[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法

说明书

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：有源柱，有源柱中设置有有源区，有源柱具有相对的第一端和第二端，第一端和第二端中设置有有源区的源/漏极；电容器，电容器设置于第一端远离第二端的一侧，且电容器电连接于位于第一端的源/漏极；位线，位线设置于第二端远离第一端的一侧，且位线电连接于位于第二端的源/漏极；以及，逻辑电路，逻辑电路设置于位线远离有源柱的一侧，逻辑电路电连接于位线。这种结构能够避免传统技术中将逻辑电路与有源区制备在一个衬底上的问题，能够增大半导体衬底中可供制备有源柱的区域，进而提高器件的集成度。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是目前常用的一种电脑内存，其通常包括使用一个晶体管、一个电容(1 Transistor and 1 Capacitor，简称：1T1C)来代表一个比特。在实际的动态随机存储器的整体结构中，通常包括设置在衬底上的晶体管、字线和位线，除此之外，还需要在衬底上非晶体管所处的区域上设置逻辑电路。这使得衬底上可供制造晶体管的区域面积大幅减少，进而影响器件的集成度。

发明内容

基于此，针对上述背景技术中的问题，为了提高衬底上可供制造晶体管的区域并进而提高器件的集成度，有必要提供一种半导体结构及其制备方法。

根据本公开的一些实施例，提供了一种半导体结构，其包括：

有源柱，所述有源柱中设置有有源区，所述有源柱具有相对的第一端和第二端，所述第一端和所述第二端中设置有所述有源区的源/漏极；

电容器，所述电容器设置于所述第一端远离所述第二端的一侧，且所述电容器电连接于位于所述第一端的所述源/漏极；

位线，所述位线设置于所述第二端远离所述第一端的一侧，且所述位线电连接于位于所述第二端的所述源/漏极；以及，

逻辑电路，所述逻辑电路设置于所述位线远离所述有源柱的一侧。

在本公开的其中一些实施例中，还包括第二电接触层，所述第二电接触层设置于所述有源柱的第二端远离所述第一端的一侧，且所述第二电接触层位于所述有源柱与所述位线之间。

在本公开的其中一些实施例中，还包括第一电接触层，所述第一电接触层设置于所述有源柱的第一端远离所述第二端的一侧，且所述第一电接触层位于所述有源柱与所述电容器之间。

在本公开的其中一些实施例中，所述第一电接触层的材料包括导电的金属硅化物。

在本公开的其中一些实施例中，所述第二电接触层的材料包括导电的金属硅化物。

在本公开的其中一些实施例中，所述电容器包括下电极、电介质层和上电极，所述下电极电连接于位于所述第一端的所述源/漏极，所述电介质层覆盖于所述下电极上，所述上电极覆盖于所述电介质层上。

在本公开的其中一些实施例中，所述下电极有多个，相邻的两个所述下电极间隔设置，所述上电极还填充于相邻的两个所述下电极之间。

在本公开的其中一些实施例中，还包括支撑层和电容触点，所述电容触点设置于所述支撑层中，并位于所述电容器和所述有源柱之间，所述下电极通过所述电容触点电连接于所述有源柱。

在本公开的其中一些实施例中，所述电容触点包括触点接触层和触点阻挡层，所述触点阻挡层设置于所述触点接触层与所述有源柱以及所述触点接触层与所述支撑层之间。

在本公开的其中一些实施例中，所述有源柱中的所述第一端和所述第二端的连线处在第一方向上，在与所述第一方向相交的第二方向上具有多个依次间隔排布的所述有源柱，所述位线沿所述第二方向延伸。