[发明专利]一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法在审
申请号: | 202211072431.X | 申请日: | 2022-09-02 |
公开(公告)号: | CN115295579A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 唐江;牛广达;杜鑫源;朱劲松;何欣;宋子豪;巫皓迪 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 436044 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请涉及半导体光电探测器领域,尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法;钙钛矿材料层,铝膜层,以及薄膜层,铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间,且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置;其中,薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层;所述方法包括:对基板的表面进行TFT驱动器件成型,再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型,得到功能单元;在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层,后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层,得到含防水氧结构的封装面板;通过铝膜层和薄膜层,避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀,起到有效封装。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 射线 探测器 封装 面板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的