[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202211292129.5 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115568218A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;肖德元 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孟嘉欣 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：有源柱，有源柱中设置有有源区，有源柱具有相对的第一端和第二端，第一端和第二端中设置有有源区的源/漏极；电容器，电容器设置于第一端远离第二端的一侧，且电容器电连接于位于第一端的源/漏极；位线，位线设置于第二端远离第一端的一侧，且位线电连接于位于第二端的源/漏极；以及，逻辑电路，逻辑电路设置于位线远离有源柱的一侧，逻辑电路电连接于位线。这种结构能够避免传统技术中将逻辑电路与有源区制备在一个衬底上的问题，能够增大半导体衬底中可供制备有源柱的区域，进而提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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