赵起越 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/085;H01L21/768;H01L21/8232;H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供一种氮化物基半导体电路，其包含衬底结构、氮化物基异质结构、连接器以及连接通孔。衬底结构包括第一型半导体衬底以及第二型半导体衬底。第二型半导体衬底嵌入在第一型半导体衬底的一区中。第一型半导体衬底具有第一掺杂剂，且第二型半导体衬底具有第二掺杂剂以在第一型半导体衬底和第二型半导体衬底之间形成pn结。氮化物基异质结构配置在衬底结构上。连接器配置在氮化物基异质结构上。连接通孔包括第一互连件以及第二互连件。第一互连件电连接第一型半导体衬底的第一区至连接器中的一个。第二互连件电连接第二型半导体衬底至连接器中的另一个。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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