[发明专利]其中具有单元阵列区和外围区的半导体器件在审
| 申请号： | 202211490783.7 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN116525661A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朱贞慜;吉奎炫;崔惠彬;白头山;崔雅朗;韩正勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H10B12/00;H10B61/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，该基板在其中具有彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案具有相对于第二有源图案的顶表面升高的顶表面。沟道半导体层提供在第一有源图案的顶表面上。在沟道半导体层上提供包括第一绝缘图案的第一栅极图案。在第二有源图案的顶表面上提供第二栅极图案，该第二栅极图案包括具有比第一绝缘图案的厚度大的厚度的第二绝缘图案。 | ||
| 搜索关键词： | 其中 具有 单元 阵列 外围 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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