[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211670585.9 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116646312A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎真尚;吉田勇 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具有基板、半导体芯片以及将所述基板和所述半导体芯片进行接合的接合层，其特征在于，
所述接合层由烧结金属构成，在俯视所述半导体装置的情况下，所述接合层具有朝向所述接合层的中心而中间变细的凹部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合层的至少一个边具有所述凹部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视所述半导体装置的情况下，所述凹部具有三角形形状、抛物线形状或者梯形形状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视所述半导体装置的情况下，所述接合层是所述接合层的长边具有所述凹部的形状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视所述半导体装置的情况下，在所述接合层中，所述凹部的中间变细量a与将所述接合层的所述凹部的两端连起来的长度x之比a/x是0.08以上。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视所述半导体装置的情况下，在所述接合层中，所述凹部的中间变细量a与将所述接合层的所述凹部的两端连起来的长度x之比a/x是0.20以上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合层的角相比于所述半导体芯片的正下方的区域而配置于内侧。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合层的角相比于所述半导体芯片的正下方的区域而配置于外侧。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合层的4个角和所述凹部的深的部分被配置成收敛于所述半导体芯片的末端构造区域的正下方的区域。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
设置于所述接合层的短边的所述凹部向所述半导体芯片的有效区域的正下方的区域的侵入面积小于设置于所述接合层的长边的所述凹部向所述有效区域正下方的区域的侵入面积。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述半导体芯片的上表面具有被实施导线键合的导线设置部，
配置成使所述接合层的所述凹部不会落入到所述导线设置部的正下方的区域。
12.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有基板、半导体芯片以及将所述基板和所述半导体芯片进行接合的接合层，所述制造方法的特征在于，具有：
基板准备工序，准备所述基板；
接合层原料膏涂敷工序，对所述基板涂敷成为所述接合层的原料的接合层原料膏；
半导体芯片设置工序，在所述接合层原料膏上设置所述半导体芯片；以及
烧结工序，对所述接合层原料膏进行加热来烧结，
所述接合层的形状具有权利要求1至11中的任意一项所述的半导体装置的接合层的形状。
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