[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211670585.9 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116646312A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎真尚;吉田勇 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，通过烧结接合使基板和半导体芯片接合的半导体装置相比于以往而言能够减少接合层中的孔隙，并且半导体装置的制造方法相比于以往而言能够以更短时间去除接合层原料膏中的溶剂。本发明的半导体装置具有基板(113)、半导体芯片(100)以及将基板(113)和半导体芯片(100)进行接合的接合层(110)，特征在于，接合层(110)由烧结金属构成，在俯视半导体装置的情况下，接合层(110)具有朝向接合层(110)的中心而中间变细的凹部(111)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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