[发明专利]一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿X射线探测器的封装面板，其特征在于，所述封装面板包括：

钙钛矿材料层(3)，用于将X射线信号转换为电信号；

铝膜层(4)，以及

薄膜层，

所述铝膜层(4)设置于所述钙钛矿材料层(3)与所述薄膜层之间，且与所述钙钛矿材料层(3)和所述薄膜层相邻设置；

其中，所述薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层。

2.根据权利要求1所述的封装面板，其特征在于，所述薄膜层包括第一无机薄膜层(5)和第二无机薄膜层(6)，所述第一无机薄膜层(5)覆盖在所述铝膜层(4)表面，所述第二无机薄膜层(6)覆盖在所述第一无机薄膜层(5)的表面；所述第一无机薄膜层(5)的厚度为0.2μm～0.6μm，所述第二无机薄膜层(6)的厚度为0.2μm～0.6μm。

3.根据权利要求1或2所述的封装面板，其特征在于，所述薄膜层的材质包括SiN_x和SiO₂中至少一种。

4.根据权利要求1所述的封装面板，其特征在于，所述钙钛矿材料层(3)的组分包括化学式为ABX₃的卤素钙钛矿材料，其中，所述A包括甲胺根阳离子、甲脒根阳离子和铯阳离子中的至少一种，所述B包括铅阳离子和锡阳离子中的至少一种，所述X包括氯阴离子、溴阴离子和碘阴离子中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的封装面板，其特征在于，所述钙钛矿材料层(3)的组分还包括化学式为A₂CDX₆的卤素钙钛矿材料，其中，所述A包括甲胺根阳离子、甲脒根阳离子和铯阳离子中的至少一种，所述C为银阳离子，所述D包括铋阳离子、锑阳离子和铟阳离子中的至少一种，所述X包括氯阴离子、溴阴离子和碘阴离子中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的封装面板，其特征在于，所述铝膜层(4)的材质包括铝胶带、铝箔片和铝片中的至少一种。

7.根据权利要求1或6所述的封装面板，其特征在于，所述铝膜层(4)的厚度为1μm～10μm。

8.根据权利要求1所述的封装面板，其特征在于，所述封装面板还包括基板(1)和TFT驱动器件(2)，所述TFT驱动器件设于所述基板和所述钙钛矿材料层之间，且与所述基板和所述钙钛矿材料层相邻设置。

9.根据权利要求8所述的封装面板，其特征在于，所述TFT驱动器件(2)的结构类型包括蚀刻阻挡型结构、顶栅型结构和背沟道刻蚀型结构中的至少一种。

10.一种制备如权利要求1-7任一项所述的封装面板的方法，其特征在于，所述方法包括：

对基板(1)的表面进行TFT驱动器件(2)成型，再在成型的TFT驱动器件(2)表面进行钙钛矿材料层(3)成型，得到功能单元；

在所述功能单元中钙钛矿材料层(3)的表面贴封铝膜层(4)，后在所述铝膜层(4)表面上沉积第一无机薄膜层(5)和第二无机薄膜层(6)，得到有效阻隔水氧环境的封装面板。