[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

有源柱，所述有源柱中设置有有源区，所述有源柱具有相对的第一端和第二端，所述第一端和所述第二端中设置有所述有源区的源/漏极；

电容器，所述电容器设置于所述第一端远离所述第二端的一侧，且所述电容器电连接于位于所述第一端的所述源/漏极；

位线，所述位线设置于所述第二端远离所述第一端的一侧，且所述位线电连接于位于所述第二端的所述源/漏极；以及，

逻辑电路，所述逻辑电路设置于所述位线远离所述有源柱的一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二电接触层，所述第二电接触层设置于所述有源柱的第二端远离所述第一端的一侧，且所述第二电接触层位于所述有源柱与所述位线之间。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括第一电接触层，所述第一电接触层设置于所述有源柱的第一端远离所述第二端的一侧，且所述第一电接触层位于所述有源柱与所述电容器之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电接触层的材料包括导电的金属硅化物；和/或

所述第二电接触层的材料包括导电的金属硅化物。

5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器包括下电极、电介质层和上电极，所述下电极电连接于位于所述第一端的所述源/漏极，所述电介质层覆盖于所述下电极上，所述上电极覆盖于所述电介质层上。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述下电极有多个，相邻的两个所述下电极间隔设置，所述上电极还填充于相邻的两个所述下电极之间。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括支撑层和电容触点，所述电容触点设置于所述支撑层中，并位于所述电容器和所述有源柱之间，所述下电极通过所述电容触点电连接于所述有源柱。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述电容触点包括触点接触层和触点阻挡层，所述触点阻挡层设置于所述触点接触层与所述有源柱以及所述触点接触层与所述支撑层之间。

9.根据权利要求1～4及6～8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱中的所述第一端和所述第二端的连线处在第一方向上，在与所述第一方向相交的第二方向上具有多个依次间隔排布的所述有源柱，所述位线沿所述第二方向延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在与所述第一方向和所述第二方向两两相交的第三方向上也具有多个依次间隔排布的有源柱，所述半导体结构还包括字线，所述字线设置于所述有源柱的侧壁上，且所述字线沿所述第三方向延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括导电层和栅介质层，所述导电层环绕所述有源柱设置，所述栅介质层设置于所述导电层和所述有源柱之间。

12.根据权利要求1～4、6～8及10～11任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑电路和所述有源柱分别设置于两个衬底上，所述位线接触于设置有所述逻辑电路的衬底以及设置有所述有源柱的衬底。

13.一种根据权利要求1～12任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一衬底的相对两侧表面上分别制备所述电容器和所述位线；以及，在制备所述电容器和制备所述位线的步骤之间，刻蚀所述第一衬底以形成所述有源柱；

在所述位线远离所述有源柱的一侧设置所述逻辑电路。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一衬底的步骤在制备所述电容器之后进行。